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제1 지지대와 제1 구면좌로 연결되고, 방사능에 오염된 파이프의 일단을 지지하는 고정 누름판과,슬라이더와 제2 구면좌로 연결되고, 상기 파이프의 타단과 접하는 이동 누름판과,일단부가 상기 슬라이더와 회전짝으로 결합되고, 외주면에 숫나사가 형성된 가동 샤프트와,암나사가 형성되어 상기 가동 샤프트를 안내하는 제2 지지대와,상기 가동 샤프트를 회전시키도록 상기 가동 샤프트의 타단부에 결합된 핸들과, 상기 슬라이더의 양 단부를 각각 안내하는 가이드를 구비하여 상기 파이프를 위치고정시키는 바이스부; 및상기 위치고정된 파이프를 길이방향으로 2등분하는 절단부를 포함하는 방사능에 오염된 파이프의 절단장치
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제1항에 있어서,상기 파이프를 일정 높이의 위치로 안착시키는 파이프 받침대와, 상기 파이프가 이탈되는 것을 방지하기 위한 클램프가 더 구비된 것을 특징으로 하는 방사능에 오염된 파이프의 절단장치
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제2항에 있어서, 상기 가이드는,상기 파이프 받침대의 일단부를 안내하고, 상기 슬라이더의 일단부를 안내하는 슬라이더 가이드와,상기 파이프 받침대의 타단부를 안내하고, 상기 슬라이더의 타단부를 안내하는 받침대 가이드인 것을 특징으로 하는 방사능이 오염된 파이프의 절단장치
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제3항에 있어서,큰 내경을 지닌 파이프의 내경과 거의 동일한 외경을 지니고, 구면좌가 형성된 원형 블록(60)과,상기 파이프의 타단부에 삽입되어 지지되도록 상기 원형 블록의 전면에 형성되고, 상기 원형 블록의 구면좌와 대응된 구면좌를 구비하여 임의의 각도로 회전 가능한 원형 누름판과,상기 원형 블록의 후면 상측부에 편심되게 형성된 볼트 삽입공의 암나사에 치합되는 볼트 및상기 볼트를 체결하는 로크너트를 포함한 제1 치구가 더 구비되고,상기 제1 치구는 상기 파이프의 길이가 상기 파이프 받침대보다 짧을 경우에 사용하는 것을 특징으로 하는 방사능이 오염된 파이프의 절단장치
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제3항에 있어서,작은 내경을 지닌 파이프의 내경과 거의 동일한 외경을 지니고, 구면좌가 형성된 원형 블록과,상기 파이프의 타단부에 삽입되어 지지되도록 상기 원형 블록의 전면에 형성되고, 상기 원형 블록의 구면좌와 대응된 구면좌를 구비하여 임의의 각도로 회전 가능한 원형 누름판과,상기 원형 블록의 중심축에 형성된 볼트 삽입공의 암나사에 치합되는 볼트나사 및상기 볼트를 체결하는 로크너트를 포함하는 제2 치구가 더 구비되고,상기 제2 치구는 상기 파이프의 길이가 상기 파이프 받침대보다 짧을 경우 사용되는 것을 특징으로 하는 방사능이 오염된 파이프의 절단장치
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6
제1항에 있어서, 상기 절단부는,상기 파이프의 길이방향과 평행하도록 일정 간격으로 배치되는 한 쌍의 레일과,상기 한 쌍의 레일에 의해 각각 안내되는 가동블록과,상기 한 쌍의 레일 사이에 배치되고, 양 단부가 제1 및 제2 블록에 의해 각각 지지되어 제1 모터에 의해 회전하는 볼스크류와,상기 볼스크류에 끼워지고, 상기 가동블록에 고정된 볼스크류 너트와,상기 파이프의 길이방향과 직각을 이루도록 상기 가동블록에 고정된 스핀들 허브와,상기 스핀들 허브에 삽입되어 베어링에 의해 지지되고, 제2 모터에 의해 회전하는 스핀들과,상기 스핀들의 일단부에 체결되어 상기 파이프를 절삭가공하는 평 커터를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사능이 오염된 파이프의 절단장치
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7
제6항에 있어서, 절삭제가 저장된 절삭제 탱크와, 상기 절삭제 탱크와 연결되어 상기 평 커터에 절삭제를 공급하는 튜브가 더 구비된 것을 특징으로 하는 방사능이 오염된 파이프의 절단장치
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8
제6항에 있어서,상기 제1 및 제2 모터를 제어하도록 상기 평 커터의 위치를 검출하는 리미트스위치가 더 구비된 것을 특징으로 하는 방사능이 오염된 파이프의 절단장치
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삭제
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방사능에 오염된 파이프를 수거하여 길이방향의 수직으로 절단하는 단계(S100);상기 절단된 파이프를 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 절단장치의 바이스부에 위치고정시키는 단계(S200);상기 절단장치의 절단부가 상기 파이프의 길이방향으로 이동하면서 상기 파이프의 상단부를 절삭가공하는 단계(S300);상기 상단부가 절삭가공된 파이프(P)를 180°회전시켜 상기 바이스부에 위치고정시키는 단계(S400); 및상기 절단부가 상기 파이프(P)의 하단부를 절삭가공하여 상기 파이프를 2등분하는 단계(S500);상기 2등분된 파이프를 평판화 가공장치를 이용하여 평판화시키는 단계(S600);상기 평판화된 파이프를 제염하는 단계(S700); 및상기 제염된 파이프에 대해 오염검사를 하는 단계(S800)를 포함하되,상기 단계(S600)의 평판화 가공장치는,유압프레스 본체와,상기 본체 내부에 구비되는 유압 램과,상기 유압 램에 유압을 제공하는 유압펌프를 포함하고,2등분된 파이프가 상기 유압 램의 상단에 위치한 가압 플레이트와 상기 본체의 상면과의 사이에서 압력에 의해 평판화되는 것을 특징으로 하는 방사능이 오염된 파이프의 처리방법
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