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물리적 기상 증착법에 의해 형성된 비정질 카본을 이용한 다층 레지스트 구조의 제작 및 이를 이용한 박막 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015142913
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 하부 박막에 대한 식각 선택비를 높이고 식각시 종횡비를 낮출 수 있는 아주 얇은 나노스케일 PVD 비정질 카본을 이용하여 다층 레지스트 구조를 형성하고 이를 이용하여 박막 패턴을 형성하는 방법을 제공한다. 하부 박막 상에 PVD 비정질 카본 마스크를 적층하는 단계; 상기 PVD 비정질 카본 마스크 상에 하드 마스크(hard-mask), 하부 반사방지막(bottom anti-reflective coating), 포토 레지스트 패턴을 차례로 적층하는 단계; 포토 레지스트 패턴을 식각 마스크로 하부 반사방지막과 하드마스크를 식각하는 단계; 패터닝된 하드마스크를 식각 마스크로 하여 PVD 비정질 카본층을 식각하는 단계; 및 상기 PVD 비정질 카본층을 식각 마스크로 하부 박막을 식각하는 단계를 포함하는 박막 패턴 형성 방법을 제공한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01)
CPC H01L 21/31144(2013.01) H01L 21/31144(2013.01) H01L 21/31144(2013.01) H01L 21/31144(2013.01) H01L 21/31144(2013.01)
출원번호/일자 1020070052323 (2007.05.29)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0899414-0000 (2009.05.19)
공개번호/일자 10-2008-0104902 (2008.12.03) 문서열기
공고번호/일자 (20090527) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.29)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이내응 대한민국 경기 과천시
2 김희대 대한민국 경남 거창군
3 박창기 대한민국 부산 금정구
4 이춘희 대한민국 경기 이천시
5 홍병유 대한민국 경기 화성시
6 조형준 대한민국 경기 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0394888-34
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2007.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0438483-78
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2007-0015278-18
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.11.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0830008-00
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.04.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0028700-29
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0271284-53
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0518063-05
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.08.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0589448-11
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0589441-03
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0594803-92
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.01.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0052619-17
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0052613-44
14 등록결정서
Decision to grant
2009.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0198218-48
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 하부 박막과 PVD 비정질 카본 마스크와 하드마스크 그리고 포토 레지스트 패턴을 적층한 다층 레지스트 구조를 이용하여 형성된 10 내지 50 nm 두께의 PVD 비정질 카본 마스크 패턴을 통해 7:1 내지 20:1의 선택비를 얻는 박막 패턴 형성 방법으로서, 하부 박막 상에 PVD 비정질 카본 마스크를 적층하는 단계; 상기 PVD 비정질 카본 마스크 상에 하드 마스크(hard-mask), 하부 반사방지막(bottom anti-reflective coating), 포토 레지스트 패턴을 차례로 적층하는 단계; 포토 레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 하부 반사방지막과 하드마스크를 식각하는 단계; 패터닝된 하드마스크를 식각 마스크로 하여 PVD 비정질 카본 마스크를 식각하는 단계; 및 상기 PVD 비정질 카본 마스크를 식각 마스크로 하여 하부 박막을 식각하는 단계를 포함하며, 상기 하부 반사방지막, 하드마스크, PVD 비정질 카본 마스크 및 하부 박막을 식각하는 단계는, 상기 기판을 식각 장비의 기판 지지 수단 상에 안착하는 단계; 상기 식각 장비 내부를 1 내지 500mTorr으로 유지하는 단계; 및 상기 식각 장비 내부로 단계에 따라 CF4가스, C4F6가스, C4F8가스, CH2F2가스, O2가스 N2가스 및 Ar가스를 포함하는 식각 가스를 주입하고, 이온의 에너지를 제어하기 위한 셀프 바이어스 전압을 발생시키는 제 1 고주파 전원부가 400KHz 내지 10MHz의 주파수를, 제 2 고주파 전원부가 10 내지 30MHz 주파수를, 그리고 플라즈마 밀도를 제어하기 위한 제 3 고주파 전원부가 10 내지 100MHz의 주파수를 인가하여 식각을 실시하는 단계를 포함하는 박막 패턴 형성 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 하부 박막으로서 TEOS-산화물(TEOS-oxide)을 사용하는 박막 패턴 형성 방법
3 3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 기판과 하부 박막 사이에 제2 하부 박막층을 도입하는 단계를 더 포함하며; 상기 제2 하부 박막층이 SiN, SiO2, SiCN로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 비전도성 하드마스크 또는 Ta, Ti, Cr, TaN, TiN, TaSiN, 다결정 Si으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 전도성 하드마스크인 박막 패턴 형성 방법
4 4
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 PVD 비정질 카본 마스크와 하부 박막 사이에 두 층의 접착력을 향상시키고 액상 식각 및 상기 PVD 비정질 카본 마스크 제거를 용이하게 하기 위한 접합층이 형성되는 박막 패턴 형성 방법
5 5
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 포토 레지스트 패턴을 적층하는 단계가, 193nm 이하의 파장에서 사용하는 레지스트를 상기 하드 마스크막 상에 도포하는 단계; 및 노광 및 현상 공정을 실시하여 상기 레지스트의 일부를 제거하는 단계를 포함하고, 상기 레지스트로서 ArF(193nm) 레지스트, F2(157nm) 레지스트 및 EUV(extreme ultraviolet) 레지스트 중 어느 하나를 사용하는 박막 패턴 형성 방법
6 6
삭제
7 7
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 CF4가스는 10 내지 200sccm, 상기 C4F6가스는 1 내지 30sccm, 상기 C4F8가스는 5 내지 100sccm, CH2F2가스는 5 내지 100sccm, 상기 O2가스는 1 내지 100sccm, 상기 N2가스는 10 내지 200sccm,및 상기 Ar가스는 200 내지 800sccm 유량으로 주입하는 박막 패턴 형성 방법
8 8
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 400KHz 내지 10MHz의 고주파 전원은 100 내지 2000와트(W)의 전력으로 인가하고, 상기 10 내지 30MHz의 고주파 전원은 300 내지 600와트(W)의 전력으로 인가하는 박막 패턴 형성 방법
9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.