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반도체 배선용 금속막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015160797
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 배선용 금속막 형성 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 배선용 금속막 형성 방법은: 미세 패턴으로 형성된 반도체 기판을 마련하는 단계와, 상기 반도체 기판을 구리 전해 도금액에 넣고 환원 전위를 인가하여 구리 전해 도금을 실시함으로써 반도체 기판의 표면 전체에 구리 박막을 형성하는 단계와, 반도체 기판의 홈 부분에 형성된 구리 박막만이 남도록 반도체 기판 표면 전체를 평탄하게 식각하는 기판 평탄화 단계와, 평탄화된 반도체 기판을 은 치환 용액에 침지시켜서 남은 구리 박막 표면을 은으로 치환하는 은 박막 형성 단계,를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 반도체 배선용으로서 구리 박막을 전해 도금으로 형성하는 데 있어서, 구리 박막의 표면을 은으로 치환하여 미세 은 박막을 형성하는 것만으로 산화에 대한 저항성이 강해짐으로써, 면저항 특성이 우수한 고품질의 반도체 배선용 금속막을 얻을 수 있다. 본 발명에 따른 반도체 배선용 금속막에 열처리 공정을 더 실시하는 것으로 인해 금속막의 면저항 특성이 더욱 좋아짐으로써, 반도체 배선의 품질 향상되어 반도체 산업 발전에 지대한 기여를 할 수 있다. 전해 도금, 구리 박막, 은 치환, 열처리 공정, 면저항, 다마신
Int. CL C23C 18/16 (2006.01)
CPC H01L 21/76883(2013.01) H01L 21/76883(2013.01) H01L 21/76883(2013.01) H01L 21/76883(2013.01) H01L 21/76883(2013.01) H01L 21/76883(2013.01) H01L 21/76883(2013.01) H01L 21/76883(2013.01)
출원번호/일자 1020020032506 (2002.06.11)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2003-0095005 (2003.12.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.06.11)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재정 대한민국 서울특별시 서초구
2 김용식 대한민국 광주광역시북구
3 김수길 대한민국 서울특별시관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2002-0181520-36
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.10.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.11.17 수리 (Accepted) 9-1-2003-0054974-93
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.05.11 수리 (Accepted) 4-1-2004-0020333-35
5 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2004.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2004-5090989-20
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0238983-92
7 의견서
Written Opinion		 2004.07.22 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2004-0325708-25
8 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.07.22 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2004-0325711-63
9 반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2004.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0049216-60
10 반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2004.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0049217-16
11 대리인 선임 신고서
Notification of assignment of agent		 2004.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2004-0364557-86
12 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0365895-71
13 의견서
Written Opinion		 2004.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2004-0365894-25
14 반려통지서
Notice for Return		 2004.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0058151-02
15 반려통지서
Notice for Return		 2004.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0058150-56
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2005.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0029425-25
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

미세 패턴으로 형성된 반도체 기판을 마련하는 단계와;

상기 반도체 기판을 구리 전해 도금액에 넣고 환원 전위를 인가하여 구리 전해 도금을 실시함으로써, 상기 반도체 기판의 표면 전체에 구리 박막을 형성하는 단계와;

상기 반도체 기판의 상기 홈 부분에 형성된 상기 구리 박막만이 남도록 상기 반도체 기판 표면 전체를 평탄하게 식각하는 기판 평탄화 단계와;

평탄화된 상기 반도체 기판을 은 치환 용액에 침지시켜서 상기 남은 구리 박막 표면을 은으로 치환하는 은 박막 형성 단계,를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 금속막 형성 방법

2 2

제 1항에 있어서, 상기 은 박막이 형성된 상기 반도체 기판을 질소 분위기에서 열처리하는 열처리 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 금속막 형성 방법

3 3

제 2항에 있어서, 상기 열처리 온도는 100℃∼700℃인 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 금속막 형성 방법

4 4

제 2항에 있어서, 상기 열처리의 시간은 30초∼1000초인 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 금속막 형성 방법

5 5

제 1항에 있어서, 상기 구리 전해 도금액은, 1

6 6

제 1항에 있어서, 상기 환원 전위는, 표준 감홍 전극을 기준으로 -0

7 7

제 1항에 있어서, 상기 은 치환 용액은 60ml의 이온제거수에 1

8 8

제 1항에 있어서, 상기 은 치환 용액은 100ml의 이온제거수에 18

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.