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기판 상부에 게이트 전극 및 게이트 절연층이 구비된 기판을 준비하는 단계;
상기 게이트 절연층 상에 하기 화학식 1로 표시되는 전구체 물질을 사용하여 표면 개질을 위한 표면 처리층을 PECVD 방법으로 형성하는 단계;
상기 표면 처리층 상에 유기 반도체층을 형성하는 단계; 및
상기 유기 반도체층 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계;
를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법:
[화학식 1]
상기 식에서, R1 내지 R6는 각각 독립적으로 수소 원자; 및 치환 또는 비치환된 C1-C5의 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되고, X는 산소 원자 또는 C1-C5의 알킬렌기이다
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제 1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 전구체 물질은 헥사메틸디실록산(hexamethyldisiloxane)인 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 표면 처리층을 형성하는 단계는,
거품기 내에 담긴 상기 화학식 1로 표시되는 전구체 물질을 증발시키는 단계;
상기 증발된 전구체 물질을 상기 거품기로부터 배출하여 플라즈마 증착용 반응기로 유입시키는 단계; 및
상기 반응기의 플라즈마를 이용하여 상기 반응기 내의 기판 위에 플라즈마 중합된 박막을 증착하는 단계;
를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 3항에 있어서,
상기 증발된 전구체 물질을 상기 거품기로부터 배출하여 플라즈마 증착용 반응기로 유입시키는 단계에서 운반기체로서 아르곤(Ar) 기체를 사용하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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5
제 3항에 있어서,
상기 반응기의 운반기체의 압력은 1×10-1 내지 100×10-1 Torr 인 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 3항에 있어서,
상기 반응기 내의 기판의 온도는 20 내지 50℃인 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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7
제 3항에 있어서,
상기 반응기로 공급되는 전력은 10 내지 120 W인 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 3항에 있어서,
상기 반응기의 플라즈마의 주파수는 10 내지 20 MHz인 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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9
기판 상에 형성되는 게이트 전극 및 게이트 절연층;
상기 게이트 절연층 상에 하기 화학식 1로 표시되는 전구체 물질을 사용하여 PECVD 방법으로 형성되는 표면 처리층;
상기 표면 처리층 상에 형성되는 유기 반도체층; 및
상기 유기 반도체층 상에 형성되는 소스/드레인 전극;
를 포함하는 유기 박막 트랜지스터:
[화학식 1]
상기 식에서, R1 내지 R6는 각각 독립적으로 수소 원자; 및 치환 또는 비치환된 C1-C5의 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되고, X는 산소 원자 또는 C1-C5의 알킬렌기이다
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10
제 9항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 전구체 물질은 헥사메틸디실록산(hexamethyldisiloxane)인 유기 박막 트랜지스터
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11
제 9항에 있어서,
상기 게이트 전극 및 소스/드레인 전극은 각각 독립적으로 도핑된 규소(Si) 또는 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 및 인듐틴산화물(ITO)로 이루어진 군으로부터 선택되는 유기 박막 트랜지스터
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제 11항에 있어서,
상기 게이트 전극은 은(Ag)으로 구성되고, 소스/드레인 전극은 금(Au)으로 구성되는 유기 박막 트랜지스터
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제 9항에 있어서,
상기 유기 반도체층은 펜타센, 테트라센, 안트라센, 티오펜, 나프탈렌, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 폴리(3-헥실티오펜), 폴리플루오렌 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 유기 박막 트랜지스터
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제 13항에 있어서,
상기 유기 반도체층은 펜타센인 유기 박막 트랜지스터
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