맞춤기술찾기

이전대상기술

TiN 막 표면의 ECR 플라즈마 전처리를 포함한RuO₂증착방법

  • 기술번호 : KST2015157185
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 TiN 막 표면의 ECR 플라즈마 전처리를 포함한 RuO2 증착방법에 관한 것으로, 구체적으로 Si 웨이퍼 위에 TiN 막을 코팅하는 단계, 상기 TiN 막을 화학적 전처리하는 단계 및 상기 TiN 막 위에 MOCVD법에 의한 RuO2 증착단계로 이루어진 RuO2의 증착방법에 있어서, 상기 화학적 전처리 단계와 RuO2의 증착 단계 사이에 수소 또는 아르곤 ECR 플라즈마 전처리를 수행하여 TiN 막을 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 RuO2의 증착방법에 관한 것이다. 본 발명의 MOCVD법에 의한 RuO2의 증착방법은 TiN 막 표면에 ECR 플라즈마 전처리를 수행함으로써, TiN 막 표면의 산소와 질소원자를 제거할 수 있으며, 이러한 제거를 통하여 RuO2의 증착시 RuO2 핵생성을 더욱 향상시킬 수 있다. 증착방법, MOCVD, RuO2, 전처리, 플라즈마, ECR, 아르곤, 수소.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01)
CPC C23C 16/406(2013.01) C23C 16/406(2013.01)
출원번호/일자 1020040017569 (2004.03.16)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0570320-0000 (2006.04.05)
공개번호/일자 10-2005-0092504 (2005.09.22) 문서열기
공고번호/일자 (20060412) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.03.16)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이종무 대한민국 인천광역시남구
2 엄태종 대한민국 인천광역시남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2004-0107624-31
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document
2004.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2004-5046304-11
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2004-5021875-76
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.08.19 수리 (Accepted) 9-1-2005-0052390-62
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0519208-39
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.12.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0738994-76
8 의견서
Written Opinion
2005.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2005-0738991-39
9 등록결정서
Decision to grant
2006.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0195765-72
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2008-0003929-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2008-5093865-89
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220324-82
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Si 웨이퍼 위에 TiN 막을 코팅하는 단계;상기 TiN 막 위의 유기 오염물 및 불순물을 제거하는 화학적 전처리를 수행하는 단계;상기 화학적 전처리가 수행된 TiN 막에 대해 수소 또는 아르곤 ECR 플라즈마 전처리를 실시해서 해당 TiN막을 세정하는 단계; 및상기 플라즈마 전처리가 실시된 TiN 막 위에 MOCVD법에 의해 RuO2를 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 RuO2의 증착방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 ECR 플라즈마 전처리가 TiN 막이 증착된 실리콘 기판이 로딩되어 있는 고밀도 플라즈마를 이용하는 ECR 플라즈마 챔버에 반응 가스로 수소 또는 아르곤 가스를 공급하고, rf-전원 하에서 수소 플라즈마 또는 아르곤 플라즈마를 형성시킨 후 형성된 플라즈마를 TiN 막 위에 노출시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 증착방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 ECR 플라즈마 전처리가 rf-전원 250∼350 W 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 증착방법
4 4
제 2항에 있어서, 상기 ECR 플라즈마 전처리가 1∼3 분 동안의 노출시간을 갖는 것을 특징으로 하는 증착방법
5 5
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 화학적 전처리는, H2SO4:H2O2=4:1을 이용한 피라나(piranha)법에 의해 수행하는 것을 특징으로 하는 증착방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.