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탄소나노튜브를 이용한 오목한 그리드 구조의 엑스-선관

  • 기술번호 : KST2015163127
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 탄소나노튜브를 이용한 오목한 그리드 구조의 X-선관은, 탄소나노튜브로 이루어져 있으며, 전자를 방출하는 음극부와, 전자의 방출을 유도하는 게이트부 및 방출된 전자를 가속하며 전자의 충돌로 X-선을 발생하는 양극부를 구비하는 탄소나노튜브 기반의 3극 X-선관에 있어서, 상기 게이트부에 해당하는 그리드는 소정 곡률의 오목한 구조로 되어 있는 점에 그 특징이 있다.이와 같은 본 발명에 의하면, 음극부, 양극부 및 게이트부로 구성된 탄소나노튜브 기반의 3극 X-선관에 있어서 게이트부에 해당하는 그리드 전극을 오목한 구조로 하여 전자빔의 집속을 증대시킴으로써 고효율, 고분해능의 방사선 영상을 얻을 수 있는 장점이 있다.탄소나노튜브, 음극, X-선관
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H05G 1/02 (2011.01)
CPC H05G 1/02(2013.01) H05G 1/02(2013.01) H05G 1/02(2013.01) H05G 1/02(2013.01) H05G 1/02(2013.01)
출원번호/일자 1020050135774 (2005.12.30)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2007-0071918 (2007.07.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.30)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현숙 대한민국 경기 수원시 장안구
2 김종욱 대한민국 서울 양천구
3 박양하 대한민국 경기 성남시 분당구
4 장원석 대한민국 서울 관악구
5 최해영 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주종호 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2005-0785711-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2006-0081078-35
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0758637-31
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0150465-80
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0215391-57
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0296249-14
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0365438-33
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0441111-81
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2007.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0520438-81
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2007.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0487434-25
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄소나노튜브로 이루어져 있으며, 전자를 방출하는 음극부와, 전자의 방출을 유도하는 게이트부 및 방출된 전자를 가속하며 전자의 충돌로 X-선을 발생하는 양극부를 구비하는 탄소나노튜브 기반의 3극 X-선관에 있어서,상기 게이트부에 해당하는 그리드는 소정 곡률의 오목한 구조로 되어 있는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 오목한 그리드 구조의 X-선관
2 2
제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브가 성장되는 금속 기판 위에는 탄소나노튜브를 금속 기판 위에 직접 성장시키는 것을 가능하게 하기 위해 니켈(Ni) 막이 촉매로 증착되어 있는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 오목한 그리드 구조의 X-선관
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.