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신축성 있는 박막트랜지스터 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015144703
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 신축성 있는 박막트랜지스터가 개시된다. 박막트랜지스터는 신축성 있는 기판, 그래핀 전극들, 무기 산화물 절연막 및 탄소나노튜브 채널을 구비한다. 그래핀 전극들은 기판 상부에 배치되고, 게이트 전극과 이를 사이에 두고 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 구비한다. 무기 산화물 절연막은 게이트 전극을 덮고, 주름이 형성되어 있다. 탄소나노튜브 채널은 무기 산화물 절연막 상부에 배치되고, 소스 전극 및 드레인 전극과 전기적으로 접촉한다. 이러한 박막트랜지스터는 높은 수준으로 신축될 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/42384(2013.01) H01L 29/42384(2013.01) H01L 29/42384(2013.01) H01L 29/42384(2013.01) H01L 29/42384(2013.01)
출원번호/일자 1020130001384 (2013.01.07)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1394506-0000 (2014.05.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140513) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.01.07)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이영희 대한민국 경기도 수원시 권선구
2 채상훈 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0012370-45
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.08.27 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0084870-36
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0828466-37
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-1165570-47
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.12.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1165569-01
7 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2014.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0193228-59
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0295108-95
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
신축성 있는 기판;상기 기판 상부에 배치되고, 그래핀으로 형성되며, 게이트 전극과 상기 게이트 전극을 사이에 두고 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 그래핀 전극들;상기 게이트 전극을 덮고, 주름이 형성된 무기 산화물 절연막; 및상기 무기 산화물 절연막 상부에 배치되고, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 전기적으로 접촉하며, 탄소나노튜브로 형성된 채널을 포함하는 박막트랜지스터
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판은 투명한 PMMS 기판인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
3 3
제1항에 있어서, 상기 게이트 전극은,상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 위치하고, 상기 무기 산화물 절연막에 의해 덮힌 제1 부분; 및상기 제1 부분과 연결되고, 상기 무기 산화물 절연막에 의해 노출된 제2 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
4 4
제1항에 있어서, 상기 무기 산화물 절연막은 산화알루미늄 절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
5 5
제1항에 있어서, 상기 무기 산화물 절연막의 주름은 랜덤하게 또는 규칙적으로 형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
6 6
제5항에 있어서, 상기 무기 산화물 절연막과 상기 게이트 전극 사이에는 에어갭(air gap)이 형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
7 7
제5항에 있어서, 상기 주름은 제1 방향 및 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 웨이브진 구조를 가진 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
8 8
제1항에 있어서, 상기 채널은 네트워크 구조의 단일벽 탄소나노튜브(SWCNT)로 형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
9 9
신축성 있는 기판;상기 기판 상부에 배치되고, 탄소나노튜브로 형성된 채널;상기 채널 및 상기 기판 상부에 배치되고, 상기 채널 중 제1 방향에 대한 양쪽 단부를 노출시키며, 주름이 형성된 무기 산화물 절연막; 상기 무기 산화물 절연막 상부에 형성된 게이트 전극과 상기 게이트 전극을 사이에 두고 서로 이격되고 상기 노출된 채널 단부에 각각 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하고, 그래핀으로 형성된 그래핀 전극들을 포함하는 박막트랜지스터
10 10
제9항에 있어서, 상기 무기 산화물 절연막의 주름은 랜덤하게 또는 규칙적으로 형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
11 11
제10항에 있어서, 상기 주름은 제1 방향 및 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 웨이브진 구조를 가진 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
12 12
제9항에 있어서, 상기 무기 산화물 절연막과 상기 게이트 전극 사이에는 에어갭(air gap)이 형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
13 13
제1 기판 상부에 희생막을 형성하는 단계; 상기 희생막 상부에 신축성 있는 제1 고분자막을 형성하는 단계; 상기 제1 고분자막 상부에 게이트 전극과 상기 게이트 전극을 사이에 두고 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 그래핀 전극들을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극을 덮고, 주름이 형성된 무기 산화물 절연막을 형성하는 단계;상기 무기 산화물 절연막 상부를 가로질러 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 전기적으로 접촉하는 탄소나노튜브 채널을 형성하는 단계;상기 희생막을 제거하는 단계; 및상부에 상기 그래핀 전극들, 상기 무기 산화물 절연막 및 상기 탄소나노튜브 채널이 부착된 상기 제1 고분자막을 타겟 기판에 부착하는 단계를 포함하는 박막트랜지스터의 제조방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 희생막은 상기 제1 기판 상부에 알루미늄을 증착함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
15 15
제13항에 있어서, 상기 그래핀 전극들을 형성하는 단계는,구리 포일 위에 성장된 그래핀을 상기 제1 고분자막 상부로 전사하는 단계; 및상기 전사된 그래핀을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
16 16
제13항에 있어서, 상기 무기 산화물 절연막을 형성하는 단계는,표면에 일정한 패턴이 형성된 제2 기판 상부에 무기 산화물을 증착하여 무기 산화물막을 형성하는 단계;상기 무기 산화물막의 가장자리를 고분자 수지로 코팅하는 단계;상기 고분자 수지로 코팅된 상기 무기 산화물막을 상기 그래핀 전극들이 형성된 상기 제1 고분자막 상부로 전사하는 단계; 상기 코팅된 고분자 수지를 제거하는 단계; 및상기 무기 산화물막을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
17 17
제16항에 있어서, 상기 무기 산화물막은 원자층증착방법을 통하여 산화알루미늄을 증착함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
18 18
제16항에 있어서, 상기 제2 기판은 표면에 랜덤한 또는 규칙적인 패턴이 형성된 구리(Cu) 기판을 포함하고, 상기 제2 기판은 상기 무기 산화물막을 상기 제1 고분자막 상부로 전사하기 전에 구리 에천트를 이용하여 제거되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법
19 19
제16항에 있어서, 상기 무기 산화물막은 50 내지 100 nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
20 20
제13항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 채널을 형성하는 단계는,웨이퍼 상에 네트워크 구조의 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;상기 탄소나노튜브 상부에 고분자 수지를 코팅하는 단계;상기 웨이퍼로부터 상기 고분자 수지가 코팅된 상기 탄소나노튜브를 분리하는 단계;상기 분리된 탄소나노튜브를 상기 무기 산화물 절연막이 형성된 상기 제1 고분자막 상부에 전사하는 단계; 상기 코팅된 고분자 수지를 제거하는 단계; 및 상기 전사된 탄소나노튜브를 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
21 21
제1 기판 상부에 희생막을 형성하는 단계; 상기 희생막 상부에 신축성 있는 제1 고분자막을 형성하는 단계; 상기 제1 고분자막 상부에 탄소나노튜브 채널을 형성하는 단계;상기 탄소나노튜브 채널을 덮고, 주름이 형성된 무기 산화물 절연막을 형성하는 단계;상기 무기 산화물 절연막 상부에 위치한 게이트 전극, 상기 게이트 전극을 사이에 두고 서로 이격되고 상기 탄소나노튜브 채널과 전기적으로 연결된 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 그래핀 전극들을 형성하는 단계; 상기 희생막을 제거하는 단계; 및상부에 상기 탄소나노튜브 채널, 상기 무기 산화물 절연막 및 상기 그래핀 전극들이 부착된 상기 제1 고분자막을 타겟 기판에 부착하는 단계를 포함하는 박막트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 성균관대학교 산학협력단 세계수준의 연구중심대학육성사업 신개념융복합에너지과학
2 지식경제부 성균관대학교 산학협력단 지식경제 기술혁신사업 고효율 배터리 및 열전소자 에너지변환 고급트랙
3 교육과학기술부 성균관대학교 산학협력단 미공군협력사업 대면적 그래핀 합성 및 응용