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패터닝된 그리드전극과 이를 적용한 박막 태양전지 및 이들의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015153603
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 태양전지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 삼각형 또는 사다리꼴 형상으로 패터닝된 그리드전극과 이를 적용한 박막 태양전지의 제조방법에 관한 것이다. 이에 본 발명은 박막 태양전지에서의 그리드전극 제조방법에 있어서, 투명전극층 위에 그리드전극층을 형성하는 단계, 상기 그리드전극층의 단면이 삼각형 또는 사다리꼴 형상을 이루도록 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패터닝된 그리드전극의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 삼각형 또는 사다리꼴 형상으로 패터닝된 그리드전극의 제조방법에 따르면, 빛의 반사와 산란이 발생하는 그리드전극층의 단면이 삼각형 또는 사다리꼴 형상을 이룸으로써 경사각이 생기고, 이에 투명전극층에 도달할 수 있는 유효반사면적과 유효산란면적이 증대하게 된다. 이로 인하여 투명전극층의 광포획 효과(light trapping)가 향상되고 이로 인해 광전변환율이 높아지는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2006.01)
CPC H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01)
출원번호/일자 1020130138965 (2013.11.15)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1628957-0000 (2016.06.02)
공개번호/일자 10-2015-0056230 (2015.05.26) 문서열기
공고번호/일자 (20160613) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.15)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 어영주 대한민국 대전 유성구
2 조준식 대한민국 대전 유성구
3 박주형 대한민국 대전 유성구
4 윤경훈 대한민국 대전 유성구
5 안세진 대한민국 대전 유성구
6 곽지혜 대한민국 대전 서구
7 윤재호 대한민국 대전 중구
8 조아라 대한민국 서울 관악구
9 신기식 대한민국 대전 유성구
10 안승규 대한민국 대전 유성구
11 유진수 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-1041492-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.10.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0089438-21
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0117665-19
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.04.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0336163-80
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0336162-34
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0574020-22
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-0997319-86
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.10.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0997320-22
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0147598-29
13 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2016.03.28 수리 (Accepted) 7-1-2016-0015230-86
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0388797-03
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.04.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0388742-03
16 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2016.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0372771-44
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
박막 태양전지에서의 그리드전극 제조방법에 있어서,ⅰ) 투명전극층(500) 위에 그리드전극층(600)을 형성하는 단계(s100); 및ⅱ) 상기 그리드전극층(600)의 단면이 삼각형 또는 사다리꼴 형상을 이루도록 패터닝하는 단계(s200)를 포함하되,상기 그리드전극층(600)의 단면이 삼각형 또는 사다리꼴 형상을 이루도록 패터닝하는 단계(s200)는,레이저 스크라이빙(laser scribing) 공정을 통해 수행되고,상기 그리드전극층(600)의 단면이 삼각형 또는 사다리꼴 형상을 이루도록 패터닝하는 단계(s200)에서,삼각형 또는 사다리꼴 형상은 그리드전극(600)의 밑변 양 끝 꼭지점에서의 두 내각(a,b)이 예각( 003c# 90˚)이며 상기 레이저 스크라이빙(laser scribing) 공정은, 서로 이격된 두 개의 레이저빔이 롤링되고 있는 상기 그리드전극(600)의 면을 투사함으로써, 롤링 과정을 통해 상기 그리드전극(600)의 단면이 삼각형 또는 사다리꼴 형상을 이루도록 식각하는 것을 특징으로 하는 패터닝된 그리드전극의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,ⅰ) 투명전극층(500) 위에 그리드전극층(600)을 형성하는 단계(s100)에서,상기 그리드전극층(600)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 갈륨(Ga), 인듐(In) 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 구성하는 것을 특징으로 하는 패터닝된 그리드전극의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서,ⅰ) 투명전극층(500) 위에 그리드전극층(600)을 형성하는 단계(s100)에서,스퍼터링, Thermal evaporation, CVD, PVD, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 방법 중 선택된 어느 하나의 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 패터닝된 그리드전극의 제조방법
4 4
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5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
롤투롤(roll to roll) 방식으로 제작되는 플렉서블 박막 태양전지의 그리드전극 제조방법에 있어서,ⅰ) 투명전극층(500) 위에 그리드전극층(600)을 형성하는 단계(s100); 및ⅱ) 상기 그리드전극층(600)의 단면이 삼각형 또는 사다리꼴 형상을 이루도록 패터닝하는 단계(s200)를 포함하되,상기 그리드전극층(600)의 단면이 삼각형 또는 사다리꼴 형상을 이루도록 패터닝하는 단계(s200)는,레이저 스크라이빙(laser scribing) 공정을 통해 수행되고,상기 그리드전극층(600)의 단면이 삼각형 또는 사다리꼴 형상을 이루도록 패터닝하는 단계(s200)에서,삼각형 또는 사다리꼴 형상은 그리드전극(600)의 밑변 양 끝 꼭지점에서의 두 내각(a,b)이 예각( 003c# 90˚)이며,상기 레이저 스크라이빙(laser scribing) 공정은, 서로 이격된 두 개의 레이저빔이 롤링되고 있는 상기 그리드전극(600)의 면을 투사함으로써, 롤링 과정을 통해 상기 그리드전극(600)의 단면이 삼각형 또는 사다리꼴 형상을 이루도록 식각하는 것을 특징으로 하는 패터닝된 그리드전극의 제조방법
8 8
제 7항에 있어서,ⅰ) 투명전극층(500) 위에 그리드전극층(600)을 형성하는 단계(s100)에서,상기 그리드전극층(600)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 갈륨(Ga), 인듐(In) 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 구성하는 것을 특징으로 하는 패터닝된 그리드전극의 제조방법
9 9
제 7항에 있어서,ⅰ) 투명전극층(500) 위에 그리드전극층(600)을 형성하는 단계(s100)에서,스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 방법 중 선택된 어느 하나의 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 패터닝된 그리드전극의 제조방법
10 10
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11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
버퍼층 위에 증착되는 태양전지의 그리드전극에 있어서, 제 1항 또는 제 7항 중 어느 하나의 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 패터닝된 그리드전극
14 14
박막 태양전지의 제조방법에 있어서,(ⅰ) 기판(100)을 준비하는 단계(s1000);(ⅱ) 기판(100) 위에 후면전극층(200)을 형성하는 단계(s2000);(ⅲ) 후면전극층(200) 위에 광흡수층(300)을 형성하는 단계(s3000);(ⅳ) 광흡수층(300) 위에 버퍼층(400)을 형성하는 단계(s4000);(ⅴ) 버퍼층(400) 위에 투명전극층(500)을 형성하는 단계(s5000);(ⅵ) 투명전극층(500) 위에 그리드전극층(600)을 형성하는 단계(s6000); 및(ⅶ) 그리드전극층(600)의 단면이 삼각형 또는 사다리꼴 형상이 되도록 패터닝하는 단계(s7000)를 포함하되,상기 그리드전극층(600)의 단면이 삼각형 또는 사다리꼴 형상이 되도록 패터닝하는 단계(s6000)는,레이저 스크라이빙(laser scribing) 공정을 통해 수행되고,삼각형 또는 사다리꼴 형상은 그리드전극(600)의 밑변 양 끝 꼭지점에서의 두 내각(a,b)이 예각( 003c# 90˚)이며,상기 레이저 스크라이빙(laser scribing) 공정은, 서로 이격된 두 개의 레이저빔이 롤링되고 있는 상기 그리드전극(600)의 면을 투사함으로써, 롤링 과정을 통해 상기 그리드전극(600)의 단면이 삼각형 또는 사다리꼴 형상을 이루도록 식각하는 것을 특징으로 하는 패터닝된 그리드전극을 적용한 태양전지 제조방법
15 15
제 14항에 있어서, (ⅵ) 투명전극층(500) 위에 그리드전극층(600)을 형성하는 단계(s6000)에서,상기 그리드전극층(600)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 갈륨(Ga), 인듐(In) 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 구성하는 것을 특징으로 하는 패터닝된 그리드전극을 적용한 태양전지 제조방법
16 16
제 14항에 있어서, (ⅵ) 투명전극층(500) 위에 그리드전극층(600)을 형성하는 단계(s6000)에서,상기 그리드전극층(600)의 형성은 스퍼터링, Thermal evaporation, CVD, PVD, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 방법 중 선택된 어느 하나의 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 패터닝된 그리드전극을 적용한 태양전지 제조방법
17 17
삭제
18 18
삭제
19 19
제 14항에 있어서,상기 태양전지는 롤투롤(roll to roll) 방식으로 제작되는 플렉서블 박막 태양전지인 것을 특징으로 하는 패터닝된 그리드전극을 적용한 태양전지 제조방법
20 20
고분자 기판(100)과, 상기 기판 위에 형성되는 후면전극층(200)과, 상기 후면전극층(200) 위에 형성되는 광흡수층(300)과, 상기 광흡수층(300) 위에 형성되는 버퍼층(400), 상기 버퍼층(400) 위에 형성되는 투명전극층(500)과, 상기 투명전극층(500) 위에 형성되는 그리드전극(600)을 포함하는 태양전지를 제조하는 방법에 있어서, 제 14항의 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 패터닝된 그리드전극을 적용한 태양전지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조 과학부 한국과학기술연구원 협동 연구사업 CIGS 탠덤구조 태양전지용 광흡수층 제조기술 개발