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자기성 철 이온이 비자기성 이온으로 부분적으로 치환되어 A2B2(Fe1-xAlx)12O22(0＜x≤0
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제 1 항에 있어서, 상기 비자기성 이온은 상기 헥사페라이트의 자기 이방성을 변화시키는 다강체 물질
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제 2 항에 있어서, 상기 철 이온에 대한 상기 비자기성 이온의 치환율은 0 보다 크고 80% 이하인 다강체 물질
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제 1 항에 있어서, 상기 헥사페라이트는 0 보다 크고 10mT 이하의 자기장에서 유전 분극이 발생하는 다강체 물질
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제 1 항에 있어서, 상기 헥사페라이트는 상기 비자기성 이온의 치환양을 증가시킴에 따라 유전 분극을 발생시키는 자기장의 크기가 순차적으로 "0"에 가까워지는 다강체 물질
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제 1 항에 있어서, 상기 헥사페라이트는 0 보다 크고 10mT 이하의 자기장에서 0 퍼센트 보다 크고 20 퍼센트 이하 범위의 유전율 변화가 발생하는 다강체 물질
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제 1 항에 있어서, 상기 헥사페라이트는 상기 비자기성 이온의 치환양을 증가시킴에 따라 유전율 변화를 발생시키는 자기장의 크기가 순차적으로 "0"에 가까워지는 다강체 물질
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제 1 항에 있어서, 상기 헥사페라이트는 (Ba1-ySry)2Zn2(Fe1-xAlx)12O22(0≤y≤1
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탄산 바륨, 탄산 스트론튬, 산화아연, 산화철, 산화알루미늄 및 산화나트륨의 분말들을 혼합하여 준비하는 단계;상기 혼합된 분말들을 한 번 이상 열처리하는 단계; 및상기 열처리 단계 후에 결정화를 위하여 서냉하는 단계를 포함하며, A2B2(Fe1-xAlx)12O22(0＜x≤0
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제 12 항에 있어서, 상기 탄산 바륨, 상기 탄산 스트론튬, 상기 산화아연, 상기 산화철, 상기 산화알루미늄 및 상기 산화나트륨의 몰 비율은 각각 A1(1-y'), A1y', A2, A3(1-x), A3x 및 A4이고,A1, A2, A3 및 A4는 각각 17≤A1≤22, 17≤A2≤22, 48≤A3≤59 및 6≤A4≤8의 범위에서 A1, A2, A3 및 A4의 합이 100이 되도록 선택되고,y' 및 x는 각각 0≤y'≤1
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제 12 항에 있어서, 상기 열처리하는 단계는:상기 분말들을 제1 온도까지 가열하는 단계;상기 제1 온도에서 유지하는 단계; 및상기 제1 온도에서 상기 제1 온도보다 작은 제2 온도로 냉각하는 단계를 포함하는 다강체 물질 제조 방법
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제 14 항에 있어서, 상기 제1 온도는 1100℃ 내지 1500℃에서 선택되고, 상기 제2 온도는 1000℃ 내지 1200℃에서 선택되는 다강체 물질 제조 방법
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제 14 항에 있어서, 상기 가열하는 단계에서 온도 증가율은 900℃/h 내지 1500℃/h인 다강체 물질 제조 방법
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제 14 항에 있어서, 상기 냉각하는 단계에서 온도 감소율은 900℃/h 내지 1500℃/h인 다강체 물질 제조 방법
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제 14 항에 있어서, 상기 열처리하는 단계는 두 번 이상 수행되고,상기 제1 온도는 상기 열처리 단계가 수행될 때마다 순차적으로 감소되거나 이전 수행시와 동일하게 유지되고,상기 제2 온도는 상기 열처리 단계가 수행될 때마다 순차적으로 증가되거나 이전 수행시와 동일하게 유지되는 다강체 물질 제조 방법
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제 14 항에 있어서, 상기 열처리하는 단계는 두 번 이상 수행되고,최초 열처리시 상기 유지하는 단계는 10시간 내지 30시간 동안 수행되고,이후 열처리시 상기 유지하는 단계는 0시간 보다 크고 5시간 이하 동안 수행되는 다강체 물질 제조 방법
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제 12 항에 있어서, 상기 서냉하는 단계에서 온도 감소율은 0
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제 12 항에 있어서, 상기 서냉하는 단계는:0
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