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그래핀 양자점을 이용한 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

  • 기술번호 : KST2015143857
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은, 그래핀 양자점 및 상기 그래핀 양자점과 화학 또는 물리 결합된 유기 발광 물질을 포함하는, 그래핀 양자점을 이용한 발광 소자에 대한 것이다.
Int. CL H05B 33/02 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/5012(2013.01) H01L 51/5012(2013.01) H01L 51/5012(2013.01) H01L 51/5012(2013.01) H01L 51/5012(2013.01)
출원번호/일자 1020120137277 (2012.11.29)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1462901-0000 (2014.11.12)
공개번호/일자 10-2014-0069686 (2014.06.10) 문서열기
공고번호/일자 (20141120) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020140079642;
심사청구여부/일자 Y (2013.11.05)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이효영 대한민국 경기 수원시 장안구
2 이정현 대한민국 경기 군포시 군포로***번길 **, *
3 신용훈 대한민국 경기 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0992057-43
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.11.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1009454-34
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-1009455-80
4 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0409090-01
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.05.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.05.23 수리 (Accepted) 9-1-2014-0042954-34
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0367350-49
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.06.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0605317-12
9 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2014.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0605388-43
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0605316-77
11 등록결정서
Decision to grant
2014.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0608625-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
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기재 상에 형성된 음극, 정공 전달층, 발광층, 전자 전달층, 및 양극을 포함하고, 상기 정공 전달층은 질소(N)-도핑된 그래핀 옥사이드, 질소(N)-도핑된 환원된 그래핀 옥사이드, 그래핀 양자점, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하며, 상기 발광층은 그래핀 양자점 및 상기 그래핀 양자점과 화학 또는 물리 결합된 유기 발광 물질을 포함하는, 그래핀 양자점을 이용한 발광 소자를 포함하는 것인, 유기 발광 소자
8 8
제 7 항에 있어서,상기 정공 전달층은 폴리-TPD (Poly-Triphenyldiamine), PEDOT-PSS [Poly(3,4-Ethylene Di Oxy Thiophene)-Poly(Styrene-Sulfonate)], PPV [(poly(p-phenylen vinylene)], PVK [poly(N-vinylcarbazole)], TFB [poly(9,9'-dioctylfluorene-co-N-(4-butylphenyl)diphenyl amine), PFB [poly(9,9-dioctylfluorene-co-bis-N,N'-(4-butylphenyl)-bis-N,N'-phenyl-1,4-phenylenediamin), TBADN (2-tert-butyl-9,10-di-naphthalen-2-yl-anthracene), NPB [N,N'-bis(naphthalene-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine], Spiro-NPB, DMFL-NPB, DPFL-NPB, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 물질, 또는 상기 물질과 그래핀 양자점의 화학 또는 물리 결합에 의해 형성된 물질을 포함하는 것인, 유기 발광 소자
9 9
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10 10
제 7 항에 있어서,상기 정공 전달층은 질소(N)-도핑된 그래핀 옥사이드, 질소(N)-도핑된 환원된 그래핀 옥사이드, 그래핀 양자점, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것과 그래핀 양자점의 화학 또는 물리 결합에 의해 형성된 물질을 포함하는 것인, 유기 발광 소자
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제 7 항에 있어서,상기 전자 전달층은 Alq3 [tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium], TPBi [1,3,5-tris(N-phenylbenzimiazole-2-yl)benzene], PBD [(2-(4-Biphenylyl)-5-(4- tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole)], BCP (2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Balq [bis(2-methyl-8-quinolinolato)(p-phenylphenolato)], OXD7 (1,3-bis(N,N-t-butyl-phenyl)-1,3,4-oxadiazole), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 물질, 또는 상기 물질과 그래핀 양자점의 화학 또는 물리 결합에 의해 형성된 물질을 포함하는 것인, 유기 발광 소자
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제 7 항에 있어서,상기 기재는 유리, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET: polyethyleneterephthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN: polyethylene naphthalate), 또는 폴리이미드 (PI: polyimide) 를 포함하는 것인, 유기 발광 소자
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제 7 항에 있어서, 상기 음극은 그래핀, 인듐-주석-산화물(ITO), Al-도핑된 아연 산화물(AZO), Zn-도핑된 인듐 산화물(IZO), Nb:SrTiO3, Ga-도핑된 ZnO(GZO), Nb-도핑된 TiO2, F-도핑된 주석 산화물(FTO), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 유기 발광 소자
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제 7 항에 있어서, 상기 양극은 그래핀, LiF/Al, CsF/Al, BaF2/Al, LiF/Ca/Al, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 유기 발광 소자
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1 교육과학기술부 성균관대학교 산학협력단 창의적연구지원사업 3단계1/3(7/9) 기능성 분자메모리 연구단