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캐패시터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015152293
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고용량의 캐패시터를 제조하기 위하여 여러 개의 단위 셀을 제조하여 적층 할 필요가 없이 캐패시터 구성체의 길이와 넓이 및 감는 횟수의 조절로 용량을 쉽게 조절할 수 있을 뿐 아니라 형태를 자유로이 변형시킬 수 있는 캐패시터의 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 캐패시터 제조방법은 집전체 양면에 전극을 코팅하는 단계와; 고분자 겔 전해질 필름을 제조하는 단계와; 상기 단계에서 제조한 전극 및 고분자 겔 전해질 필름을 제 1 전극, 제 1 고분자 겔 전해질 필름, 제 2 전극, 제 2 고분자 겔 전해질 필름을 순차적으로 배열하고 원형 또는 타원형으로 감는 단계와; 상기 원형 또는 타원형으로 감겨진 캐패시터를 압착하여 필름형태의 박형으로 제조하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01G 4/32 (2006.01.01) H01G 4/008 (2006.01.01)
CPC H01G 4/32(2013.01) H01G 4/32(2013.01)
출원번호/일자 1020010037161 (2001.06.27)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-0442774-0000 (2004.07.22)
공개번호/일자 10-2003-0000900 (2003.01.06) 문서열기
공고번호/일자 (20040804) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.06.27)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종휘 대한민국 대전광역시유성구
2 신경희 대한민국 서울특별시동대문구
3 진창수 대한민국 대전광역시유성구
4 고장면 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2001.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2001-0156463-11
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2002-0076226-24
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2003.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2003.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2003-0032709-06
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2003.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0317485-18
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2003.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2003-5199685-99
7 의견서
Written Opinion
2003.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2003-0436597-89
8 등록결정서
Decision to grant
2004.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0153528-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.12.22 수리 (Accepted) 4-1-2004-5107350-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
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번호 청구항
1 1

캐패시터 제조방법에 있어서, 집전체 양면에 전극을 코팅하는 단계와;

고분자 겔 전해질 필름을 제조하는 단계와;

상기 단계에서 제조한 전극 및 고분자 겔 전해질 필름을 제 1 전극, 제 1 고분자 겔 전해질 필름, 제 2 전극, 제 2 고분자 겔 전해질 필름을 순차적으로 배열하고 원형 또는 타원형으로 감는 단계와;

상기 원형 또는 타원형으로 감겨진 캐패시터를 압착하여 필름형태의 박형으로 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터의 제조방법


2 2

제 1항에 있어서, 집전체는 알루미늄, 탄탈륨, 티탄산 바륨(Titanium-Barium) 중에서 선택된 한가지임을 특징으로 하는 캐패시터의 제조방법


3 3

제 1항에 있어서, 제 1 전극 또는 제 2전극은 탄소, 전도성 고분자, 금속산화물 중에서 선택된 한가지 임을 특징으로 하는 캐패시터의 제조방법


4 4

제 1항에 있어서, 제 1 고분자겔 전해질 복합체 필름 및 제 2 고분자겔 전해질 복합체 필름은 고분자 5∼30 중량%, 유기용매 70∼90 중량%, 염 2∼10 중량%, 퓸화된 이산화규소(fumed SiO2) 0

5 5

제 3항에 있어서, 탄소는 천연 흑연, 키시흑연(Kish graphite), 열분해 탄소(pyrolytic carbon), 액정 피치계 탄소섬유(mesophase pitch based carbon fiber), 탄소 미소구체(Meso-carbon microbeads), 액정피치(Mesophase pitches), 석유와 석탄계 코크스(petroleum or coal tar pitch derived cokes) 중에서 선택된 한가지 임을 특징으로 하는 캐패시터의 제조방법


6 6

제 3항에 있어서, 전도성 고분자는 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리피롤(polypyyrole), 폴리아닐린(Polyaniline), 폴리티오펜(polythiopene), 폴리(3-알킬-티오펜)(Poly(3-alkyl-thiophene)), 폴리페닐렌(Polyphenylene), 폴리페닐렌 설파이드(Polyphenylene sulfide), 폴리페닐렌 비닐렌(Polyphenylene vinylene) 중에서 선택된 한가지 임을 특징으로 하는 캐패시터의 제조방법


7 7

제 3항에 있어서, 금속산화물은 루테늄산화물, 니켈산화물, 이산화망간, 이산화코발트 중에서 선택된 한가지 임을 특징으로 하는 캐패시터 형성방법


8 8

제 4항에 있어서, 고분자는 폴리에틸렌옥사이드, 폴리에틸렌옥사이드 공중합체, 폴리아크릴로니트릴(PAN), 폴리아크릴로니트릴 공중합체, 폴리(비닐리덴 플루라이드), 폴리(비닐리덴 플루라이드) 공중합체(P(VdF-co-HFP)), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리비닐클로라이드(PVC)를 각각 단독으로 사용하거나 또는 2성분 이상 혼합물 임을 특징으로 하는 캐패시터의 제조방법


9 9

제 4항에 있어서, 유기용매는 아세토나이트릴(AN), 에틸렌 카보네이트(EC), 프로필렌카보네이트(PC), 디에틸렌 카보네이트(DEC), 디메틸카보네이트(DMC)를 각각 단독으로 사용하거나 또는 이들의 혼합물 임을 특징으로 하는 캐패시터의 제조방법


10 10

제 4항에 있어서, 염은 TEABF4 (tetraethylammonium tetrafluorborate), LiClO4 (lithium perchlorate), LiPF6 (lithium hexafluorophosphate), LiAsF6 (lithium hexafluoroarsenate) 중에서 선택된 한가지 임을 특징으로 하는 캐패시터의 제조방법


11 11

제 4항에 있어서, 보강제는 다공성 폴리프로필렌, 직조(woven) 또는 비직조(non-woven) 형태의 폴리에스터, 나이론, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리우레탄, 유리섬유 중에서 선택된 한가지 임을 특징으로 하는 캐패시터의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.