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붕소가 추가도핑된 산화아연계 투명 전도막 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015143031
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 붕소가 추가도핑된 산화아연계 투명 전도막의 제조방법은 기판 상에 투명 전도막을 제조하는 방법으로서, 알루미늄(Al)이 도핑된 ZnO 타겟 또는 갈륨(Ga)이 도핑된 ZnO 타겟에 붕소(B)를 추가 도핑하여 투명 전도막을 생성하는 단계(S1); 및 상기 투명 전도막이 상기 기판 상에 증착되는 단계(S2)를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 붕소가 추가도핑된 산화아연계 투명 전도막과 그 제조방법은 ITO를 대체할 정도의 전기적ㆍ광학적 특성이 구현되는 효과가 있다. 특히 연질 소재의 기판에서 양호한 특성이 구현되는 효과가 있다. 나아가 박막의 구조적 안정성을 증가시키는 효과가 있다. 투명 전도막, 스퍼터링, 붕소, AZO, AZOB, GZOB
Int. CL C23C 14/08 (2006.01) H01L 21/203 (2006.01) G02F 1/136 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02573(2013.01) H01L 21/02573(2013.01) H01L 21/02573(2013.01) H01L 21/02573(2013.01) H01L 21/02573(2013.01)
출원번호/일자 1020080026784 (2008.03.24)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0101571 (2009.09.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.03.24)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송준태 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 이규일 대한민국 경기도 안양시 안

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김인철 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, 매강빌딩*층 에이치앤에이치 H&H 국제특허법률사무소 (서초동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0209855-89
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0230321-14
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0450346-29
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.12.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0817048-34
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0817046-43
6 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2010.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2010-0005234-91
7 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2010.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0360275-19
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0259888-96
9 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2010.09.27 수리 (Accepted) 7-8-2010-0028456-81
10 [복대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2011.11.11 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2011-0890726-86
11 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2011.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0105440-15
12 [복대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2011.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0894628-03
13 [복대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2011.11.30 반려 (Return) 1-1-2011-0950516-91
14 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2011.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0117891-18
15 일부반려안내문
Notification of Partial Return
2011.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0120264-83
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 투명 전도막을 제조하는 방법으로서, 알루미늄(Al)이 도핑된 ZnO 타겟 또는 갈륨(Ga)이 도핑된 ZnO 타겟에 붕소(B)를 추가 도핑하여 투명 전도막을 생성하는 단계(S1); 및 상기 투명 전도막이 상기 기판 상에 증착되는 단계(S2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 붕소가 추가도핑된 산화아연계 투명 전도막 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 S1 단계의 경우, (알루미늄 + 붕소) 또는 (갈륨 + 붕소)는 1 내지 3 중량%가 함유되는 것을 특징으로 하는 붕소가 추가도핑된 산화아연계 투명 전도막 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 붕소는 0
4 4
제1항에 있어서, 상기 S2 단계의 경우, 증착방법은 스퍼터링(sputtering)인 것을 특징으로 하는 붕소가 추가도핑된 산화아연계 투명 전도막 제조방법
5 5
기판; 및 상기 기판상에 형성되는 투명 전도막을 포함하며, 상기 투명 전도막은 알루미늄(Al)이 도핑된 ZnO 타겟 또는 갈륨(Ga)이 도핑된 ZnO 타겟에 붕소(B)를 추가 도핑하여 형성되는 것을 특징으로 하는 붕소가 추가도핑된 산화아연계 투명 전도막
6 6
제5항에 있어서, 상기 기판은 경질 소재 또는 연질 소재인 것을 특징으로 하는 붕소가 추가도핑된 산화아연계 투명 전도막
7 7
제5항에 있어서, 도핑되는 (알루미늄 + 붕소) 또는 (갈륨 + 붕소)는 1 내지 3 중량%가 함유되는 것을 특징으로 하는 붕소가 추가도핑된 산화아연계 투명 전도막
8 8
제7항에 있어서, 상기 붕소는 0
9 9
제5항에 있어서, 상기 기판과 투명 전도막 사이에 적어도 하나의 다른 전극층이 적층배치되는 것을 특징으로 하는 붕소가 추가도핑된 산화아연계 투명 전도막
10 10
제9항에 있어서, 상기 다른 전극층은 금속층인 것을 특징으로 하는 붕소가 추가도핑된 산화아연계 투명 전도막
11 11
제10항에 있어서, 상기 금속층은 도전성을 갖는 투명한 산화물인 것을 특징으로 하는 붕소가 추가도핑된 산화아연계 투명 전도막
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2009119962 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2009119962 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.