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CZTSSe계 박막을 함유하는 광흡수층 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015143914
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은, Cu2ZnSn(S,Se)4 박막을 함유하는 광흡수층 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01)
출원번호/일자 1020130066136 (2013.06.10)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1465209-0000 (2014.11.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141126) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.06.10)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유지범 대한민국 서울 서초구
2 유성만 대한민국 경기 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0513899-47
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0391267-18
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2014.04.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2014.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2014-0040905-61
5 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0378720-97
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기재 상에 Cu2ZnSnS4 박막을 증착하는 단계;상기 증착된 Cu2ZnSnS4 박막을 열처리하는 단계; 및,상기 열처리된 Cu2ZnSnS4 박막을 셀렌화 처리하는 단계를 포함하는, Cu2ZnSn(S,Se)4-함유 광흡수층의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기재는 유리, 세라믹, 스테인레스 스틸, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, Cu2ZnSn(S,Se)4-함유 광흡수층의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 Cu2ZnSnS4 박막의 증착은 스퍼터링에 의하여 수행되는 것인, Cu2ZnSn(S,Se)4-함유 광흡수층의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 Cu2ZnSnS4 박막의 열처리는 300℃ 내지 500℃의 온도 범위에서 수행되는 것인, Cu2ZnSn(S,Se)4-함유 광흡수층의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 셀렌화 처리는 유기금속화학기상증착법(metal organic chemical vapor depositon, MOCVD)에 의해 수행되는 것인, Cu2ZnSn(S,Se)4-함유 광흡수층의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 셀렌화 처리는 휘발성 유기금속 셀레나이드 소스에 불활성 기체를 주입함으로써 수행되는 것인, Cu2ZnSn(S,Se)4-함유 광흡수층의 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 휘발성 유기금속 셀레나이드 소스는 다이메틸셀레나이드 [Dimethylselenide, (CH3)2Se], 다이에틸다이셀레나이드 [Diethyldiselenide, C2H5SeSeC2H5], 다이페닐셀레나이드 [Diphenylselenide, (C6H5)2Se], 페닐셀레놀 [Phenylselenol, C6H5SeH], 다이에틸셀레나이드 [Diehtylselenide, (C2H5)Se], 다이터셔리부틸셀레나이드 [Ditertiarybutylselenide, (t-C4H9)2Se], 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, Cu2ZnSn(S,Se)4-함유 광흡수층의 제조 방법
8 8
제 6 항에 있어서,상기 불활성 기체는 아르곤, 질소, 수소, 헬륨, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, Cu2ZnSn(S,Se)4-함유 광흡수층의 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 셀렌화 처리 중 공급되는 셀레늄의 양은 휘발성 유기금속 셀레나이드 소스와 불활성 기체의 양에 따라 조절 가능한 것인, Cu2ZnSn(S,Se)4-함유 광흡수층의 제조 방법
10 10
제 1 항에 있어서,상기 셀렌화 처리 정도에 따라 상기 Cu2ZnSn(S,Se)4-함유 광흡수층의 밴드갭을 조절할 수 있는 것인, Cu2ZnSn(S,Se)4-함유 광흡수층의 제조 방법
11 11
Cu2ZnSnS4 박막을 셀렌화 처리하여 형성되는 것인, Cu2ZnSn(S,Se)4-함유 광흡수층
12 12
제 11 항에 있어서,상기 Cu2ZnSn(S,Se)4-함유 광흡수층의 그레인은 400 nm 내지 500 nm의 직경을 가지는 것인, Cu2ZnSn(S,Se)4-함유 광흡수층
13 13
제 11 항에 있어서,상기 Cu2ZnSn(S,Se)4-함유 광흡수층이 800 nm 내지 1,000 nm의 두께를 가지는 것인, Cu2ZnSn(S,Se)4-함유 광흡수층
14 14
제 11 항에 있어서,상기 Cu2ZnSn(S,Se)4-함유 광흡수층이 104 cm-1 내지 105 cm-1의 광흡수계수를 가지는 것인, Cu2ZnSn(S,Se)4-함유광흡수층
15 15
제 11 항에 있어서,상기 셀렌화 처리 정도에 따라 상기 Cu2ZnSn(S,Se)4-함유 광흡수층의 밴드갭을 조절할 수 있는 것인, Cu2ZnSn(S,Se)4를 함유하는 광흡수층
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국가 R&D 정보가 없습니다.