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(가) 각각의 실리콘 웨이퍼 상에 절연막을 형성한 제1기판과 제2기판을 상기 절연막이 서로 접촉되도록 접합하고, 상기 제1기판 쪽을 일정 두께까지 연마하는 단계; (나) 상기 제1기판 쪽에 포토마스크(Photomask)를 이용한 Photo-lithography 공정과 건식 식각 공정을 이용하여 상기 절연막이 드러날 때까지 식각된 실리콘 그리드 패턴을 형성하는 단계;(다) 상기 제1기판과 상기 제2기판의 전면에 절연막을 형성하는 단계;(라) 상기 (가) 내지 (다) 단계를 통하여 제조된 제1 그리드 구조물과 제2 그리드 구조물의 각 실리콘 그리드 패턴 영역의 대응되는 격자들간에 서로 접촉되도록 접합하는 단계;(마) 상기 제1 그리드 구조물과 제2 그리드 구조물의 양쪽에 대하여 각각 포토마스크(Photomask)를 이용한 Photo-lithography 공정과 식각 공정을 이용하여 상기 각 실리콘 그리드 패턴 영역에 대응되는 위치의 상기 (다) 단계의 절연막을 제거하고, 습식 식각 공정을 더 진행하여 상기 각 실리콘 그리드 패턴 영역에 대응되는 위치에 실리콘 개구부를 형성하는 단계;(바) 상기 제1 그리드 구조물과 상기 제2 그리드 구조물에 남아있는 절연막들을 전체적으로 제거하고, 상기 제1 그리드 구조물과 제2 그리드 구조물의 양쪽 상에 각각 다시 절연막을 형성하는 단계; 및(사) 상기 제1 그리드 구조물 또는 제2 그리드 구조물 위에 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 그리드 구조물 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 절연막은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 마이크로 그리드 구조물 제조 방법
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제1항에 있어서,(나) 단계에서 상기 건식 식각 공정은 SF6 와 C4F8 반응가스를 이용한 DRIE(Deep Reactive Ion etching) 공정으로 진행되는 것을 특징으로 하는 마이크로 그리드 구조물 제조 방법
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제1항에 있어서,(마) 단계에서 상기 습식 식각 공정은 TMAH 25%와 80°C에서 진행되는 것을 특징으로 하는 마이크로 그리드 구조물 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 그리드 구조물의 실리콘 그리드 패턴 영역의 실리콘 격자들의 수가 상기 제2 그리드 구조물의 실리콘 그리드 패턴 영역의 실리콘 격자들의 수가, 서로 같거나 다른 것을 특징으로 하는 마이크로 그리드 구조물 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 그리드 구조물의 실리콘 그리드 패턴 영역의 실리콘 격자들의 높이와 상기 제2 그리드 구조물의 실리콘 그리드 패턴 영역의 실리콘 격자들의 높이가, 서로 같거나 다른 것을 특징으로 하는 마이크로 그리드 구조물 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 그리드 구조물의 실리콘 그리드 패턴 영역의 실리콘 격자들의 수와 상기 제2 그리드 구조물의 실리콘 그리드 패턴 영역의 실리콘 격자들의 수가 같고, 상기 제1 그리드 구조물의 실리콘 그리드 패턴 영역의 실리콘 격자들의 높이와 상기 제2 그리드 구조물의 실리콘 그리드 패턴 영역의 실리콘 격자들의 높이가 다른 것을 특징으로 하는 마이크로 그리드 구조물 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 그리드 구조물의 실리콘 그리드 패턴 영역의 실리콘 격자들의 수와 상기 제2 그리드 구조물의 실리콘 그리드 패턴 영역의 실리콘 격자들의 수가 다르고, 상기 제1 그리드 구조물의 실리콘 그리드 패턴 영역의 실리콘 격자들의 높이와 상기 제2 그리드 구조물의 실리콘 그리드 패턴 영역의 실리콘 격자들의 높이가 같은 것을 특징으로 하는 마이크로 그리드 구조물 제조 방법
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