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탄소나노튜브 전계 방출원의 제조방법으로서, 기판 상부에 Nb 층을 형성하는 단계;Nb 층이 형성된 기판 상부에 귀금속층을 형성하는 단계; 귀금속층이 형성된 기판 상부에 탄소나노튜브를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계 방출원의 제조 방법
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제1항에 있어서, 탄소나노튜브가 형성된 기판을 마이크로웨이브 또는 유도 코일을 사용하여 열처리 하는 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계 방출원의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 열처리 온도는 400℃ 이하인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계 방출원의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 귀금속층은, Au, Ag, Cu 및 이들 중 어느 하나를 포함하는 합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 층인 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계 방출원의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 분산용액에 분산된 탄소나노튜브를 사용하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계 방출원의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 분산용액은 1,2-디클로로에탄, 테트라하이드로퓨란, N-메틸 피롤리돈, 아세톤, 이소프로필 알코올로 이루어진 군에서 선택된 비수계 분산용액인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계 방출원의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 분산용액은, 소듐 도데실설페이트, 데옥시리보핵산의 계면활성제가 포함된 수계 용액인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계 방출원의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 탄소나노튜브의 형성은 에어브러쉬를 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계 방출원의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 ITO 유리 기판인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계 방출원의 제조방법
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기판; 기판 상부에 형성된 Nb층;Nb층 상부에 형성된 귀금속층; 및 귀금속층 상부에 형성된 탄소나노튜브층;을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계방출원
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제11항에 있어서, 상기 기판은 ITO 유리 기판인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계방출원
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제11항에 있어서, 상기 귀금속층은, Au, Ag, Cu 및 이들 중 어느 하나를 포함하는 합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 이루어진 층임을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계방출원
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