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기판;
상기 기판 상에 형성된 금속 박막;
상기 금속 박막 상에 형성된 제1유전체층; 및
상기 제1유전체층 상에 형성되며, 금속 나노입자로 이루어진 금속 나노입자층
을 포함하는 표면 플라즈몬 공명 센서칩
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삭제
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제1항에 있어서,
상기 금속 나노입자층 상에 형성된 제2 유전체층
을 더 포함하는 표면 플라즈몬 공명 센서칩
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4
제1항에 있어서,
상기 금속 박막은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 또는 이들의 합금으로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서칩
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5
제1항에 있어서,
상기 제1 유전체층은 실리카(SiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화하프늄/하프늄 실리케이트, 페로브스카이트로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 무기물; 또는 방향족열경화형 수지, 폴리비닐페놀(Polyvinylphnole: PVP), 폴리비닐리덴플루오라이드(Polyvinylidenfluoride: PVDF), 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethylmethacrylate: PMMA), 폴리에틸렌테레프탈 레이트(Polyethyleneterephthalate: PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylenenaphthalate: PEN), 폴리카보네이트(Polycarbonate: PC), 폴리아크릴레이트(Polyacrylate: PAR), 폴리에더술폰(Polyethersulphone: PES), 폴리이미드(Polyimide: PI), 파릴렌(Parylene)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 유기물로 형성된 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서칩
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6
제1항에 있어서,
상기 제1 유전체층의 두께는 2 내지 8nm인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서칩
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7
제1항에 있어서,
상기 금속 나노입자층의 금속 나노입자는 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 또는 이들의 합금 나노입자로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서칩
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8
제1항에 있어서,
상기 금속 나노입자층의 금속 나노입자의 평균 입경은 3 내지 20nm인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서칩
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9
제3항에 있어서,
상기 제2 유전층은 상기 제1 유전층과 동일한 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서칩
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10
제3항에 있어서,
상기 제2 유전층의 두께는 4 내지 8nm인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서칩
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11
기판을 준비하는 단계;
상기 기판 상에 금속 박막을 형성하는 단계;
상기 금속 박막 상에 제1유전체층을 형성하는 단계; 및
상기 제1유전체층 상에 금속 나노입자로 이루어진 금속 나노입자층을 형성하는 단계
를 포함하는 표면 플라즈몬 공명 센서칩의 제조 방법
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삭제
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13
제11항에 있어서,
상기 금속 나노입자층 상에 제2 유전체층을 형성하는 단계
를 더 포함하는 표면 플라즈몬 공명 센서칩의 제조 방법
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제11항에 있어서,
상기 금속 박막을 형성하는 단계는, 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition: PVD)법, 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition: CVD)법, 열증발증착(thermal evaporation)법 및 스퍼터링(sputtering)법 중에서 어느 하나의 방법을 이용하는 단계인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서칩의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 제1 유전체층을 형성하는 단계는,
상기 금속 박막 상에 제1 자기조립 단층막(Self-Assembled Monolayer: SAM)을 형성하는 단계; 및
상기 제1 자기조립 단층막이 형성된 상기 기판을 상기 제1 유전체층을 형성하기 위한 용액에 침지하는 단계
를 포함하는 표면 플라즈몬 공명 센서칩의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 금속 나노입자층을 형성하는 단계는,
상기 제1 유전체층 상에 제2 자기조립 단층막을 형성하는 단계; 및
상기 제2 자기조립 단층막이 형성된 상기 기판을 상기 금속 나노입자를 포함하는 용액에 침지하는 단계
를 포함하는 표면 플라즈몬 공명 센서칩의 제조 방법
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제13항에 있어서, 제2 유전체층을 형성하는 단계는,
상기 금속 나노입자층 상에 제3 자기조립 단층막을 형성하는 단계; 및
상기 제3 자기조립 단층막이 형성된 상기 기판을 상기 제2 유전체층을 형성하기 위한 용액에 침지하는 단계
를 포함하는 표면 플라즈몬 공명 센서칩의 제조 방법
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기판, 상기 기판 상에 형성된 금속 박막, 상기 금속 박막 상에 형성된 제1유전체층 및 상기 제1유전체층 상에 금속 나노입자로 이루어진 금속 나노입자층을 포함하며, 분석 대상 물질을 고정하기 위한 표면 플라즈몬 공명 센서칩;
상기 기판의 양면 중에서 상기 금속 박막 및 상기 제1유전체층이 형성되지 않은 상기 기판의 일면 상에 부착된 프리즘;
상기 프리즘을 통해 상기 표면 플라즈몬 공명 센서칩으로 입사되는 입사광을 발생하는 광원; 및
상기 입사광 중에서 상기 표면 플라즈몬 공명 센서칩에 의해 반사되는 반사광을 감지하는 수광부
를 포함하는 표면 플라즈몬 공명센서 시스템
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기판, 상기 기판 상에 형성된 금속 박막, 상기 금속 박막 상에 형성된 제1유전체층 및 상기 제1유전체층 상에 금속 나노입자로 이루어진 금속 나노입자층을 포함하는 표면 플라즈몬 공명 센서칩을 구비하는 표면 플라즈몬 공명 센서 시스템을 준비하는 단계;
상기 표면 플라즈몬 공명 센서칩을 활성화하는 단계;
상기 표면 플라즈몬 공명 센서칩 상에 분석 대상 물질과 특이적으로 결합 가능한 결합 물질을 고정화시키는 단계;
상기 결합 물질 및 상기 분석 대상 물질을 반응시키는 단계; 및
상기 표면 플라즈몬 공명 센서칩에 광을 입사하여 표면 플라즈몬 공명 파장의 변화를 측정하는 단계
를 포함하는 표면 플라즈몬 공명 센서 시스템을 이용한 분석 대상 물질 검출 방법
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제19항에 있어서,
상기 분석 대상 물질은 항원이고, 상기 결합 물질은 상기 항원에 대한 항체인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서 시스템을 이용한 분석 대상 물질 검출 방법
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21
제19항에 있어서,
상기 분석 대상 물질은 리간드이고, 상기 결합 물질은 상기 리간드를 수용하는 수용체인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서 시스템을 이용한 분석 대상 물질 검출 방법
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