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다공성 나노 구조체 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015144442
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다공성 나노구조체 및 그 제조 방법에 대해 개시된다. 개시된 다공성 나노구조체는 나노 와이어 또는 나노 튜브의 표면 및 내부에 공동이 형성된 것으로, 공동이 나노 구조체 내부를 관통하여 형성된 구조의 나노 구조체에 관한 것이다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090121410 (2009.12.08)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1636907-0000 (2016.06.30)
공개번호/일자 10-2011-0064703 (2011.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20160707) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.05.29)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이은경 대한민국 서울특별시 동대문구
2 황동목 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 최병룡 대한민국 서울 서초구
4 우선확 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0758260-90
2 [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서
[Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document		 2009.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-5047134-07
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0511668-06
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.01.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.03.11 수리 (Accepted) 9-1-2015-0015356-53
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0512585-64
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.09.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0948449-75
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0948447-84
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0151966-78
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0297945-52
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.03.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0297949-34
16 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2016.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0264978-32
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노 구조체에 있어서, 상기 나노 구조체의 표면 및 그 표면 내부로 다수 형성된 공동을 포함하며, 상기 공동은 상기 나노 구조체의 내부를 관통하는 관통공이며, 상기 공동은 상기 나노 구조체의 중심부로 연장되어 상기 나노 구조체 내부를 관통하는 다공성 나노 구조체
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 나노 구조체는 나노 튜브 또는 나노 와이어인 다공성 나노 구조체
4 4
제 1항에 있어서, 상기 나노 구조체는 IV족 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 반도체, 산화물 반도체, 질화물 반도체 또는 IV족과 Ⅴ족 원소 중 적어도 하나와 Ⅵ족 원소를 포함하는 다공성 나노 구조체
5 5
제 1항에 있어서, 상기 나노 구조체는 p형 또는 n형 도펀트를 포함하는 다공성 나노 구조체
6 6
나노 구조체 표면에 나노 입자를 부착시키는 단계; 상기 나노 구조체를 산화시켜 상기 나노 구조체 표면에 산화물을 형성하는 단계; 및 상기 산화물 및 상기 나노 입자를 제거하여 공동을 형성하는 단계;를 포함하는 다공성 나노 구조체의 제조 방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 나노 입자는 상기 나노 구조체보다 전기 음성도가 큰 금속 물질인 다공성 나노 구조체의 제조 방법
8 8
제 6항에 있어서, 상기 나노 구조체는 실리콘으로 형성된 것이며, 상기 나노 입자는 Ag, Au, Pt 또는 Cu로 형성된 다공성 나노 구조체의 제조 방법
9 9
제 6항에 있어서, 상기 나노 구조체는 실리콘으로 형성된 것이며, 상기 나노 구조체는 H2O2, K2Cr2O7 또는 KMnO4 에 의해 산화시키는 다공성 나노 구조체의 제조 방법
10 10
제 6항에 있어서, 상기 나노 구조체에 나노 입자를 부착시키는 단계는, 상기 나노 입자의 전구체와 불산계가 혼합된 수용액에 상기 나노 구조체를 담그어 상기 나노 구조체 표면에 부착된 상기 나노 입자를 형성하는 다공성 나노 구조체의 제조 방법
11 11
제 6항에 있어서, 상기 나노 구조체에 나노 입자를 부착시키는 단계는, 상기 나노 구조체 표면의 산화막을 제거하는 단계; 상기 나노 구조체 표면에 상기 나노 구조체와 화합물을 형성하는 나노 입자를 부착시키는 단계;를 포함하는 다공성 나노 구조체의 제조 방법
12 12
제 11항에 있어서, 상기 나노 구조체는 H2O 가스를 이용하는 습식 산화 또는 O2를 이용한 건식 산화 공정에 의해 산화시키는 다공성 나노 구조체의 제조 방법
13 13
제 12항에 있어서, 상기 습식 산화 또는 상기 건식 산화 공정은 섭씨 600도 내지 1100도에서 이루어지는 다공성 나노 구조체의 제조 방법
14 14
제 11항에 있어서, 상기 나노 구조체는 실리콘으로 형성되며, 상기 나노 입자는 상기 나노 구조체와 금속 실리사이드를 형성하는 다공성 나노 구조체의 제조 방법
15 15
제 6항에 있어서, 상기 나노 와이어는 IV족 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 반도체, 산화물 반도체, 질화물 반도체 또는 IV족과 Ⅴ족 원소 중 적어도 하나와 Ⅵ족 원소를 포함하는 다공성 나노 구조체의 제조 방법
16 16
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1 US09181091 US 미국 FAMILY
2 US20110133153 US 미국 FAMILY

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1 US2011133153 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9181091 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.