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기판 상에 절연층 및 실리콘층이 적층된 SOI 구조가 제공되는 단계;상기 SOI 구조 상에 실리콘 게르마늄층 및 캐핑 실리콘층을 적층 형성하는 단계;서로 다른 온도에서 적어도 둘 이상의 산화 공정을 실시하고, 상기 산화 공정 사이에 적어도 1회의 열처리 공정을 실시하여 상기 실리콘 게르마늄층의 게르마늄 이온 및 실리콘 이온을 상기 실리콘층 및 캐핑 실리콘층으로 각각 확산시켜 게르마늄 응집층 및 산화 실리콘층을 형성하는 단계; 및상기 산화 실리콘층을 제거하는 단계를 포함하는 기판 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 실리콘 게르마늄층의 게르마늄 농도는 10at% 내지 40at%인 기판 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 산화 공정은 상기 실리콘 게르마늄층이 액체 상태로 변화되기 이전에 온도를 줄여 다단계로 실시하는 기판 제조 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 산화 공정은 온도가 낮아질수록 시간을 증가시켜 실시하는 기판 제조 방법
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청구항 1 또는 청구항 3에 있어서, 상기 산화 공정과 열처리 공정은 0
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청구항 5에 있어서, 상기 열처리 공정 중 다음 산화 공정 및 열처리 공정을 위해 온도를 줄이는 기판 제조 방법
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청구항 6에 있어서, 일 단계의 열처리 공정은 일 온도에서 50% 내지 90%의 시간 동안 실시하고, 온도를 줄이면서 10% 내지 50%의 시간 실시하는 기판 제조 방법
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8
청구항 1에 있어서, 상기 산화 공정은 산소 가스를 공급하여 실시하고, 상기 열처리 공정은 산소 가스의 공급을 중단하고 비활성 가스를 공급하여 동일 장비에서 연속적으로 실시하는 기판 제조 방법
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9 |
9
청구항 1에 있어서, 상기 게르마늄 응집층은 게르마늄 농도가 30at% 내지 100at%인 기판 제조 방법
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10
청구항 9에 있어서, 상기 게르마늄 응집층은 수직 방향의 게르마늄 농도가 0% 내지 1%의 균일도를 갖는 기판 제조 방법
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11
청구항 10에 있어서, 상기 게르마늄 응집층은 0
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기판 상에 절연층 및 실리콘층이 적층된 SOI 구조가 제공되는 단계;상기 SOI 구조 상에 실리콘 게르마늄층 및 캐핑 실리콘층을 적층 형성하는 단계;서로 다른 온도에서 적어도 둘 이상의 산화 공정을 실시하고, 상기 산화 공정 사이에 적어도 1회의 열처리 공정을 실시하여 상기 실리콘 게르마늄층의 게르마늄 이온 및 실리콘 이온을 상기 실리콘층 및 캐핑 실리콘층으로 각각 확산시켜 게르마늄 응집층 및 산화 실리콘층을 형성하는 단계;상기 산화 실리콘층을 제거하는 단계;상기 절연층의 소정 영역이 노출되도록 상기 게르마늄 응집층을 패터닝하는 단계; 및상기 게르마늄 응집층 상부의 소정 영역에 게이트 절연막 및 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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청구항 12에 있어서, 상기 게르마늄 응집층은 수직 방향의 게르마늄 농도가 0% 내지 1%의 균일도를 갖는 반도체 소자의 제조 방법
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청구항 13에 있어서, 상기 게르마늄 응집층은 0
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