| 1 |
1
코어(core)와 상기 코어를 둘러싸는 셸(shell)로 구성된 코어-셸 구조를 가지며, 상기 코어는 ZnSnO3를 포함하고, 상기 셸은 ZnO를 포함하는 ZnSnO3/ZnO 나노와이어
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 ZnSnO3는 페로브스카이트(perovskite) 결정구조를 가지며, 상기 ZnO는 헥사고널(hexagonal) 결정구조를 가지는 ZnSnO3/ZnO 나노와이어
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 ZnSnO3/ZnO 나노와이어는 열 화학기상증착법(thermal CVD)에 의해 형성되는 ZnSnO3/ZnO 나노와이어
|
| 4 |
4
ZnO 파우더, SnO 파우더 및 카본 파우더를 소정 비율로 혼합하는 단계; 퍼니스(furnace) 내에 기판과 상기 혼합된 파우더를 이격되게 마련하는 단계; 및상기 혼합된 파우더를 가열하여 상기 기판 상에 ZnSnO3를 포함하는 코어와 상기 코어를 둘러싸는 것으로 ZnO를 포함하는 셸로 이루어진 ZnSnO3/ZnO 나노와이어를 성장시키는 단계;를 포함하는 ZnSnO3/ZnO 나노와이어의 형성방법
|
| 5 |
5
제 4 항에 있어서,상기 기판은 단결정 Si, 사파이어, ZnO 또는 ZnSnO3를 포함하는 ZnSnO3/ZnO 나노와이어의 형성방법
|
| 6 |
6
제 4 항에 있어서,상기 기판 상에 촉매층을 형성하는 단계를 더 포함하는 ZnSnO3/ZnO 나노와이어의 형성방법
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 촉매층은 노블(noble) 금속, 전이 금속 또는 전이금속 산화물을 포함하는 ZnSnO3/ZnO 나노와이어의 형성방법
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서,상기 촉매층은 Zn, ZnO 또는 ZnSnO3를 포함하는 ZnSnO3/ZnO 나노와이어의 형성방법
|
| 9 |
9
제 4 항에 있어서,상기 ZnSnO3/ZnO 나노와이어를 성장시키는 단계는,상기 퍼니스 내의 상기 혼합된 파우더를 제1 온도까지 상승시켜 증발시키는 단계; 및 상기 제1 온도를 소정 시간 유지하면서 상기 기판 상에 상기 ZnSnO3/ZnO 나노와이어를 성장시키는 단계;를 포함하는 ZnSnO3/ZnO 나노와이어의 형성방법
|
| 10 |
10
제 9 항에 있어서,상기 혼합된 파우더가 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도까지 상승된 이후 부터는 상기 퍼니스 내에 비활성 가스(inert gas)를 흘려주는 단계를 더 포함하는 ZnSnO3/ZnO 나노와이어의 형성방법
|
| 11 |
11
제 4 항에 있어서,상기 ZnSnO3는 페로브스카이트(perovskite) 결정구조를 가지며, 상기 ZnO는 헥사고널(hexagonal) 결정구조를 가지는 ZnSnO3/ZnO 나노와이어의 형성방법
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
삭제
|
| 15 |
15
삭제
|
| 16 |
16
삭제
|
| 17 |
17
삭제
|
| 18 |
18
코어(core)와 상기 코어를 둘러싸는 셸(shell)로 구성된 코어-셸 구조를 가지며, 상기 코어는 ZnSnO3를 포함하고, 상기 셸은 ZnO를 포함하는 적어도 하나의 ZnSnO3/ZnO 나노와이어를 포함하는 나노 발전소자
|
| 19 |
19
제 18 항에 있어서,기판;상기 기판 상부에 이격되게 마련되는 제1 전극; 및상기 기판과 제1 전극 사이에 마련되는 상기 적어도 하나의 ZnSnO3/ZnO 나노와이어;를 포함하는 나노 발전소자
|
| 20 |
20
제 19 항에 있어서,상기 기판은 도전성 물질을 포함하는 나노 발전소자
|
| 21 |
21
제 19 항에 있어서,상기 기판 상에는 제2 전극이 형성되어 있고, 상기 적어도 하나의 ZnSnO3/ZnO 나노와이어는 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 마련되는 나노 발전소자
|
| 22 |
22
제 19 항에 있어서,상기 적어도 하나의 ZnSnO3/ZnO 나노와이어는 상기 기판에 대하여 수직 또는 소정 각도로 경사지게 배열되는 나노 발전소자
|
| 23 |
23
제 18 항에 있어서,동일 평면 상에서 서로 이격되게 배치되는 복수의 전극; 및상기 전극들 사이에 마련되는 상기 적어도 하나의 ZnSnO3/ZnO 나노와이어;를 포함하는 나노 발전소자
|
| 24 |
24
제 23 항에 있어서,상기 전극들은 일정한 간격으로 서로 나란하게 배치되는 나노 발전소자
|
| 25 |
25
제 24 항에 있어서,상기 적어도 하나의 ZnSnO3/ZnO 나노와이어는 상기 전극들에 대하여 수직 또는 소정 각도로 경사지게 마련되는 나노 발전소자
|
| 26 |
26
제 23 항에 있어서,상기 전극들은 서로 직렬로 연결되는 나노 발전소자
|
| 27 |
27
제 23 항에 있어서,상기 전극들 및 상기 적어도 하나의 ZnSnO3/ZnO 나노와이어는 기판 상에 마련되는 나노 발전소자
|
| 28 |
28
삭제
|
| 29 |
29
삭제
|
| 30 |
30
삭제
|
| 31 |
31
삭제
|
| 32 |
32
삭제
|
| 33 |
33
삭제
|
| 34 |
34
삭제
|
