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ＲＦ 플라즈마를 이용한 탄탈륨 분말의 정련방법 및 그 방법에 따라 제조된 고순도의 탄탈륨 분말

  • 기술번호 : KST2015148990
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄탈륨 소재의 내부에 수소를 취화시켜서 소재의 취성을 증가시키는 제1단계; 상기 수소가 취화된 탄탈륨 소재를 분쇄하여 탄탈륨 분말을 형성하는 제2단계; 상기 탄탈륨 분말을 RF 플라즈마 공정으로 처리하는 제3단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.이러한 본 발명에 의하면, 입자가 구상화되고 HDH 공정 중에 취화된 수소가 제거되어 고순도로 정련된 탄탈륨 분말을 효율적으로 제조할 수 있게 된다.
Int. CL B22F 9/04 (2006.01) B22F 9/20 (2006.01) B22F 1/00 (2006.01) B22F 9/14 (2006.01)
CPC B22F 9/14(2013.01) B22F 9/14(2013.01) B22F 9/14(2013.01) B22F 9/14(2013.01) B22F 9/14(2013.01)
출원번호/일자 1020100031768 (2010.04.07)
출원인 한국생산기술연구원, 희성금속 주식회사
등록번호/일자 10-1190270-0000 (2012.10.05)
공개번호/일자 10-2011-0112591 (2011.10.13) 문서열기
공고번호/일자 (20121012) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.07)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 엘티메탈 주식회사 대한민국 인천광역시 서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임성철 대한민국 서울특별시 양천구
2 이상민 대한민국 부산광역시 금정구
3 권혁천 대한민국 서울특별시 양천구
4 최한신 대한민국 인천광역시 연수구
5 김경훈 대한민국 대전광역시 유성구
6 김영석 대한민국 서울특별시 강동구
7 양승호 대한민국 경기도 광명시 사성로**번길
8 홍길수 대한민국 경기도 부천시 원미구
9 강문수 대한민국 인천광역시 연수구
10 김현민 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
11 임용덕 대한민국 인천광역시 연수구
12 윤원규 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인명인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층(역삼동, 두원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
2 엘티메탈 주식회사 인천광역시 서구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0221035-08
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0233726-64
3 보정요구서
Request for Amendment		 2010.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0034838-05
4 보정요구서
Request for Amendment		 2010.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0035132-58
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0287823-94
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2011-5035841-38
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.09.16 수리 (Accepted) 9-1-2011-0074146-40
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0011559-11
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0181931-33
12 보정요구서
Request for Amendment		 2012.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0026893-32
13 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0208795-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.04.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0276468-00
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0276467-54
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
18 등록결정서
Decision to grant		 2012.09.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0544076-16
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014723-10
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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탄탈륨 소재의 내부에 수소를 취화시켜서 소재의 취성을 증가시키는 제1단계;상기 수소가 취화된 탄탈륨 소재를 분쇄하여 탄탈륨 분말을 형성하는 제2단계;상기 탄탈륨 분말을 RF 플라즈마 공정으로 처리하는 제3단계;를 포함하고,상기 제2단계에서 형성된 탄탈륨 분말은 25 ~ 100㎛의 입도 범위로 이루어지고,상기 제1단계에서 탄탈륨 소재의 내부에 수소를 취화시키기 전에, 탄탈륨 소재를 수소 분위기에서 열처리하여 탄탈륨 소재의 산화막을 제거하며,상기 제1단계에서 탄탈륨 소재의 내부에 수소를 취화시키는 공정은, 탄탈륨 소재를 수소 분위기 및 600 ~ 800℃ 온도에서 일정시간 동안 유지하는 제1-1단계;탄탈륨 소재의 온도를 500 ~ 600℃ 이하로 하강시키는 제1-2단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 RF 플라즈마를 이용한 탄탈륨 분말의 정련방법
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상기 제1항에 기재된 정련방법에 의해 제조되어, 입자가 구상화되고, 취화된 수소가 제거된 고순도의 탄탈륨 분말
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.