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알루미늄의 전기화학적 고온 양극 산화를 통한 극미세 나노 다공성 알루미나 구조체의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015163673
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 알루미늄의 전기화학적 고온 양극 산화를 통한 극미세 나노 다공성 알루미나 구조체의 제조 방법에 관한 것으로, 금속모재인 알루미늄 금속을 금속염이 존재하는 전해질에 침지시켜 양극으로 사용하고, 백금을 음극으로 사용하여 상기 음극과 양극에 전압을 인가하여 상기 금속모재의 표면을 양극 산화시키는 알루미늄의 전기화학적 고온 양극 산화를 통한 극미세 나노 다공성 알루미나 구조체의 제조 방법에 있어서, 상기 전해질은 유기전해질이 사용되고, 상기 전해질의 온도는 120℃ 내지 220℃의 온도범위에서 양극 산화가 진행되어, 구경의 크기가 1㎚ 내지 30㎚크기를 가짐을 특징으로 하는 알루미늄의 전기화학적 고온 양극 산화를 통한 극미세 나노 다공성 알루미나 구조체의 제조 방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 유기전해질을 전해질로 하여 100℃ 이상의 고온에서 양극 산화하는 방식으로 수 내지 수십 나노미터 크기의 기공을 가지는 알루미나 구조체를 형성시키는 이점이 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01F 7/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01F 7/42(2013.01) C01F 7/42(2013.01) C01F 7/42(2013.01) C01F 7/42(2013.01)
출원번호/일자 1020120002282 (2012.01.09)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1479211-0000 (2014.12.29)
공개번호/일자 10-2013-0081367 (2013.07.17) 문서열기
공고번호/일자 (20150106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.09)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김두헌 대한민국 경상남도 창원시 가음정동
2 정대영 대한민국 경남 창원시 성산구
3 응웨쯔응 베트남 경남 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0018773-36
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.09.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.10.24 수리 (Accepted) 9-1-2012-0079407-68
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0280237-91
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0565724-29
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0673333-36
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0772117-25
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.08.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0772124-45
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0905118-04
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0199632-21
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2014-0307410-59
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0404169-47
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0404149-34
14 등록결정서
Decision to grant
2014.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0666340-73
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속모재인 알루미늄 금속을 금속염이 존재하는 전해질에 침지시켜 양극으로 사용하고, 백금을 음극으로 사용하여 상기 음극과 양극에 전압을 인가하여 상기 금속모재의 표면을 양극 산화시키는 알루미늄의 전기화학적 고온 양극 산화를 통한 극미세 나노 다공성 알루미나 구조체의 제조 방법에 있어서, 상기 전해질은 유기전해질이 사용되고, 상기 전해질의 온도는 120℃ 내지 220℃의 온도범위에서 양극 산화가 진행되어 1차로 알루미나 피막을 형성시키고 상기 알루미나 피막을 에칭을 통하여 제거한 후, 전해질의 온도를 120℃ 내지 220℃의 온도범위로 하여 재차 양극산화를 진행시키는 2단계 양극산화가 진행되되, 상기 인가된 전압은 30V 내지 60V 사이의 전압이 인가되어, 구경의 크기가 1㎚ 내지 30㎚크기를 가짐을 특징으로 하는 알루미늄의 전기화학적 고온 양극 산화를 통한 극미세 나노 다공성 알루미나 구조체의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속염은 포스페이트(Phosphate)염이 됨을 특징으로 하는 알루미늄의 전기화학적 고온 양극 산화를 통한 극미세 나노 다공성 알루미나 구조체의 제조 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 포스페이트염은 KH2PO4, K2HPO4, K3PO4, K2P2O7 중 하나 이상이 됨을 특징으로 하는 알루미늄의 전기화학적 고온 양극 산화를 통한 극미세 나노 다공성 알루미나 구조체의 제조 방법
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 전해질은 글리세롤 또는 에틸렌글리콜이 됨을 특징으로 하는 알루미늄의 전기화학적 고온 양극 산화를 통한 극미세 나노 다공성 알루미나 구조체의 제조 방법
5 5
제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 금속모재는 양극 산화 전에 세정단계와, 폴리싱단계와, 건조단계를 거침을 특징으로 하는 알루미늄의 전기화학적 고온 양극 산화를 통한 극미세 나노 다공성 알루미나 구조체의 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 세정단계는, 초음파세척기에서 에탄올 또는 아세톤을 이용하여 세정함을 특징으로 하는 알루미늄의 전기화학적 고온 양극 산화를 통한 극미세 나노 다공성 알루미나 구조체의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 폴리싱단계는 알콜과 과염소산(perchloric acid)을 혼합한 용액에 담구어서 진행됨을 특징으로 하는 알루미늄의 전기화학적 고온 양극 산화를 통한 극미세 나노 다공성 알루미나 구조체의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 건조단계는 50℃ 내지 100℃의 온도에서 진행됨을 특징으로 하는 알루미늄의 전기화학적 고온 양극 산화를 통한 극미세 나노 다공성 알루미나 구조체의 제조 방법
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