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산화물 박막 트랜지스터를 포함하는 적층 메모리 장치

  • 기술번호 : KST2015143104
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산화물 박막 트랜지스터를 포함하는 적층 메모리 장치가 개시된다. 개시된 적층 메모리 장치는 능동 회로부와 능동 회로부의 일면에 형성된 메모리부를 포함하고, 메모리 평면에는 로우 라인 및 칼럼 라인이 형성되어 있으며, 상기 로우 라인 및 칼럼 라인의 일단부에는 선택 트랜지스터가 형성될 수 있다.
Int. CL G02F 1/13 (2006.01) G02F 1/136 (2006.01) H01L 27/10 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080098170 (2008.10.07)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0038986 (2010.04.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.08.13)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송이헌 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 박재철 대한민국 서울특별시 동작구
3 권기원 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 김선일 대한민국 경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0699631-73
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0733557-42
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0526037-04
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0725651-85
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
능동 회로부; 상기 능동 회로부 상부에 형성된 것으로, 상기 능동 회로부와 전기적으로 연결되는 로우 라인 및 칼럼 라인을 포함하는 메모리 어레이를 다수개 적층하여 형성된 적층 메모리 장치에 있어서, 상기 메모리 어레이의 로우 라인 및 칼럼 라인 중 적어도 하나의 일단부에는 동일 평면상 위치에 선택 트랜지스터가 형성된 것을 특징으로 하는 적층 메모리 장치
2 2
제 1항에 있어서, 상기 선택 트랜지스터는 산화물 박막 트랜지스터인 적층 메모리 장치
3 3
제 2항에 있어서, 상기 메모리 어레이는 크로스 포인트형 메모리 어레이 구조인 적층 메모리 장치
4 4
제 2항에 있어서, 상기 메모리 어레이는, 상기 로우 라인들 및 칼럼 라인들이 교차하는 영역에 스위치 구조체 및 메모리 영역을 포함하는 적층 메모리 장치
5 5
제 2항에 있어서, 상기 산화물 박막 트랜지스터는, 하부 구조체 상에 형성된 게이트; 상기 하부 구조체 및 게이트 상에 형성된 게이트 절연층; 상기 게이트에 대응되는 게이트 절연층 상에 형성된 것으로 Zn 산화물을 포함하여 형성된 채널; 및 상기 채널의 양측부 및 게이트 절연층 상에 형성된 소스 및 드레인을 포함하는 적층 메모리 장치
6 6
제 1항에 있어서, 상기 선택 트랜지스터는, 상기 로우 라인 또는 칼럼 라인들의 양측 단부에 교대로 형성된 적층 메모리 장치
7 7
제 1항에 있어서, 상기 능동 회로부는, 상기 다수개의 메모리 어레이 중 메모리부의 특정 메모리 어레이를 선택하는 레벨 디코더; 및 선택된 메모리 어레이의 특정 메모리 셀을 선택하는 프리 디코더;를 포함하는 적층 메모리 장치
8 8
제 7항에 있어서, 상기 능동 회로부는 실리콘 기판 상에 형성된 적층 메모리 장치
9 9
제 7항에 있어서, 상기 프리 디코더는 공통 비아를 통하여, 상기 트랜지스터와 연결된 적층 메모리 장치
10 10
제 7항에 있어서, 상기 레벨 디코더는 상기 선택 트랜지스터의 게이트와 연결된 적층 메모리 장치
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1 CN101714404 CN 중국 FAMILY
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