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양극산화를 이용한 칩온글라스기판의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015142954
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 칩온글라스기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는 칩온글라스기판의 제조공정을 더욱 간단하게 할 수 있는 양극산화를 이용한 칩온그라스기판의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 칩온글라스기판의 제조방법은, 글라스기판의 표면에 알루미늄층을 형성하는 단계; 상기 알루미늄층의 표면에 포토레지스트패턴을 형성하는 단계; 상기 알루미늄층을 상기 포토레지스트패턴에 의해 선택적으로 양극산화시키는 단계; 및 상기 포토레지스트패턴을 제거한 후에 상기 알루미늄층의 표면에 패턴을 따라 금속층을 선택적으로 도금하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 글라스기판의 표면에 양극산화공정을 수행함으로써 회로패턴의 형성 후에 별도의 절연층 형성 내지 에칭공정 등이 필요 없고, 더욱이 양극산화에 의해 글라스기판의 표면에 알루미늄층 및 알루미나층이 형성되어 있어 미세피치의 금속층 구현이 매우 용이한 효과가 있다. 칩온글라스기판, COG, 양극산화
Int. CL G02F 1/136 (2006.01) G02F 1/1345 (2006.01)
CPC G02F 1/1335(2013.01) G02F 1/1335(2013.01) G02F 1/1335(2013.01)
출원번호/일자 1020070133560 (2007.12.18)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0905306-0000 (2009.06.23)
공개번호/일자 10-2009-0065985 (2009.06.23) 문서열기
공고번호/일자 (20090702) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.18)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서수정 대한민국 경기 수원시 권선구
2 김장현 대한민국 경기 수원시 권선구
3 임승규 대한민국 경기 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0911442-24
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.06.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2008-0046167-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0641186-11
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.02.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0111330-46
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0111323-26
7 등록결정서
Decision to grant
2009.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0258040-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
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삭제
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글라스기판의 표면에 알루미늄층을 형성하는 단계; 상기 알루미늄층의 표면에 포토레지스트패턴을 형성하는 단계; 상기 알루미늄층을 상기 포토레지스트패턴에 의해 선택적으로 양극산화시키는 단계; 및 상기 포토레지스트패턴을 제거한 후에 상기 알루미늄층의 표면에 패턴을 따라 금속층을 선택적으로 도금하는 단계를 포함하고, 상기 양극산화단계에서, 상기 알루미늄층 중 포토레지스트패턴 미형성영역이 양극산화에 의해 산화됨으로써 절연체인 산화알루미늄층이 되는 것을 특징으로 하는 양극산화를 이용한 칩온글라스기판의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 금속층 도금단계에서 상기 포토레지스트패턴 형성영역의 포토레지스트패턴을 제거한 후에 상기 알루미늄층의 상면에 니켈을 도금하는 것을 특징으로 하는 양극산화를 이용한 칩온글라스기판의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 니켈 도금이 전해도금 또는 무전해도금에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 양극산화를 이용한 칩온글라스기판의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 니켈층의 표면에 금을 도금하는 것을 특징으로 하는 양극산화를 이용한 칩온글라스기판의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 금의 도금이 함침 공정에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 양극산화를 이용한 칩온글라스기판의 제조방법
7 7
제2항에 있어서, 상기 알루미늄층이 이베포레이션에 의해 글라스기판의 표면에 증착되는 것을 특징으로 하는 양극산화를 이용한 칩온글라스기판의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.