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반사형 디스플레이 장치 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015142142
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반사형 디스플레이 장치가 제공된다. 이는 제1 기판, 상기 제1 기판과 소정의 간격을 두고 대향 배치되는 제2 기판, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이의 갭을 유지하며 화소영역을 구획하는 스페이서, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 위에 각각 위치한 제1 전극과 제2 전극, 상기 화소영역에 봉입되어 있는 전해액, 상기 제1 전극 위에 위치하고 상기 전해액과 접촉해 있는 광자결정 층, 및 상기 제2 전극 위에 위치하고 상기 전해액과 접촉해 있으며 고분자 전해질을 구비한 음이온 저장체 층을 포함한다.
Int. CL G02F 1/167 (2019.01.01) G02F 1/1681 (2019.01.01) G02F 1/16755 (2019.01.01) G02F 1/1675 (2019.01.01)
CPC G02F 1/167(2013.01) G02F 1/167(2013.01) G02F 1/167(2013.01) G02F 1/167(2013.01) G02F 1/167(2013.01)
출원번호/일자 1020080064426 (2008.07.03)
출원인 주식회사 나노브릭, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0952576-0000 (2010.04.05)
공개번호/일자 10-2010-0004320 (2010.01.13) 문서열기
공고번호/일자 (20100412) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.03)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 나노브릭 대한민국 경기도 평택시 산
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한정석 대한민국 경기 성남시 분당구
2 이은경 대한민국 서울특별시 강서구
3 강영종 대한민국 경기도 안양시 만안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 주식회사 나노브릭 대한민국 경기도 평택시 산
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2008-0481826-78
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2008-0511124-84
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.07.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.07 수리 (Accepted) 4-1-2009-5153968-14
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0047428-39
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0535060-93
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0009199-58
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.01.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0009198-13
9 등록결정서
Decision to grant		 2010.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0135233-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2013-0037637-18
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.23 수리 (Accepted) 4-1-2014-5050539-65
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.04.25 수리 (Accepted) 4-1-2016-5051298-04
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5174079-18
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.12.22 수리 (Accepted) 4-1-2016-5191361-22
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 기판; 상기 제1 기판과 소정의 간격을 두고 대향 배치되는 제2 기판; 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이의 갭을 유지하며 화소영역을 구획하는 스페이서; 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 위에 각각 위치한 제1 전극과 제2 전극; 상기 화소영역에 봉입되어 있는 전해액; 상기 제1 전극 위에 위치하고 상기 전해액과 접촉해 있는 광자결정 층; 및 상기 제2 전극 위에 위치하고 상기 전해액과 접촉해 있으며 고분자 전해질을 구비한 음이온 저장체 층; 을 포함하는 반사형 디스플레이 장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 기판 또는 제2 기판 중 적어도 하나는 투명한 반사형 디스플레이 장치
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 기판 또는 제2 기판은 유리, 금속, 플라스틱 또는 실리콘인 반사형 디스플레이 장치
4 4
제3항에 있어서, 상기 플라스틱 또는 금속은 유연성 재질인 반사형 디스플레이 장치
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 전극과 제2 전극 중 적어도 하나는 투명 전극인 반사형 디스플레이 장치
6 6
제1항에 있어서, 상기 광자결정은 전기적 자극 또는 이온농도의 변화에 따라 전자기 복사에 영향을 주도록 도메인의 주기적 구조가 가역적으로 변화될 수 있는 재료인 반사형 디스플레이 장치
7 7
제6항에 있어서, 상기 광자결정은 고분자 전해질을 구비한 팽윤성 블록(swellable block)과 유리질의 비팽윤성 블록(glassy non-swellable block)을 포함하는 블록공중합체(block copolymer)인 반사형 디스플레이 장치
8 8
제7항에 있어서, 상기 광자결정은 상기 블록 공중합체의 상기 팽윤성 블록과 상기 비팽윤성 블록이 교대로 쌓인 층상 구조체인 반사형 디스플레이 장치
9 9
제1항에 있어서, 상기 음이온 저장체 층은 상기 광자결정 내의 음이온과 같은 종류의 음이온이 배위된 양이온성 기를 갖는 고분자 전해질을 포함하는 반사형 디스플레이 장치
10 10
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 음이온 저장체 층은 하기의 화학식 3으로 표시되는 반복단위를 포함하는 고분자 전해질을 포함하는 반사형 디스플레이 장치: 003c#화학식 3003e# 여기서, Ar1은 C2-C30의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로서, 상기 헤테로아릴기의 헤테로원자가 상기 R1과 결합되어 양전하를 가지고, 상기 R1은 수소 또는 C1-C20의 치환 또는 비치환된 알킬기, 알케닐기, 알키닐기 또는 아릴기이며, 상기 X1-는 Ar1+의 쌍음이온(counter anion)이다
11 11
제10항에 있어서, 상기 Ar1은 적어도 하나의 질소 원자를 포함하는 헤테로 아릴기인 반사형 디스플레이 장치
12 12
제10항에 있어서, 상기 Ar1은 피리딘, 피롤, 피리미딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 이미다졸, 티아졸, 피페라진, 피라졸, 인돌, 퓨린 및 이들의 유도체의 군으로부터 선택되는 어느 하나인 반사형 디스플레이 장치
13 13
제10항에 있어서, 상기 X1-는 Cl-, Br-, I-, BF4-, PF6- 및 AsF6- 로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 반사형 디스플레이 장치
14 14
제10항에 있어서, 상기 음이온 저장체 층 내의 적어도 일부의 고분자 전해질이 가교화된 반사형 디스플레이 장치
15 15
하기의 화학식 3으로 표시되는 반복단위를 포함하는 고분자 전해질을 구비한 반사형 디스플레이 장치용 음이온 저장체: 003c#화학식 3003e# 여기서, Ar1은 C2-C30의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로서, 상기 헤테로아릴기의 헤테로원자가 상기 R1과 결합되어 양전하를 가지고, 상기 R1은 수소 또는 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기 또는 아릴기이며, 상기 X1-는 Ar1+의 쌍음이온(counter anion)이다
16 16
제15항에 있어서, 상기 고분자 전해질은 10,000 내지 500,000의 수평균 분자량을 갖는 단일중합체 또는 공중합체인 반사형 디스플레이 장치용 음이온 저장체
17 17
전극이 구비된 기판을 제공하는 단계; 상기 전극 위에 헤테로아릴기를 측기(side group)로서 가지는 폴리비닐계 고분자의 용액을 코팅하는 단계; 상기 코팅된 기판을 할로알칸 및 디할로알칸으로 처리하여 상기 고분자를 친수화하는 단계; 소정의 이온이 녹아 있는 용액에 상기 친수화된 기판을 담그어 고분자의 쌍음이온을 이온 교환하는 단계 를 포함하는 반사형 디스플레이 장치용 음이온 저장체 층의 형성방법
18 18
전극이 구비된 제1 기판을 제공하는 단계; 전극이 구비된 제2 기판을 제공하는 단계; 상기 제2 기판의 상기 전극 위에 고분자 전해질이 구비된 음이온 저장체 층을 형성하는 단계; 상기 제1 기판에 스페이서를 형성하는 단계; 상기 스페이서에 의해 구획된 화소영역 내에 광자결정 층을 형성하는 단계; 상기 광자결정 층이 형성된 상기 화소영역 내에 전해액을 도입하는 단계; 및 상기 제2 기판의 상기 음이온 저장체 층이 상기 전해액과 접촉하도록 상기 제2 기판을 상기 제1 기판과 대향되게 배치하여 패시베이션하는 단계 를 포함하는 반사형 디스플레이 장치의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.