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기판에 FTO(Fluorine doped tin oxide)를 코팅시켜 도전층을 형성시키는 도전층 형성단계와;상기 도전층 형성 단계 후에 스퍼터링법에 의해 상기 도전층 상면에 티타늄층을 형성시키는 티타늄 스퍼터링 단계와;상기 티타늄 스퍼터링 단계를 거친 기판을 400℃ ~ 500℃온도에서 열처리 시키는 열처리 단계와;상기 열처리 단계를 거친 후, 물,염산,TDIP(Titanium Diisopropoxide bis(acetylacetonate))가 혼합된 용액이 수용된 수열합성기 내에서 용액의 온도를 160℃ ~ 200℃로 유지시킨 상태에서 상기 열처리 단계를 거친 기판을 침지시켜 수열합성시킴에 의해 이산화 티탄 나노선을 형성시키는 나노선 형성단계와;질산과 TTIP(Titanium isopropoxide)를 혼합하여 용액을 형성시키고, 30℃ ~ 70℃의 온도에서 용액을 교반하여 분산시키는 용액 교반단계와;상기 용액 교반단계에서 형성된 용액을 수열합성기 내에 수용시켜 용액의 온도를 160℃ ~ 240℃로 유지시킨 상태에서, 상기 나노선 형성단계에서 나노선이 형성된 기판을 상기 용액에 침지시켜 수열합성시킴에 의해 상기 기판에 이산화티탄 나노입자를 형성시키는 나노입자 형성단계;를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 2단계 수열합성 공정을 이용한 이산화티탄 나노선과 이산화티탄 나노입자가 하이브리드된 광전극의 제조방법
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제1항에 있어서 상기 기판은 유리기판임을 특징으로 하는 2단계 수열합성 공정을 이용한 이산화티탄 나노선과 이산화티탄 나노입자가 하이브리드된 광전극의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 티타늄 스퍼터링 단계에서 티타늄층의 두께는 10㎚ ~ 100㎚가 됨을 특징으로 하는 2단계 수열합성 공정을 이용한 이산화티탄 나노선과 이산화티탄 나노입자가 하이브리드된 광전극의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 나노선 형성단계에서 용액에 첨가되는 물;염산;TDIP는 부피비로 1;1;1/60이 됨을 특징으로 하는 2단계 수열합성 공정을 이용한 이산화티탄 나노선과 이산화티탄 나노입자가 하이브리드된 광전극의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 나노선 형성단계에서 수열합성은 4~72시간 동안 진행됨을 특징으로 하는 2단계 수열합성 공정을 이용한 이산화티탄 나노선과 이산화티탄 나노입자가 하이브리드된 광전극의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 용액 교반단계에서 상기 질산의 농도는 0
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제6항에 있어서, 상기 용액 교반단계에서 용액에 첨가되는 질산 ; TTIP의 비율은 몰비율로 1;1~7가 됨을 특징으로 하는 2단계 수열합성 공정을 이용한 이산화티탄 나노선과 이산화티탄 나노입자가 하이브리드된 광전극의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 나노입자 형성단계에서 수열합성은 4~72시간 동안 진행됨을 특징으로 하는 2단계 수열합성 공정을 이용한 이산화티탄 나노선과 이산화티탄 나노입자가 하이브리드된 광전극의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 열처리 단계는 1~2시간 진행됨을 특징으로 하는 2단계 수열합성 공정을 이용한 이산화티탄 나노선과 이산화티탄 나노입자가 하이브리드된 광전극의 제조방법
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