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메조기공 탄소/전도성 고분자 나노복합체의 제조와전기이중층 캐패시터 전극으로서의 응용

  • 기술번호 : KST2015160921
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 메조기공 탄소/전도성 고분자 나노복합체 물질의 제조와 전기이중층 캐패시터로서 (electro double layer capacitor) 의 응용에 관한 것으로, 메조기공탄소의 기공표면에 기상 증착 중합을 이용하여 전도성 고분자를 도입함으로 메조기공 탄소/전도성 고분자 나노복합체를 제조하는 방법을 제공하며 전기이중층 캐패시터 전극으로 이용되었을 경우 높은 캐패시턴스 성능을 보임으로 차세대 캐패시터 전극으로서의 가능성을 제시하였다.본 발명에 따르면, 간단하고 저렴한 기상 증착에 의해 메조기공 탄소/전도성 고분자 나노복합체를 용이하게 제조할 수 있는 장점을 가진다. 더욱이, 본 발명에서 제조될 수 있는 메조기공 탄소/전도성 고분자 나노복합체는 메조 기공의 기공의 크기, 기공의 구조에 구애되지 않을 뿐만 아니라, 전도성 고분자의 종류와 두께에 제한없이 제조가 가능하다.메조기공 탄소, 전도성 고분자, 나노복합체, 전기이중층 캐패시터
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C08K 3/04 (2011.01) C08J 3/00 (2011.01)
CPC H01G 11/32(2013.01) H01G 11/32(2013.01) H01G 11/32(2013.01) H01G 11/32(2013.01) H01G 11/32(2013.01) H01G 11/32(2013.01) H01G 11/32(2013.01) H01G 11/32(2013.01)
출원번호/일자 1020060128534 (2006.12.15)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0764613-0000 (2007.10.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071008) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.18)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장정식 대한민국 서울 관악구
2 최문정 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
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최종권리자

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1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0930127-13
2 출원심사청구서
Request for Examination		 2006.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2006-0936941-91
3 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee		 2006.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0156520-92
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.06.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.07.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0041654-32
6 등록결정서
Decision to grant		 2007.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0394128-11
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1
메조기공 탄소를 반응기에 도입한 후, 반응기를 감압하여 반응기 내부를 진공상태로 만드는 단계; 및,액상의 전도성 고분자의 단량체를 반응기 내부로 도입 후, 온도를 올려서 액상의 단량체를 진공상태 하에서 기화시켜 기체 상의 단량체가 메조기공 탄소의 기공표면에 흡착되도록 하는 단계; 및,전도성 고분자의 단량체가 흡착된 메조기공 탄소에 개시제를 도입하여 기공표면에서 전도성 고분자의 박막을 형성하는 단계; 및상기의 전도성 고분자가 도입된 메조기공 탄소를 과량의 물로 세척하여 메조기공탄소/전도성 고분자 나노복합체를 회수하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 메조기공 탄소/전도성 고분자 나노복합체의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 메조기공 탄소는 기공의 크기가 2 nm 에서 50 nm 인 것과 구조에 있어서 다양한 형태의 메조기공 탄소인 것을 특징으로 하는 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 진공 상태는 10 - 10-6 torr 인 것을 특징으로 하는 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 전도성 고분자는 단량체가 감압하에서 기상의 단량체가 될 수 있는 전도성 고분자인 것을 특징으로 하는 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 흡착시 온도는 25 OC 에서 300 OC 인 것을 특징으로 하는 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 흡착 시간은 10 분에서 24 시간인 것을 특징으로 하는 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 중합 개시제는 산화-환원반응을 이용한 산화제인 것을 특징으로 하는 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 중합 시간이 10 분에서 24 시간인 것을 특징으로 하는 제조방법
9 9
제 1항에 있어서, 메조기공 탄소/전도성 고분자 나노복합체에 있어서 도입되는 전도성 고분자의 두께가 2 에서 25 나노미터인 것을 특징으로 하는 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.