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기재를 소스가스 및 반응가스를 이용하여 플라즈마 처리하는 것; 및,상기 소스가스 및 상기 반응가스가 상기 기재의 표면에서 반응하여 상기 기재 상에 박막을 형성하는 것을 포함하며,상기 소스가스 및 상기 반응가스의 플라즈마 처리는 하나의 플라즈마 모듈에서 수행되는 것이고,상기 플라즈마 처리는 상기 기재의 전체 또는 일부분을 선택적으로 처리하는 것이며,상기 기재의 전체 또는 일부분을 선택적으로 플라즈마 처리하는 것은 플라즈마 모듈 패턴을 이용하여 상기 기재의 전체 스캔 또는 부분 스캔 방식에 의해 수행되는 것인,초슬림 구조의 박막 증착 방법
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제 1 항에 있어서,상기 소스가스 및 상기 반응가스의 플라즈마 처리는 각각 상기 플라즈마 모듈의 소스부 및 플라즈마부에서 수행되는 것인, 초슬림 구조의 박막 증착 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기재에 증착되지 않고 잔존하는 상기 소스가스 및 상기 반응가스는 배기부에 의해 배기되는 것인, 초슬림 구조의 박막 증착 방법
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제 1 항에 있어서,상기 소스가스는 실리콘, 알루미늄, 아연, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속을 함유하는 전구체 및 불활성 기체를 포함하는 것인, 초슬림 구조의 박막 증착 방법
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제 5 항에 있어서,상기 불활성 기체는 Ar, He, Ne, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 초슬림 구조의 박막 증착 방법
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제 1 항에 있어서,상기 반응가스는 N2, H2, O2, N2O, NH3, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 초슬림 구조의 박막 증착 방법
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제 1 항에 있어서,상기 박막의 두께는 1 nm 내지 1,000 nm인 것인, 초슬림 구조의 박막 증착 방법
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제 1 항에 있어서,상기 박막을 형성하는 것은 화학기상증착 방법 또는 원자층증착 방법을 이용하여 수행되는 것인, 초슬림 구조의 박막 증착 방법
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기재가 로딩되는 기재 로딩부;상기 기재 로딩부에 결합되어 상기 기재를 교번 이동시키는 기재 수송부; 및, 상기 기재 상에 박막을 증착하는 박막 증착부를 포함하며,상기 박막 증착부는 소스 플라즈마를 발생시키는 소스부 및 반응 플라즈마를 발생시키는 플라즈마부를 포함하는 플라즈마 모듈 및 상기 플라즈마 모듈에 인접하여 형성된 배기부를 포함하고,상기 박막 증착부가 교번 이동하거나, 또는 상기 기재 수송부가 상기 기재 로딩부를 교번 이동하여 상기 기재 상에 박막이 증착되는 것이며,상기 박막 증착부는 플라즈마 모듈 패턴을 포함하는 것인,초슬림 구조의 박막 증착 장치
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제 10 항에 있어서,상기 소스부는 일정 간격으로 나열된 홀(hole)을 포함하고, 상기 플라즈마부는 상기 플라즈마부의 전체에 걸쳐 하나의 홀을 포함하는 것인, 초슬림 구조의 박막 증착 장치
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제 10 항에 있어서,상기 플라즈마 모듈 패턴은 상기 소스부 및 상기 플라즈마부의 각각의 홀의 개수 및 간격을 조절하는 것인, 초슬림 구조의 박막 증착 장치
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제 10 항에 있어서,상기 소스부에서 실리콘, 알루미늄, 아연, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속을 함유하는 전구체 및 불활성 기체를 플라즈마 처리하는 것인, 초슬림 구조의 박막 증착 장치
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제 10 항에 있어서,상기 플라즈마부에서 N2, H2, O2, N2O, NH3, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 반응가스를 플라즈마 처리하는 것인, 초슬림 구조의 박막 증착 장치
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