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a) 아연 원을 공급하여 기판 상에 아연 함유 화학종을 증착시키는 단계;b) 산소 원을 공급하여 상기 아연 함유 화학종이 증착된 기판 상에 산소 함유 화학종을 증착시키는 단계;c) 도펀트 소스로서 질소 원을 공급하여 상기 산소 함유 화학종이 증착된 기판 상에 질소 함유 화학종을 도핑시키는 단계; 및d) 산소 분위기 하에서 후열처리하여 홀을 생성하는 단계를 포함하는 원자층 증착법에 의한 p형 산화아연 박막의 제조 방법
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a') 반응기에 아연 원을 공급하여 기판 상에 아연 함유 화학종을 증착시키는 단계;b') 미반응 아연 원 및 반응 부산물을 제거하는 제 1 정화 단계;c') 산소 원을 공급하여 상기 아연 함유 화학종이 증착된 기판 상에 산소 함유 화학종을 증착시키는 단계; d') 미반응 산소 원 및 반응 부산물을 제거하는 제 2 정화 단계;e') 도펀트 소스로서 질소 원을 공급하여 상기 산소 함유 화학종이 증착된 기판 상에 질소 함유 화학종을 도핑시키는 단계; 및f') 미반응 질소 원 및 반응 부산물을 제거하는 제 3 정화 단계를 포함함을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 p형 산화아연 박막의 제조 방법
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a") 아연 원을 공급하여 기판 상에 아연 함유 화학종을 증착시키는 단계;b") 미반응 아연 원 및 반응 부산물을 제거하는 제 1 정화 단계;c") 도펀트 소스로서 질소 원을 공급하여 상기 아연 함유 화학종이 증착된 기판 상에 질소 함유 화학종을 도핑시키는 단계; d") 미반응 질소 원 및 반응 부산물을 제거하는 제 2 정화 단계;e") 산소 원을 공급하여 상기 질소 도핑된 기판 상에 산소 함유 화학종을 증착시키는 단계; 및f") 미반응 산소 원 및 반응 부산물을 제거하는 제 3 정화 단계를 포함함을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 p 형 산화아연 박막의 제조 방법
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4
제 1항에 있어서, 상기 단계 a) 내지 c)를 1 주기로 하여 목표 두께의 산화아연 막이 형성될 때까지 상기 주기를 반복하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 p형 산화아연 박막의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 아연 원이 디메틸아연인 것임을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 p형 산화아연 박막의 제조 방법
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6
제 1항에 있어서, 상기 산소 원이 고순도의 물 또는 산소 기체인 것임을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 p형 산화아연 박막의 제조 방법
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7
제 1항에 있어서, 상기 도펀트 소스는 암모니아인 것임을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 p형 산화아연 박막의 제조 방법
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8
제 1항에 있어서, 상기 아연 원, 산소 원 및 도펀트 소스가 각각 디메틸아연, 고순도의 물 및 암모니아인 것임을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 p형 산화아연 박막의 제조 방법
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9
제 1항에 있어서, 상기 기판은 사파이어, 실리콘 또는 유리 기판임을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 p형 산화아연 박막의 제조 방법
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10
제 1항에 있어서, 상기 기판의 온도는 150℃ 내지 180℃로 유지됨을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 p형 산화아연 박막의 제조 방법
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11
제 1항에 있어서, 상기 단계 a)는 주기 당 0
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12
제 2항 또는 제 3항에 있어서, 상기 정화 단계는 진공 정화 또는 비활성 기체를 공급하여 정화하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 p형 산화아연 박막의 제조 방법
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13
제 1항에 있어서, 상기 후열처리 단계는 800 ℃ 내지 1,000 ℃ 의 산소 분위기 하에서 1~3 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 p형 산화아연 박막의 제조 방법
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14
제 13항에 있어서, 상기 산소 분위기 온도는 1000 ℃ 인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 p형 산화아연 박막의 제조 방법
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