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탄화규소 나노분말 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015149445
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리카(SiO2:이산화규소) 분말과 활성 카본(C) 분말을 혼합하는 혼합 단계, SiO2 분말과 활성 카본 분말의 혼합물을 가열하여 SiC 증기와 CO 증기를 발생시키는 가열 단계 및 CO를 배출하며 SiC 증기를 냉각하여 증착시키는 증착 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 나노 분말의 제조 방법을 제공한다. 탄화규소, 이산화규소, 산화규소, 증착
Int. CL C01B 31/36 (2006.01) C04B 35/565 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01B 32/97(2013.01) C01B 32/97(2013.01)
출원번호/일자 1020090060588 (2009.07.03)
출원인 한국생산기술연구원, 주식회사 코닉글로리
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0003012 (2011.01.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.03)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 주식회사 코닉글로리 대한민국 서울특별시 강남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조명제 대한민국 서울특별시 서초구
2 고영주 대한민국 서울특별시 서초구
3 김휘준 대한민국 경기 용인시 수지구
4 배정찬 대한민국 광주 북구
5 김하림 대한민국 인천광역시 계양구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이광연 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 ** (역삼동) 뉴서울빌딩 ***호(리앤김국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0407068-97
2 보정요구서
Request for Amendment
2009.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0048303-49
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2009-0430351-43
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.01.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.02.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0011230-78
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0151398-61
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0368227-59
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.06.20 무효 (Invalidation) 1-1-2011-0467838-80
10 보정요구서
Request for Amendment
2011.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0057647-09
11 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2011.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0064833-59
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0460402-26
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.12.11 수리 (Accepted) 4-1-2012-5260207-68
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-0061512-66
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리카(SiO2:이산화규소) 분말과 활성 카본(C) 분말을 혼합하는 혼합 단계; SiO2 분말과 활성 카본 분말의 혼합물을 가열하여 SiC 증기와 CO 증기를 발생시키는 가열 단계; 및 CO를 배출하며 SiC 증기를 냉각하여 증착시키는 증착 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 나노 분말의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 혼합 단계는 SiO2 파우더와 활성 C 파우더는 혼합되어 펠렛 형태로 제작되는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 나노 분말의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 가열 단계는, 500 ~ 900 Torr의 압력 및 1600 ~ 1750 ℃의 온도 하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 SiC 나노 분말의 제조 방법
4 4
제3항에 있어서, 가열 단계는, 진공으로 만든 다음 비활성 기체로 분위기 압력을 조정하는 것을 특징으로 하는 SiC 나노 분말의 제조 방법
5 5
SiO 증기와 활성 카본 분말을 반응시키는 단계; 및 생성물질인 일산화탄소(CO)를 배출하며, SiC를 증착시키는 단계;를 포함하는 SiC 나노 분말의 제조 방법
6 6
일산화규소(SiO) 분말과 활성 카본(C) 분말을 혼합하는 혼합 단계; SiO 분말과 활성 카본 분말의 혼합물을 가열하여 SiC 증기와 CO 증기를 발생시키는 가열 단계; 및 CO를 배출하며 SiC 증기를 냉각하여 증착시키는 증착 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 나노 분말의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.