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탄소나노튜브 소자 어레이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015144557
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 탄소나노튜브 소자 어레이의 제조방법이 개시된다. 개시된 탄소나노튜브 소자 어레이의 제조방법은 포토리소그라피 공정을 이용하여 촉매 패턴들을 형성하고, 이 촉매패턴들로부터 탄소나노튜브를 성장시킨 다음, 이렇게 성장된 탄소나노튜브 상에 전극들을 형성한다.
Int. CL B82B 3/00 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01)
출원번호/일자 1020090042192 (2009.05.14)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1603774-0000 (2016.03.09)
공개번호/일자 10-2010-0123144 (2010.11.24) 문서열기
공고번호/일자 (20160315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.05.14)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김언정 대한민국 부산광역시 금정구
2 이은홍 대한민국 경기도 안양시 동안구
3 이영희 대한민국 경기도 수원시 권선구
4 이일하 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0290123-00
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0453932-16
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2015-0002998-40
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0579364-84
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.10.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1034802-86
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-1034801-30
12 등록결정서
Decision to grant		 2015.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0861083-42
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 산화물층을 형성하는 단계; 포토리소그라피(photolithography) 공정에 의해 상기 산화물층 상에 복수의 촉매 패턴을 형성하는 단계; 상기 산화물층 상에 상기 촉매 패턴들 각각에 대응하여 적어도 하나의 탄소나노튜브를 성장시키는 단계; 상기 촉매 패턴들 각각에 대응하여 성장된 적어도 하나의 탄소나노튜브 상에 복수의 전극을 형성함으로써 복수의 탄소나노튜브 소자 어레이를 형성하는 단계; 및 상기 탄소나노튜브 소자들을 구성하지 않고 상기 산화물층 상에 남아있는 탄소나노튜브를 제거하는 단계;를 포함하고, 상기 복수의 전극은 포토리소그라피 공정에 의해 형성되며, 상기 복수의 전극을 형성하는 단계는, 상기 산화물층 상에 상기 탄소나노튜브들을 덮도록 포토레지스트를 형성하는 단계; 상기 포토레지스트를 노광 현상하여 상기 산화물층 및 탄소나노튜브를 노출시키는 전극 형상의 관통공들을 형성하는 단계; 상기 관통공들을 채우도록 상기 현상된 포토레지스트 상에 소정의 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트를 제거하는 단계;를 포함하는 탄소나노튜브 소자 어레이의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘으로 이루어지며, 상기 산화물층은 실리콘 산화물로 이루어지는 탄소나노튜브 소자 어레이의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 산화물층 상에는 적어도 하나의 얼라인 마커(align marker)가 형성되어 있는 탄소나노튜브 소자 어레이의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 복수의 촉매 패턴을 형성하는 단계는, 상기 산화물층 상에 촉매 금속층을 형성하는 단계; 상기 촉매 금속층 상에 포토레지스트를 형성한 다음, 상기 포토레지스트를 노광 현상하는 단계; 상기 현상된 포토레지스트를 이용하여 상기 촉매 금속층을 식각함으로써 상기 복수의 촉매 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트를 제거하는 단계;를 포함하는 탄소나노튜브 소자 어레이의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 복수의 촉매 패턴을 형성하는 단계는, 상기 산화물층 상에 포토레지스트를 도포하는 단계; 상기 포토레지스트를 노광 현상하여 상기 산화물층을 노출시키는 촉매 패턴 형상의 관통공들을 형성하는 단계; 상기 현상된 포토레지스트가 형성된 산화물층을 촉매 금속이 용해되어 있는 용액에 담구었다가 빼는 단계; 및 상기 포토레지스트를 제거하는 단계;를 포함하는 탄소나노튜브 소자 어레이의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 복수의 촉매 패턴을 형성하는 단계는, 상기 산화물층 상에 촉매 금속과 포토레지스트를 혼합한 용액을 도포하여 촉매 레지스트층을 형성하는 단계; 상기 촉매 레지스트층을 노광 현상하는 단계; 및 상기 포토레지스트를 제거하는 단계;를 포함하는 탄소나노튜브 소자 어레이의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 화학기상증착법(CVD; chemical vapor deposition)에 의해 성장되는 탄소나노튜브 소자 어레이의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 단일벽(single wall) 탄소나노튜브를 포함하는 탄소나노튜브 소자 어레이의 제조방법
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 상기 산화물층의 표면에 나란한 방향으로 성장하는 탄소나노튜브 소자 어레이의 제조방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 소자들 각각은 서로 이격되게 배치되는 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 전극과 제2 전극을 연결하는 탄소나노튜브를 포함하는 탄소나노튜브 소자 어레이의 제조방법
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
제 1 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브를 제거하는 단계는, 상기 탄소나노튜브 소자들을 덮도록 상기 산화물층 상에 포토레지스트를 형성하는 단계; 상기 포토레지스트를 노광 현상하는 단계; 상기 현상된 포토레지스트를 보호막으로 이용하여 상기 탄소나노튜브 소자들 주변에 남아있는 탄소나노튜브를 제거하는 단계; 및 상기 포토레지스트를 제거하는 단계;를 포함하는 탄소나노튜브 소자 어레이의 제조방법
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브의 제거는 플라즈마 에칭(plasma etching) 또는 이온 밀링(ion milling)에 의해 수행되는 탄소나노튜브 소자 어레이의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02251302 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 US08492076 US 미국 FAMILY
3 US20100291486 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2251302 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 US2010291486 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US8492076 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.