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고온 비활성 분위기하에서 열처리를 통한 단일층 그래핀 분말 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015143356
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고온 비활성화 분위기에서의 열처리를 통한 단일층 그래핀 분말 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 좀 더 자세하게는 산화흑연을 저온에서 팽창시켜 만들어진 팽창 그래핀을 고온 비활성화 분위기에서의 열처리를 통하여 결정성이 좋은 그래핀을 제조하는 것으로써, 본 발명에 의해 제조된 그래핀은 기존의 그래핀 보다 산소와의 결함이 적어 높은 결정성을 가지고 있으므로 질 좋은 그래핀을 분말 상태로 많이 얻을 수 있어 그래핀 관련 응용에 활발히 사용될 수 있다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) C01B 31/04 (2006.01)
CPC C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01)
출원번호/일자 1020100112917 (2010.11.12)
출원인 성균관대학교산학협력단, 주식회사 엘피나노연구소
등록번호/일자 10-1201735-0000 (2012.11.09)
공개번호/일자 10-2012-0051471 (2012.05.22) 문서열기
공고번호/일자 (20121115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.12)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 주식회사 엘피나노연구소 대한민국 경기도 성남시 중원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이영희 대한민국 경기도 수원시 권선구
2 김매화 중국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권형중 대한민국 서울특별시 중구 서소문로 ** (서소문동, 정안빌딩 *층)(특허법인 남앤남)
2 이종승 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길** 에이동 ***호 (문정동, 현대지식산업센터)(리스비특허법률사무소)
3 김문재 대한민국 서울특별시 중구 서소문로 ** (서소문동, 정안빌딩 *층)(특허법인 남앤남)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
2 주식회사 엘피나노연구소 경기도 성남시 중원구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0741061-37
2 보정요구서
Request for Amendment		 2010.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0103371-82
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0765400-74
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2011-5157778-87
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0167407-48
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0363145-87
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0632329-60
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
팽창 그래핀을 비활성 분위기하에서 1100~3000℃로 열처리하여 만들어진 단일층 그래핀 분말을 제조하는 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 비활성 분위기는 아르곤가스 분위기인 것을 특징으로 하는 단일층 그래핀 분말을 제조하는 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 비활성 분위기는 10-9~10-3torr의 진공상태인 것을 특징으로 하는 단일층 그래핀 분말을 제조하는 방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 비활성 분위기는 10-3torr의 진공상태인 것을 특징으로 하는 단일층 그래핀 분말을 제조하는 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 열처리 온도는 1100~1900℃인 것을 특징으로 하는 단일층 그래핀 분말을 제조하는 방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 열처리 온도는 1900℃인 것을 특징으로 하는 단일층 그래핀 분말을 제조하는 방법
7 7
팽창 그래핀을 비활성 분위기하에서 1100~3000℃로 열처리하여 만들어진 단일층 그래핀 분말
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.