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반도체형 가스 센서 및 그의 제조방법

기술번호 : KST2015145371
담당센터 : 경기기술혁신센터
전화번호 : 031-8006-1570

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명에 따른 반도체형 가스 센서는 적외선 발광부, 적외선 발광부의 온도를 측정하기 위한 적외선 온도 측정부 및 적외선 발광부로부터 방출된 적외선을 수광하기 위한 적어도 하나 이상의 적외선 수광부를 포함하되, 적외선 온도 측정부 및 적외선 수광부의 감지 물질은 산화 바나듐으로 서로 동일하며, 상기 적외선 수광부의 감지 물질 상부에 적외선 흡수층이 형성되는 것을 특징으로 한다. 또한, 반도체형 가스 센서의 제조공정은 저 스트레스 실리콘 질화막 또는 ONO막이 형성된 기판상에 적외선 발광부를 형성하는 단계, 상기 적외선 발광부가 형성된 기판상에 적외선 온도 측정부 및 적외선 수광부의 감지 물질인 산화 바나듐을 증착한 후, 패터닝하는 단계, 기판의 전면에 보호층을 형성하는 단계, 보호층을 식각하여 적외선 발광부, 적외선 온도 측정부 및 적외선 수광부에 각각 콘택홀을 형성하는 단계, 기판의 전면에 전극 물질을 증착한 후 패터닝하여 전극 배선 및 전극 패드를 형성하는 단계, 적외선 수광부에 절연층 및 적외선 흡수층을 형성하는 단계, 적외선 발광부, 적외선 온도 측정부 및 적외선 수광부가 형성된 영역의 기판 후면을 식각하여 적어도 하나 이상의 멤브레인막을 형성하는 단계를 포함한다. 가스 센서, 산화 바나듐, 적외선 발광부, 적외선 수광부
Int. CL	G01N 21/00 (2014.01) G01N 21/35 (2014.01) G01N 21/3504 (2014.01)
CPC	G01N 21/00(2013.01) G01N 21/00(2013.01) G01N 21/00(2013.01) G01N 21/00(2013.01) G01N 21/00(2013.01)
출원번호/일자	1020070068357 (2007.07.06)
출원인	전자부품연구원, 경기도
등록번호/일자	10-0916929-0000 (2009.09.04)
공개번호/일자	10-2009-0004274 (2009.01.12) 문서열기
공고번호/일자	(20090915) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항	심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2007.07.06)
심사청구항수	7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국전자기술연구원	대한민국	경기도 성남시 분당구
2	경기도	대한민국	경기도 수원시 팔달구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	홍성민	대한민국	경기 용인시 수지구
2	황학인	대한민국	서울특별시 성북구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	서천석	대한민국	서울특별시 서초구 서초중앙로길 , *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	경기도	대한민국	경기도 수원시 팔달구
2	전자부품연구원	대한민국	경기도 성남시 분당구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2007.07.06	수리 (Accepted)	1-1-2007-0496137-34
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2008.06.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2008.07.15	수리 (Accepted)	9-1-2008-0043145-96
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2008.07.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0402071-75
5	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2008.09.30	수리 (Accepted)	1-1-2008-0687539-44
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2008.10.28	수리 (Accepted)	1-1-2008-0745878-56
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2008.10.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0745870-92
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.11.06	수리 (Accepted)	4-1-2008-5176113-43
9	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2009.02.09	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0059236-99
10	명세서 등 보정서(심사전치) Amendment to Description, etc(Reexamination)	2009.04.13	보정승인 (Acceptance of amendment)	7-1-2009-0017449-82
11	최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal	2009.05.06	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0192389-07
12	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2009.05.20	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2009-0302430-38
13	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2009.05.20	수리 (Accepted)	1-1-2009-0302453-88
14	등록결정서 Decision to grant	2009.06.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0241457-42
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.04.17	수리 (Accepted)	4-1-2013-0013766-37
16	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.08.24	수리 (Accepted)	4-1-2020-5189497-57

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 적외선 발광부; 상기 적외선 발광부의 온도를 측정하기 위한 적외선 온도 측정부; 및 상기 적외선 발광부로부터 방출된 적외선을 수광하기 위한 적어도 하나 이상의 적외선 수광부를 포함하되, 상기 적외선 발광부, 적외선 온도 측정부 및 적외선 수광부는 동일 평면의 멤브레인막 상에 형성되고, 상기 적외선 온도 측정부 및 상기 적외선 수광부의 감지 물질은 산화바나듐으로 서로 동일하며, 상기 적외선 수광부의 감지 물질 상부에 적외선 흡수층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체형 가스 센서
2	2 적외선 발광부; 상기 적외선 발광부의 온도를 측정하기 위한 적외선 온도 측정부; 상기 적외선 발광부로부터 방출된 적외선을 수광하기 위한 적어도 하나 이상의 적외선 수광부; 및 전체의 온도를 측정하기 위한 센서 온도 측정부를 포함하되, 상기 적외선 발광부, 적외선 온도 측정부, 적외선 수광부 및 센서 온도 측정부는 동일 평면의 멤브레인막 상에 형성되고, 상기 적외선 온도 측정부, 상기 적외선 수광부 및 상기 센서 온도 측정부의 감지물질은 산화 바나듐으로 서로 동일하며, 상기 적외선 수광부의 감지 물질 상부에 적외선 흡수층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 가스 센서
3	3 삭제
4	4 삭제
5	5 삭제
6	6 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 멤브레인막은 저 스트레스 실리콘 질화막 또는 ONO막 중 어느 하나인 반도체형 가스 센서
7	7 제 6 항에 있어서, 상기 적외선 발광부와 상기 적외선 온도 측정부 사이의 간격은 0㎛ 초과 100 ㎛ 이하인 반도체형 가스 센서
8	8 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 적외선 온도 측정부, 상기 적외선 수광부 및 상기 센서 온도 측정부의 전극은 금(Au), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 티탄나이트라이드(TiN), 텅스텐(W), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir) 및 구리(Cu) 중 적어도 어느 하나로 형성된 반도체형 가스 센서
9	9 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 적외선 발광부의 발광 물질은 백금(Pt) 또는 금(Au) 중 어느 하나로 형성된 반도체형 가스 센서
10	10 제 9 항에 있어서, 상기 적외선 발광부의 전극은 금(Au), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 티탄나이트라이드(TiN), 텅스텐(W), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir) 및 구리(Cu) 중 적어도 어느 하나로 형성된 반도체형 가스 센서
11	11 삭제
12	12 삭제
13	13 삭제

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0916929-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20070706 출원 번호 : 1020070068357 공고 연월일 : 20090915 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20090604 청구범위의 항수 : 7 유별 : G01N 21/35 발명의 명칭 : 반도체형 가스 센서 및 그의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20160905

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 경기도 경기도 수원시 팔달구...
1	(권리자) 전자부품연구원 경기도 성남시 분당구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	318,000 원	2009년 09월 07일	납입
제 4 년분	금 액	194,000 원	2012년 07월 11일	납입
제 5 년분	금 액	194,000 원	2013년 06월 21일	납입
제 6 년분	금 액	228,920 원	2015년 03월 03일	납입
제 7 년분	금 액	366,000 원	2015년 08월 03일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2007.07.06	수리 (Accepted)	1-1-2007-0496137-34
2	선행기술조사의뢰서	2008.06.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2008.07.15	수리 (Accepted)	9-1-2008-0043145-96
4	의견제출통지서	2008.07.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0402071-75
5	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2008.09.30	수리 (Accepted)	1-1-2008-0687539-44
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2008.10.28	수리 (Accepted)	1-1-2008-0745878-56
7	[명세서등 보정]보정서	2008.10.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0745870-92
8	출원인정보변경(경정)신고서	2008.11.06	수리 (Accepted)	4-1-2008-5176113-43
9	거절결정서	2009.02.09	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0059236-99
10	명세서 등 보정서(심사전치)	2009.04.13	보정승인 (Acceptance of amendment)	7-1-2009-0017449-82
11	최후의견제출통지서	2009.05.06	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0192389-07
12	[명세서등 보정]보정서	2009.05.20	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2009-0302430-38
13	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2009.05.20	수리 (Accepted)	1-1-2009-0302453-88
14	등록결정서	2009.06.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0241457-42
15	출원인정보변경(경정)신고서	2013.04.17	수리 (Accepted)	4-1-2013-0013766-37
16	출원인정보변경(경정)신고서	2020.08.24	수리 (Accepted)	4-1-2020-5189497-57

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[KST2015146583][한국전자기술연구원]	광학식 가스센서	새창보기
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번호	심판번호(숫자)	심판번호(문자)	사건의표시	청구일	심결일자
1	2009101002291	2009원2291	2007년 특허출원 제0068357호 거절결정불복심판	2009.03.12	2009.03.12
2	2009101002292	2009원2292	2007년 특허출원 제0068357호 거절결정불복심판	2009.03.12	2009.06.04

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