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인듐, 셀레늄 또는 갈륨을 포함하는 버퍼층과 이를 적용한 태양전지 및 이들의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015153680
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 태양전지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 인듐(In), 셀레늄(Se) 또는 갈륨(Ga)을 포함하여 구성되는 버퍼층과 이를 적용한 박막 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이에 본 발명은 박막 태양전지에서의 황화카드뮴(CdS) 버퍼층을 대체하기 위한 박막 태양전지의 버퍼층 제조방법에 있어서, ⅰ) 인듐(In), 셀레늄(Se) 또는 갈륨(Ga)을 포함하는 소스를 준비하는 단계, ⅱ) 광흡수층 위에 상기의 소스를 공급하여 버퍼층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 버퍼층 제조방법을 제공한다. 본 발명의 제조방법에 따라 인듐(In), 셀레늄(Se) 또는 갈륨(Ga)을 포함하여 구성되는 버퍼층을 적용하면, 종래의 용액성장법으로 제조된 황화카드뮴(CdS) 버퍼층의 문제점이었던, 독성으로 인한 취급의 어려움과 제작공정 이후의 폐기물로 인한 환경문제를 해결할 수 있다. 뿐만 아니라, 인듐(In), 셀레늄(Se) 또는 갈륨(Ga)의 비율을 선택적으로 조절함으로써, 제작시 밴드갭 조절이 용이한 버퍼층 구현이 가능하다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01)
출원번호/일자 1020130158946 (2013.12.19)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1577420-0000 (2015.12.08)
공개번호/일자 10-2015-0071864 (2015.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20151216) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.19)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박주형 대한민국 대전 유성구
2 조준식 대한민국 대전 유성구
3 어영주 대한민국 대전 유성구
4 안세진 대한민국 대전 유성구
5 안승규 대한민국 대전 유성구
6 유진수 대한민국 서울 노원구
7 조아라 대한민국 서울 관악구
8 윤재호 대한민국 대전 중구
9 윤경훈 대한민국 대전 유성구
10 신기식 대한민국 대전 유성구
11 곽지혜 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-1163250-06
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0798809-91
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0062640-53
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0062637-15
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2015.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0328036-04
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.07.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0699403-12
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0699402-66
10 등록결정서
Decision to grant		 2015.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0830833-63
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
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번호 청구항
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태양전지의 제조방법에 있어서,(Ⅰ) 기판(100)을 준비하는 단계(s1000);(Ⅱ) 기판(100) 위에 크롬(Cr), 텅스텐(W), 황동(brass) 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 후면전극층(200)을 형성하는 단계(s2000);(Ⅲ) 후면전극층(200) 위에 p형 반도체인 광흡수층(300)을 형성하는 단계(s3000);(Ⅳ) 광흡수층(300) 위에 버퍼층(400)을 형성하는 단계(s4000);(Ⅴ) 버퍼층(400) 위에 n형 반도체인 In2O3, 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화납, 산화구리, 산화티탄, 산화철 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 투명전극층(500)을 형성하는 단계(s5000);를 포함하고,상기 광흡수층(300) 위에 버퍼층(400)을 형성하는 단계(s4000)는Ⅳ-1) 원소비율 2:3으로 인듐(In)과 셀레늄(Se)을 포함하는 소스를 준비하며, 인듐(In) 및 셀레늄(Se)에 추가적으로 갈륨(Ga)을 포함하는 단계(s4100);Ⅳ-2) 광흡수층(300) 위에 상기 Ⅳ-1)의 소스를 공급하여 버퍼층(400)을 증착시키는 단계(s4200);를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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제 7항에 있어서,Ⅳ-2) 광흡수층(300) 위에 상기 Ⅳ-1)의 소스를 공급하여 버퍼층(400)을 형성하는 단계(s4200)에서,버퍼층(400)의 형성은 동시증착법(Coevaporation), 스퍼터링법(Sputtering), 유기금속화학기상증착법(MOCVD), 분자선성장법(MBE), 전착법(Electrodeposition), 스크린프린팅법(Screen printing), 입자증착법(Particle deposition) 중에서 선택된 어느 하나의 방법으로 증착시키는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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제 7항에 있어서,Ⅳ-2) 광흡수층(300) 위에 상기 Ⅳ-1)의 소스를 공급하여 버퍼층(400)을 형성하는 단계(s4200)에서,상기 버퍼층(400)은 두께가 30-60nm인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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13 13
제 7항에 있어서,(Ⅲ) 후면전극층(200) 위에 광흡수층(300)을 형성하는 단계(s3000)에서,상기 광흡수층(300)은 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga), 셀레늄(Se) 중에서 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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15 15
기판(100)과, 상기 기판 위에 형성되는 후면전극층(200)과, 상기 후면전극층(200) 위에 형성되는 광흡수층(300)과, 상기 광흡수층(300) 위에 형성되는 버퍼층(400), 상기 버퍼층(400) 위에 형성되는 투명전극층(500)을 포함하는 태양전지에 있어서, 제 7항, 제10항, 제11항, 제13항 중 어느 하나의 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 산업기술연구회 주요사업(연구원 자체사업) 플렉서블 박막 태양전지 고효율화 기술 개발