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그래핀과 나노구조체의 복합 구조체 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015143208
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그래핀과 나노 구조체의 복합 구조체 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 복합 구조체는 적어도 하나의 그래핀(graphene)과, 이 그래핀을 관통하도록 형성되는 것으로, 1차원 형상을 가지는 적어도 하나의 나노구조체;를 포함한다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090110922 (2009.11.17)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1611422-0000 (2016.04.05)
공개번호/일자 10-2011-0054317 (2011.05.25) 문서열기
공고번호/일자 (20160412) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.05.29)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최병룡 대한민국 서울특별시 서초구
2 이은경 대한민국 서울특별시 동대문구
3 황동목 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 김병성 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0705074-73
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0511559-27
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0488347-06
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0892498-55
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.09.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0892499-01
10 등록결정서
Decision to grant
2016.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0074458-56
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
서로 이격되게 배치되는 복수의 그래핀(graphene); 및상기 복수의 그래핀을 관통하도록 형성되는 것으로, 1차원 형상을 가지는 적어도 하나의 나노구조체;를 포함하는 복합 구조체
2 2
제 1 항에 있어서,상기 나노구조체는 나노와이어(nanowire), 나노튜브(nanotube) 또는 나노로드(nanorod)를 포함하는 복합 구조체
3 3
제 1 항에 있어서,상기 나노구조체는 상기 그래핀을 관통하면서 그 내부에 상기 그래핀을 포함하도록 형성되는 복합 구조체
4 4
제 1 항에 있어서,상기 나노구조체는 상기 그래핀을 관통하면서 그 내부에 상기 그래핀을 포함하지 않도록 형성되는 복합구조체
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 나노구조체는 Ⅳ족 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 반도체, Ⅳ-Ⅵ족 반도체, Ⅳ-Ⅴ-Ⅵ족 반도체, 산화물 반도체, 질화물 반도체 및 금속으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나의 물질로 이루어진 복합 구조체
7 7
제 1 항에 있어서,상기 나노구조체는 반경 방향에 따른 이종 구조(heterostructure) 또는 길이 방향에 따른 이종 구조를 가지는 복합 구조체
8 8
제 7 항에 있어서,상기 나노구조체는 Ⅳ족 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 반도체, Ⅳ-Ⅵ족 반도체, Ⅳ-Ⅴ-Ⅵ족 반도체, 산화물 반도체, 질화물 반도체 및 금속으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나의 물질로 이루어진 복합 구조체
9 9
제 7 항에 있어서,상기 나노구조체는 도전성 불순물로 도핑된 복합 구조체
10 10
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 적어도 하나의 그래핀을 마련하는 단계; 및상기 기판 상에서 상기 그래핀을 관통하도록 1차원 형상을 가지는 적어도 하나의 나노구조체를 성장 형성시키는 단계;를 포함하는 복합 구조체의 제조방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 나노구조체는 상기 그래핀을 관통하면서 그 내부에 상기 그래핀을 포함하도록 형성되는 복합 구조체의 제조방법
12 12
제 10 항에 있어서,상기 나노구조체는 상기 그래핀을 관통하면서 그 내부에 상기 그래핀을 포함하지 않도록 형성되는 복합 구조체의 제조방법
13 13
제 10 항에 있어서,상기 기판을 준비한 다음, 상기 기판을 표면 처리하는 단계를 더 포함하는 복합 구조체의 제조방법
14 14
제 10 항에 있어서,상기 적어도 하나의 그래핀 중 가장 아래에 마련되는 그래핀은 상기 기판에 접하거나 또는 상기 기판과 이격되도록 배치되는 복합 구조체의 제조방법
15 15
제 10 항에 있어서,상기 복수개의 그래핀이 상기 기판 상에 서로 일정한 간격으로 이격되도록 배치되는 복합 구조체의 제조방법
16 16
제 10항에 있어서,상기 복수개의 그래핀이 상기 서로 접하도록 배치되는 복합 구조체의 제조방법
17 17
제 10 항에 있어서,상기 기판을 준비한 다음, 상기 기판 상에 촉매 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 복합 구조체의 제조방법
18 18
제 17 항에 있어서,상기 적어도 하나의 나노구조체는 상기 촉매 금속층으로부터 성장 형성되는 복합 구조체의 제조방법
19 19
제 17 항에 있어서,상기 적어도 하나의 그래핀 중 가장 아래에 마련되는 그래핀은 상기 촉매 금속층에 접하거나 또는 상기 촉매 금속층과 이격되도록 배치되는 복합 구조체의 제조방법
20 20
제 17 항에 있어서,상기 복수개의 그래핀이 상기 촉매 금속층 상에 서로 일정한 간격으로 이격되도록 배치되는 복합 구조체의 제조방법
21 21
제 17 항에 있어서,상기 복수개의 그래핀이 상기 촉매 금속층 상에 서로 접하도록 배치되는 복합 구조체의 제조방법
22 22
제 10 항에 있어서,상기 나노구조체는 Ⅳ족 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 반도체, Ⅳ-Ⅵ족 반도체, Ⅳ-Ⅴ-Ⅵ족 반도체, 산화물 반도체, 질화물 반도체 및 금속으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나의 물질로 이루어진 복합 구조체의 제조방법
23 23
제 10 항에 있어서,상기 나노구조체는 반경 방향에 따른 이종 구조(heterostructure) 또는 길이 방향에 따른 이종 구조를 가지도록 형성되는 복합 구조체의 제조방법
24 24
제 23 항에 있어서,상기 나노구조체는 Ⅳ족 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 반도체, Ⅳ-Ⅵ족 반도체, Ⅳ-Ⅴ-Ⅵ족 반도체, 산화물 반도체, 질화물 반도체 및 금속으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나의 물질로 이루어진 복합 구조체의 제조방법
25 25
제 23 항에 있어서,상기 나노구조체는 도전성 불순물로 도핑되도록 형성되는 복합 구조체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02327661 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 JP05620752 JP 일본 FAMILY
3 JP23105583 JP 일본 FAMILY
4 US08480931 US 미국 FAMILY
5 US20110114894 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2327661 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 JP2011105583 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP5620752 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US2011114894 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US8480931 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.