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엉김없이 탄소 나노입자들이 균일하게 코팅된 기판의 제조방법에 있어서,소수성으로 표면개질된 무기 나노입자들이 표면에 분산되어 있는 기판을 준비하는 제1단계; 및소수성으로 표면개질된 탄소 나노입자들을 제1단계의 기판 상에 코팅시키는 제2단계를 포함하는 것으로,상기 소수성으로 표면개질된 탄소나노입자는 물과 혼합시 층분리가 되는 것이 특징인, 기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 소수성으로 표면개질된 무기 나노입자는 소수성 실리콘-탄소 화합물을 기상증착시켜 무기 나노입자의 표면을 소수성으로 표면개질한 것이고, 상기 소수성으로 표면개질된 탄소 나노입자는 소수성 실리콘-탄소 화합물을 기상증착시켜 탄소 나노입자의 표면을 소수성으로 표면개질한 것이 특징인, 기판의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 소수성 실리콘-탄소 화합물은 폴리디메틸실록산, 폴리비닐실록산, 폴리페닐메틸실록산 및 이의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 것이 특징인, 기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 무기 나노입자는 투명성을 가지며, SiO2, ZnO, Al2O3 Na2O, B2O3 또는 이의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 것인, 기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 탄소 나노입자는 싱글-월(single-wall) 탄소나노튜브, 더블-월(double-wall) 탄소나노튜브, 멀티-월(multi-wall) 탄소나노튜브, 그래핀, 그래핀산화물, 그라파이트 및 이의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 것인, 기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 소수성으로 표면개질된 탄소 나노입자들이 엉김없이 균일하게 코팅된 기판은 전도성, 고투과도 및 초발수성을 띠는 것이 특징인, 기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 소수성으로 표면개질된 무기 나노입자들이 표면에 분산되어 있는 기판은 소수성으로 표면개질된 무기 나노입자들을 기판상에 스핀 코팅(spin coating), 분무법(spray method), 드롭 캐스팅(drop casting), 용액 캐스팅(solution casting), 또는 딥 코팅(dip coating)하여 형성된 것이 특징인, 기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 제2단계의 코팅방법은 스핀 코팅(spin coating), 분무법(spray method), 드롭 캐스팅(drop casting), 용액 캐스팅(solution casting), 또는 딥 코팅(dip coating)인 것이 특징인, 기판의 제조방법
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제7항에 있어서, 스핀코팅인 것이 특징인, 기판의 제조방법
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제8항에 있어서, 드롭 캐스팅인 것이 특징인, 기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 유리, 금속산화물, 섬유, 플라스틱 및 고무로 이루어진 군에서 선택된 유연성이 없는 기판인 것인, 기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 PDMS(polydimethylsiloxane), PET(polyethylene terephthalate), PVDF(polyvinylidene fluoride), PES(polyethersulfone), PS(polystyrene), PC(polycarbonate), PI(polyimide), PP(polypropylene), PEN(polyethylene naphthalate), PAR(polyarylate), 아크릴(Acrylic) 또는 이의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 유연성이 있는 기판인 것인, 기판의 제조방법
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15
제1항 내지 제8항, 제10항, 제11항, 제13항 및 제14항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되며,기판;상기 기판 상에 소수성으로 표면개질된 무기 나노입자들이 분산되어 있는 소수성 무기 나노 입자층; 및상기 소수성 무기 나노 입자층 상에 소수성으로 표면개질된 탄소 나노입자들을 코팅한 전도성 탄소 나노 입자층을 포함하는 것인, 탄소 나노입자가 배열된 전도성이 있는 고투과도·초발수성 기판
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