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유전체층 사이에 두 금속선을 배열하여 두 광도파로 형성하는 단계;상기 두 금속선의 하부에 금속 기판을 형성하는 단계;상기 두 광도파로에 빛을 인가하는 단계;상기 두 광도파로를 근접시켜 방향성 결합기로 동작하도록 제어하는 단계; 및상기 인가된 빛이 상기 두 광도파로 사이의 틈으로 집속시키는 단계를 포함하는 틈 표면 플라즈몬 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 두 광도파로로 형성하는 단계는,상기 두 금속선을 수평 또는 수직의 병렬 형태로 배열하여 상기 두 광도파로를 형성하는 것을 특징으로 하는 틈 표면 플라즈몬 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 두 광도파로는,상기 두 광도파로 및 상기 금속 기판을 형성하는 단계 이후,나노 스트립 표면 플라즈몬(nano-strip surface plasmon) 광모드로 동작하는 것을 특징으로 하는 틈 표면 플라즈몬 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 두 광도파로는,상기 인가된 빛이 상기 두 광도파로 사이의 틈으로 집속시키는 단계 이후, 틈 표면 플라즈몬 (gap surface plasmon) 광모드로 동작하는 것을 특징으로 하는 틈 표면 플라즈몬 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 인가된 빛이 상기 두 광도파로 사이의 틈으로 집속된 경우, 상기 금속 기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 틈 표면 플라즈몬 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 두 광도파로는,상기 집속된 빛이 방출되는 출력단의 끝이 뾰족하거나, 1차원 또는 2차원 광 결정(photonic crystal) 구조인 것을 특징으로 하는 틈 표면 플라즈몬 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 두 광도파로를 근접시켜 방향성 결합기로 동작하도록 제어하는 단계는,상기 인가된 빛을 even 모드 및 odd 모드의 두 가지 빛의 형태로 존재하도록 제어하는 단계를 포함하는 틈 표면 플라즈몬 형성 방법
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제7항에 있어서,상기 두 광도파로를 근접시켜 방향성 결합기로 동작하도록 제어하는 단계는,상기 Odd 모드의 유효 굴절률이 상기 Even 모드의 유효 굴절률보다 증가하도록 제어하여, 유효 굴절률 반전현상을 발생시키는 단계를 더 포함하는 틈 표면 플라즈몬 형성 방법
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광모드 전환에 따라 제거 가능한 금속 기판이 하부에 형성된 유전체층; 및상기 유전체층 사이에 형성되어 빛을 인가 받는 두 금속선;을 포함하고, 상기 두 금속선을 근접시켜 방향성 결합기로 동작시켜 상기 인가된 빛이 상기 두 금속선 사이의 틈으로 집속시키고, 상기 금속 기판을 제거하여 틈 표면 플라즈몬(gap surface plasmon) 광모드를 형성하는 금속선 광도파로
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제9항에 있어서,상기 두 금속선은,수평 또는 수직의 병렬 형태로 배열되어 두 광도파로를 형성하는 것을 특징으로 하는 금속선 광도파로
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제10항에 있어서,상기 두 광도파로는,상기 인가된 빛이 두 금속선 사이의 틈으로 집속되기 전까지 나노 스트립 표면 플라즈몬(nano-strip surface plasmon) 광모드로 동작하는 것을 특징으로 금속선 광도파로
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제10항에 있어서,상기 두 광도파로는,상기 인가된 빛이 두 금속선 사이의 틈으로 집속된 이후, 틈 표면 플라즈몬 (gap surface plasmon) 광모드로 동작하는 것을 특징으로 하는 금속선 광도파로
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제10항에 있어서,상기 두 광도파로는,상기 집속된 빛이 방출되는 출력단의 끝이 뾰족하거나, 1차원 또는 2차원 광 결정(photonic crystal) 구조인 것을 특징으로 금속선 광도파로
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제10항에 있어서,상기 두 광도파로는,상기 방향성 결합기로 동작되어 상기 인가된 빛이 even 모드 및 odd 모드의 두 가지 빛의 형태로 존재하는 것을 특징으로 하는 금속선 광도파로
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제14항에 있어서,상기 두 광도파로는, 상기 Odd 모드의 유효 굴절률이 상기 Even 모드의 유효 굴절률보다 증가하는 경우, 유효 굴절률 반전현상을 발생시켜 틈 표면 플라즈몬(gap surface plasmon) 광모드로 전환되는 것을 특징으로 하는 금속선 광도파로
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