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그래핀 패턴 형성 방법

기술번호 : KST2015143237
담당센터 : 경기기술혁신센터
전화번호 : 031-8006-1570

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 그래핀 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 터치 패널의 화면 영역 또는 전극 영역으로 그래핀 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다. 이를 위해, 그래핀의 패턴을 형성하는 방법으로서, 베이스 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계와, 그래핀층의 상부면에 패턴홈이 형성되어 있는 마스크를 배치하는 단계와, 마스크가 배치된 기판을 산화 분위기에 노출하는 단계와, 산화 분위기 하에서 그래핀의 부분 중 패턴 홈을 통해 노출된 부분의 산화 반응에 의해 그래핀 패턴이 형성되는 단계 및 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 방법을 제공한다.
Int. CL	G06F 3/041 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC	H01L 21/027(2013.01) H01L 21/027(2013.01) H01L 21/027(2013.01) H01L 21/027(2013.01)
출원번호/일자	1020100010140 (2010.02.03)
출원인	한화테크윈 주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2011-0090398 (2011.08.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	거절
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2014.05.13)
심사청구항수	2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한화에어로스페이스 주식회사	대한민국	경상남도 창원시 성산구
2	성균관대학교산학협력단	대한민국	경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	안종현	대한민국	경기도 수원시 장안구
2	홍병희	대한민국	경기도 수원시 장안구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	리앤목특허법인	대한민국	서울 강남구 언주로 길 , 층, 층, 층, *층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
최종권리자 정보가 없습니다

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2010.02.03	수리 (Accepted)	1-1-2010-0075416-53
2	[전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서 [Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document	2010.02.08	수리 (Accepted)	1-1-2010-5004468-13
3	보정요구서 Request for Amendment	2010.02.08	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2010-0011939-24
4	직권수리안내서 Notification of Ex officio Acceptance	2010.02.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2010-0013520-55
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.06.27	수리 (Accepted)	4-1-2011-5131126-31
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.04.26	수리 (Accepted)	4-1-2012-5090770-53
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.06.20	수리 (Accepted)	4-1-2012-5131828-19
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.06.27	수리 (Accepted)	4-1-2012-5137236-29
9	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.05.13	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0449236-07
10	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2014.05.13	수리 (Accepted)	1-1-2014-0449237-42
11	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2015.03.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
12	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2015.05.11	수리 (Accepted)	9-1-2015-0029924-59
13	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2015.06.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0421793-42
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.07.10	수리 (Accepted)	4-1-2015-5092726-15
15	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2015.08.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-0782563-23
16	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2015.08.12	수리 (Accepted)	1-1-2015-0782562-88
17	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2015.11.06	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0769705-17
18	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43
19	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.06.01	수리 (Accepted)	4-1-2017-5084566-32
20	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.05.16	수리 (Accepted)	4-1-2018-5086933-77

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 그래핀에 패턴을 형성하는 방법으로,베이스 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계;상기 그래핀층의 상부면에 마스크를 배치하는 단계;상기 마스크가 배치된 기판을 산화 분위기에 노출하는 단계;그래핀 패턴을 형성하는 단계; 및상기 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 그래핀 패턴 형성 방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 산화 분위기는,자외선을 이용하여 형성된 오존이 포함된 분위기인 그래핀 패턴 형성 방법
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 산화 분위기는,산소 플라즈마가 포함된 분위기인 그래핀 패턴 형성 방법
4	4 제 1 항에 있어서,상기 그래핀 패턴 상에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 그래핀 패턴 형성 방법
5	5 제 4 항에 있어서,상기 보호막은 광투과성이면서 도전성인 고분자 물질을 포함하는 그래핀 패턴 형성 방법
6	6 제 5 항에 있어서,상기 보호막은 PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), PEDOT/PSS, 티오펜계 폴리머, 폴리피롤, 폴리아닐린, 강유전체 고분자, 강유전체 무기물 중 적어도 하나를 포함하는 그래핀 패턴 형성 방법
7	7 제 1 항에 있어서,상기 그래핀 패턴 형성 단계는,상기 산화 분위기 하에서, 상기 그래핀의 부분 중 상기 마스크에 형성된 패턴 홈을 통해 노출된 부분의 산화 반응에 의하는 것인 그래핀 패턴 형성 방법
8	8 제1기판, 상기 제1기판과 대향되어 배치되는 제2기판, 상기 제1기판의 면들 중 상기 제2기판과 마주보는 면에 배치되는 제1도전막 및 상기 제2기판의 면들 중 상기 제1기판과 마주보는 면에 배치되는 제2도전막을 포함하는 터치 패널에서,상기 제1도전막 및 상기 제2도전막 중 적어도 하나는 그래핀으로 이루어지고, 상기 그래핀의 패턴 형성 방법으로,베이스 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계;상기 그래핀층의 상부면에 마스크를 배치하는 단계;상기 마스크가 배치된 기판을 산화 분위기에 노출하는 단계;그래핀 패턴을 형성하는 단계; 및상기 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 그래핀 패턴 형성 방법
9	9 제 8 항에 있어서, 상기 산화 분위기는,자외선을 이용하여 형성된 오존이 포함된 분위기인 그래핀 패턴 형성 방법
10	10 제 8 항에 있어서, 상기 산화 분위기는,산소 플라즈마가 포함된 분위기인 그래핀 패턴 형성 방법
11	11 제 8 항에 있어서,상기 베이스 기판은,상기 제1기판 또는 상기 제2기판인 그래핀 패턴 형성 방법
12	12 제 11 항에 있어서,상기 베이스 기판은 광투과성이면서 가요성인 폴리머 소재인 그래핀 패턴 형성 방법
13	13 제 8 항에 있어서,상기 그래핀 패턴은,상기 제1도전막 또는 상기 제2도전막의 일부 영역인 화면 영역을 포함하는 그래핀 패턴 형성 방법
14	14 제 8 항에 있어서,상기 터치 패널은 상기 제1도전막과 전기적으로 연결되는 제1전극들을 더 구비하고, 상기 제2도전막과 전기적으로 연결되는 제2전극들을 더 구비하는 것으로,상기 그래핀 패턴은,상기 제1전극 또는 상기 제2전극에 대응하는 전극 영역을 포함하는 그래핀 패턴 형성 방법
15	15 제 8 항에 있어서,상기 그래핀 패턴 상에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 그래핀 패턴 형성 방법
16	16 제 15 항에 있어서,상기 보호막은 광투과성이면서 도전성인 고분자 물질을 포함하는 그래핀 패턴 형성 방법
17	17 제 16 항에 있어서,상기 보호막은 PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), PEDOT/PSS, 티오펜계 폴리머, 폴리피롤, 폴리아닐린, 강유전체 고분자, 강유전체 무기물 중 적어도 하나를 포함하는 그래핀 패턴 형성 방법
18	18 제 8 항에 있어서,상기 그래핀 패턴 형성 단계는,상기 산화 분위기 하에서, 상기 그래핀의 부분 중 상기 마스크에 형성된 패턴 홈을 통해 노출된 부분의 산화 반응에 의하는 것인 그래핀 패턴 형성 방법

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2010.02.03	수리 (Accepted)	1-1-2010-0075416-53
2	[전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서	2010.02.08	수리 (Accepted)	1-1-2010-5004468-13
3	보정요구서	2010.02.08	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2010-0011939-24
4	직권수리안내서	2010.02.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2010-0013520-55
5	출원인정보변경(경정)신고서	2011.06.27	수리 (Accepted)	4-1-2011-5131126-31
6	출원인정보변경(경정)신고서	2012.04.26	수리 (Accepted)	4-1-2012-5090770-53
7	출원인정보변경(경정)신고서	2012.06.20	수리 (Accepted)	4-1-2012-5131828-19
8	출원인정보변경(경정)신고서	2012.06.27	수리 (Accepted)	4-1-2012-5137236-29
9	[명세서등 보정]보정서	2014.05.13	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0449236-07
10	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2014.05.13	수리 (Accepted)	1-1-2014-0449237-42
11	선행기술조사의뢰서	2015.03.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
12	선행기술조사보고서	2015.05.11	수리 (Accepted)	9-1-2015-0029924-59
13	의견제출통지서	2015.06.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0421793-42
14	출원인정보변경(경정)신고서	2015.07.10	수리 (Accepted)	4-1-2015-5092726-15
15	[명세서등 보정]보정서	2015.08.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-0782563-23
16	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2015.08.12	수리 (Accepted)	1-1-2015-0782562-88
17	거절결정서	2015.11.06	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0769705-17
18	출원인정보변경(경정)신고서	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43
19	출원인정보변경(경정)신고서	2017.06.01	수리 (Accepted)	4-1-2017-5084566-32
20	출원인정보변경(경정)신고서	2018.05.16	수리 (Accepted)	4-1-2018-5086933-77

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