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대향 배치되는 양극과 음극;상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 발광층; 및상기 발광층과 상기 음극 사이에 위치하는 제1 계면층을 포함하고,상기 제1 계면층은 하기 화학식 1로 표시되는 메탈로센 화합물을 함유하는 유기발광소자:003c#화학식 1003e#상기 식에서,M은 전이금속이고,R1 내지 R10은 서로에 관계없이 각각 수소, 하이드록시기, 할로겐기 또는 B, Al, Si, O, S, N 및 P로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함할 수 있는 C1~C20의 포화되거나 불포화된 탄화수소기이고,X1 및 X2는 각각 할로겐기이다
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제1항에 있어서,상기 제1 계면층과 상기 음극 사이에 위치하는 제 2 계면층을 더 포함하고,상기 제2 계면층은 상기 화학식 1로 표시되는 메탈로센 화합물을 함유하되, 상기 제1 계면층에 함유된 메탈로센 화합물과는 다른 메탈로센 화합물을 함유하는 유기발광소자
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제1항에 있어서,상기 제1 계면층과 상기 음극 사이에 위치하는 제 3 계면층을 더 포함하고,상기 제3 계면층은 LiF, CsF, Al2O3, NaCl, 알칼리 금속 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 물질을 함유하는 유기발광소자
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제2항에 있어서,상기 제2 계면층과 상기 음극 사이에 위치하는 제 3 계면층을 더 포함하고,상기 제3 계면층은 LiF, CsF, Al2O3, NaCl, 알칼리 금속 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 물질을 함유하는 유기발광소자
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제1항에 있어서,상기 M은 4족 전이금속이고,상기 R1 내지 R10은 서로에 관계없이 각각 수소 또는 C1~C3의 알킬기이고,상기 X1 및 상기 X2는 각각 염소인 유기발광소자
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제1항에 있어서,상기 메탈로센 화합물은 하기 화학식 2, 3 또는 4로 표시되는 화합물인 유기발광소자:003c#화학식 2003e#003c#화학식 3003e#003c#화학식 4003e#
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제1항에 있어서,상기 양극은 인듐 주석 산화물(ITO) 막이고, 상기 발광층은 트리스(8-하이드록시퀴놀리네이토)알루미늄(Alq3) 막이고, 상기 음극은 알루미늄(Al) 막인 유기발광소자
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제1항에 있어서,상기 양극과 상기 발광층 사이에 위치하는 정공수송층을 더 포함하는 유기발광소자
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제8항에 있어서,상기 정공수송층은 N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스(페닐)-벤지딘(TPD) 막인 유기발광소자
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양극이 형성된 기판을 준비하는 단계;상기 양극 상에 발광층을 형성하는 단계;상기 발광층 상에 하기 화학식 1로 표시되는 메탈로센 화합물을 함유하는 제1 계면층을 형성하는 단계; 및상기 제1 계면층 상에 음극을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광소자 제조방법:003c#화학식 1003e#상기 식에서,M은 전이금속이고,R1 내지 R10은 서로에 관계없이 각각 수소, 하이드록시기, 할로겐기 또는 B, Al, Si, O, S, N 및 P로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함할 수 있는 C1~C20의 포화되거나 불포화된 탄화수소기이고,X1 및 X2는 각각 할로겐기이다
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제10항에 있어서,상기 제1 계면층을 형성하는 단계는 열 진공 증착법에 의해 수행하는 것인 유기발광소자 제조방법
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제10항에 있어서,상기 음극을 형성하기 전에, 상기 제1 계면층 상에 제2 계면층을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 제2 계면층은 상기 화학식 1로 표시되는 메탈로센 화합물 함유하되, 상기 제1 계면층에 함유된 메탈로센 화합물과는 다른 메탈로센 화합물을 함유하는 유기발광소자 제조방법
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제12항에 있어서,상기 제2 계면층을 형성하는 단계는 열 진공 증착법에 의해 수행하는 것인 유기발광소자 제조방법
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제10항에 있어서,상기 발광층을 형성하기 전에, 상기 양극 상에 정공수송층을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기발광소자 제조방법
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제10항에 있어서,상기 M은 4족 전이금속이고,상기 R1 내지 R10은 서로에 관계없이 각각 수소 또는 C1~C3의 알킬기이고,상기 X1 및 상기 X2는 각각 염소인 유기발광소자 제조방법
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제10항에 있어서,상기 메탈로센 화합물은 하기 화학식 2, 3 또는 4로 표시되는 것인 유기발광소자 제조방법:003c#화학식 2003e#003c#화학식 3003e#003c#화학식 4003e#
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