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단일벽 탄소 나노튜브를 이용한 ＳＦ6 ＧＩＳ에서 발생하는부분방전 검출 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015144186
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단일벽 탄소 나노튜브를 이용한 SF6 GIS에서 발생하는 부분방전 검출 장치 및 방법을 개시한다. 상기 검출 장치는, SF6 가스로 충진밀폐된 금속제 외함과, 이 금속제 외함 내에 마련되어 SF6 플라즈마 또는 SF6 가스 해리시 생성된 이온 및 기와 반응하여 전도도 변화에 대응한 신호를 발생시키는 SWNT 센서와, 이 SWNT 센서로부터 발생된 신호를 분석하여 부분방전 여부를 판단하는 신호 분석기를 포함한다. 따라서, SF6 가 충진된 GIS의 운전 중 부분방전에 의해 생성된 SF6 플라즈마 또는 SF6 가스 해리시 생성된 이온 및 기와 SWNT 센서와의 반응에 의해 SWNT 전도도 변화에 대응한 신호를 분석하여 부분방전을 검출한다. 이와 같이, SWNT를 SF6 GIS의 부분방전 검출 센서로 활용함에 따라, GIS의 감시ㆍ진단 기능 및 고장 예측 뿐만 아니라, 고신뢰성의 미소 부분방전 측정으로 GIS의 운전 중 사고발생 방지가 가능하다. 단일벽 탄소 나노튜브, SF6, GIS, 부분방전
Int. CL G01R 31/12 (2011.01) B82Y 15/00 (2011.01)
CPC G01R 31/1272(2013.01) G01R 31/1272(2013.01)
출원번호/일자 1020060002587 (2006.01.10)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0732312-0000 (2007.06.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070625) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.01.10)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백승현 대한민국 경기 수원시 장안구
2 최재붕 대한민국 경기 수원시 장안구
3 김영진 대한민국 경기 수원시 장안구
4 이종철 대한민국 경기 수원시 장안구
5 김윤제 대한민국 경기 수원시 장안구
6 정세훈 대한민국 경기 수원시 장안구
7 오영석 대한민국 경기 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 윤석운 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 라온국제특허법률사무소 (서초동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2006-0016012-77
2 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2006.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0488685-65
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0681795-53
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.01.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0063018-76
5 의견서
Written Opinion		 2007.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0062878-35
6 등록결정서
Decision to grant		 2007.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0286328-80
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2007-0015278-18
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
단일벽 탄소 나노튜브 센서(Single Walled Carbon Nanotube : SWNT 센서)를 GIS(Gas Insulated Switchgear) 외함 내부에 설치하여 부분방전 즉 SF6 플라즈마 또는 SF6 가스 해리시 생성되는 이온 및 기(radical)를 검출하여 부분방전을 감지하는 것을 특징으로 하는 단일벽 탄소 나노튜브를 이용한 SF6 GIS에서 발생하는 부분방전 검출방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 SWNT(Single Walled Carbon Nanotube) 센서는 다수개 마련되는 것을 특징으로 하는 단일벽 탄소 나노튜브를 이용한 SF6 GIS에서 발생하는 부분방전 검출방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 SWNT(Single Walled Carbon Nanotube)는 HipCo(High Pressure Carbon Monoxide) 방법으로 제작된 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 단일벽 탄소 나노튜브를 이용한 SF6 GIS에서 발생하는 부분방전 검출방법
5 5
SF6 GIS에서 발생하는 부분방전을 검출하는 장치에 있어서, 상기 SF6 가스로 충진밀폐된 금속제 외함; 상기 금속제 외함 내에 하나 이상의 개수로 마련되어 내부 부분방전 즉 SF6 플라즈마 또는 SF6 가스 해리시 생성되는 이온 및 기(radical)와 반응하여 전도도가 변화하는 것을 감지하는 SWNT(Single Walled Carbon Nanotube) 센서; 및 상기 외함의 외측에 설치되고 SWNT(Single Walled Carbon Nanotube) 센서와 접속되어 SWNT(Single Walled Carbon Nanotube) 센서로부터 발생된 전도도의 변화를 나타내는 신호를 분석하여 부분방전 여부를 판단하는 신호 분석기; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일벽 탄소 나노튜브를 이용한 SF6 GIS에서 발생하는 부분방전 검출장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.