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금속염화물 및 SiO2 전구체를 포함하는 수용액을 고분자 물질에 함침시켜 염화실리케이트계 형광체의 전구체를 수득하고;상기 염화실리케이트계 형광체의 전구체를 질소-함유 분위기 하에서 150℃ 내지 350℃의 온도에서 1 차 열처리한 후 질소-함유 분위기 하에서 500℃ 내지 900℃의 온도에서 2차 열처리를 하여 질화물계 형광체의 전구체를 수득하고;상기 2차 열처리된 질화실리케이트계 형광체의 전구체를 질소-함유 분위기 하에서 900℃ 내지 1800℃ 온도에서 3차 열처리하여 질화물계 형광체 분말을 수득하는 것을 포함하는, 염화실리케이트계 형광체의 질화반응을 이용한 질화물계 형광체 분말의 제조 방법으로서,상기 금속염화물은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 염화물, 전이금속의 염화물, 희토류계 금속의 염화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 염화물을 포함하는 것을 포함하는 것이고,상기 SiO2 전구체는 SiO2 졸, Si(OH)4, SiH4, Si(OC2H5)4 및 수용성 실란으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것이며,상기 고분자 물질이 펄프, 결정화 셀룰로오스, 비결정질 셀룰로오스, 레이온 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것이며,상기 질화물계 형광체 분말이 Al을 추가 포함하는 것인,염화실리케이트계 형광체의 질화반응을 이용한 질화물계 형광체 분말의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 3차 열처리에 있어서 질소-함유 분위기는 질소-함유 기체가 0
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제 1 항에 있어서,상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 염화물은 LiCl, NaCl, KCl, BeCl2, MgCl2, CaCl2, SrCl2, BaCl2, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 염화물을 포함하는 것인, 염화실리케이트계 형광체의 질화반응을 이용한 질화물계 형광체 분말의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속의 염화물은 ScCl3, TiCl4, VCl4, CrCl3, MnCl3, FeCl3, CoCl2, NiCl2, CuCl2, ZnCl2, YCl3, ZrCl4, NbCl5, MoCl5 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 염화물을 포함하는 것인, 염화실리케이트계 형광체의 질화반응을 이용한 질화물계 형광체 분말의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 희토류계 금속의 염화물은 LaCl3, CeCl3, NdCl3, EuCl3, GdCl3, TbCl3, DyCl3, ErCl3, YbCl3, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 염화물을 포함하는 것인, 염화실리케이트계 형광체의 질화반응을 이용한 질화물계 형광체 분말의 제조 방법
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