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ＨＥＭＴ 소자의 게이트 리세스 식각 방법

  • 기술번호 : KST2015142868
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 HEMT 소자의 게이트 리세스 식각 방법에 있어서, 식각 챔버 내부로 상기 HEMT 소자를 로딩하는 제1단계, 상기 식각 챔버 내부로 식각 가스를 도입하여 상기 HEMT 소자의 피식각층 표면에 흡착시키는 제2단계, 흡착 단계 완료 후 여분의 식각 가스를 제거하는 제3단계, 상기 HEMT 소자의 피식각층에 중성빔을 조사하는 제4단계 및 상기 중성빔 조사에 의해 발생된 식각 부산물을 제거하는 제5단계를 포함하고, 상기 제4단계에서 스퍼터링(sputtering)을 방지하기 위해 중성빔의 에너지를 상기 피식각층의 결합세기(bond strength) 보다 작게 하는 것을 특징으로 한다.본 발명에 따른 HEMT 소자의 게이트 리세스 식각 방법은 종래의 원자층 식각 방법에서 중성빔으로 사용하던 아르곤 입자보다 질량이 작은 네온을 중성빔으로 사용하여 피식각층에 조사되는 중성빔의 에너지를 피식각층의 결합세기보다 낮게 유지함으로써 식각 선택비를 향상시킬 수 있으며, 식각 공정 후 피식각층 표면의 손상을 최소화할 수 있다.HEMT 소자, 원자층식각
Int. CL H01L 29/778 (2006.01) H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01L 29/66621(2013.01) H01L 29/66621(2013.01)
출원번호/일자 1020070022192 (2007.03.06)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0801614-0000 (2008.01.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.03.06)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염근영 대한민국 서울 송파구
2 박상덕 대한민국 경기 수원시 장안구
3 장재형 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인정직과특허 대한민국 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2007-0185437-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2007-0015278-18
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.12.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.01.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0000380-67
5 등록결정서
Decision to grant		 2008.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0040486-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
HEMT 소자의 게이트 리세스 식각 방법에 있어서,식각 챔버 내부로 상기 HEMT 소자를 로딩하는 제1단계;상기 식각 챔버 내부로 식각 가스를 도입하여 상기 HEMT 소자의 피식각층 표면에 흡착시키는 제2단계;흡착 단계 완료 후 여분의 식각 가스를 제거하는 제3단계;상기 HEMT 소자의 피식각층에 중성빔을 조사하는 제4단계; 및상기 중성빔 조사에 의해 발생된 식각 부산물을 제거하는 제5단계;를 포함하고,상기 제4단계에서 스퍼터링(sputtering)을 방지하기 위해 중성빔의 에너지를 상기 피식각층의 결합세기(bond strength) 보다 작게 유지하는 것을 특징으로 하는 HEMT 소자의 게이트 리세스 식각 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 식각 가스는 염소 가스이고, 상기 중성빔은 네온빔(Ne beam)인 것을 특징으로 하는 HEMT 소자의 게이트 리세스 식각 방법
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제2항에 있어서,상기 HEMT 소자의 게이트 리세스 식각은 식각 속도가 원자 단위로 제어되는 것을 특징으로 하는 HEMT 소자의 게이트 리세스 식각 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 제5단계 이후 HEMT 소자 표면의 조성비가 변화하지 않는 것을 특징으로 하는 HEMT 소자의 게이트 리세스 식각 방법
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제4항에 있어서,상기 제5단계가 완료되면 식각 공정이 종료되었는지 여부를 판단하고, 종료되지 않는 경우이면 제1단계를 다시 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 HEMT 소자의 게이트 리세스 식각 방법
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