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탄화규소 박막의 표면에 질소 이온 및 산소 이온 중 적어도 한 종류의 가스이온을 이온주입하여 상기 탄화규소 박막 내부에 이온주입층을 형성하는 단계;상기 이온 주입층이 개재된 탄화규소 박막을 열처리하여 상기 이온 주입층 상의 탄화규소 표면층을 그래핀화시키는 단계;를 포함하는 그래핀 층상 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 이온주입층이 질화규소층인 것인 그래핀 층상 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 이온 주입층 상의 탄화규소 표면층이 230nm 이하의 두께를 갖는 것인 그래핀 층상 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 열처리가 1,000 내지 2,000℃의 온도범위에서 0
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제1항에 있어서,상기 그래핀이 에피택셜 구조인 것인 그래핀 층상 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 탄화규소 박막이 100 내지 500 ㎛의 두께인 것인 그래핀 층상 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 탄화규소 박막의 Si-face에 가스 이온을 주입하는 것인 그래핀 층상 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 탄화규소 박막이 알루미늄, 붕소, 질소, 인, 전이금속 중 하나 이상으로 도핑된 것인 그래핀 층상 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 이온 주입시 가스 이온의 주입량 및 에너지를 조절하여 상기 이온주입층의 두께를 조절하는 것인 그래핀 층상 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 이온 주입시 상기 탄화규소 박막을 300 내지 1,000℃의 범위로 유지하는 것인 그래핀 층상 구조체의 제조방법
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 제조방법에 따라 제조된 그래핀 층상 구조체
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그래핀;상기 그래핀의 하부에 존재하는 질화규소층; 및상기 질화규소층의 하부에 존재하는 탄화규소층;을 구비하는 그래핀 층상구조체
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제12항에 따른 그래핀 층상 구조체를 구비하는 트랜지스터
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제12항에 따른 그래핀 층상 구조체를 구비하는 투명전극
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