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SiC 기판 상에 게이트산화막 형성 방법 및 그 장치

  • 기술번호 : KST2015163973
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 SiC 기재 상에 게이트산화막을 형성하는 방법이 개시된다. 본 발명은 HNO3 수용액으로부터 HNO3 증기를 포함하는 가스상을 발생시키는 단계; 상기 HNO3 가스상을 SiC 기판으로 유도하는 단계; 및 상기 HNO3 가스상과 SiC 기판을 반응하여 상기 기판 표면에 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 SiC 기판 상의 질화처리 산화막 형성 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 기상의 HNO3를 이용하여 SiC 기판 상에 높은 속도로 낮은 결함 밀도를 갖는 고품질의게이트산화막을 형성할 수 있게 된다.
Int. CL H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/316 (2006.01)
CPC H01L 21/28202(2013.01) H01L 21/28202(2013.01)
출원번호/일자 1020130168442 (2013.12.31)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1576048-0000 (2015.12.03)
공개번호/일자 10-2015-0078756 (2015.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20151210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.31)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문정현 대한민국 경남 창원시 성산구
2 강인호 대한민국 경남 진주시 강남로 **, *
3 김남균 대한민국 경남 창원시 성산구
4 김상철 대한민국 경남 창원시 성산구
5 나문경 대한민국 경남 창원시 성산구
6 방욱 대한민국 경남 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-1210997-74
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.09.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2014-0080726-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.02.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0080759-45
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2015-0327343-91
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2015-0428248-42
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2015-0534925-53
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2015-0647410-79
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.07.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0647409-22
11 등록결정서
Decision to grant
2015.10.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0675258-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Si-face 4H-SiC 기판을 제공하는 단계;HNO3 수용액으로부터의 HNO3 증기와 탈이온화수로부터의 수증기를 포함하는 가스상을 발생시키는 단계;상기 가스상을 상기 SiC 기판으로 유도하는 단계; 및상기 기판 온도를 1000℃ 이상으로 유지하면서, 상기 가스상과 상기 SiC 기판을 반응하여 상기 SiC 기판 표면에 질화처리 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 기판 상의 질화처리 산화막 형성 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 HNO3 수용액을 상온 이상으로 가열하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 기판 상의 질화처리 산화막 형성 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 가스상 발생 단계에서 N2 가스를 캐리어 가스로 사용하는 것을 특징으로 하는 SiC 기판 상의 질화처리 산화막 형성 방법
5 5
삭제
6 6
Si-face 4H-SiC 기판을 제공하는 단계;HNO3 수용액으로부터의 HNO3 증기와 탈이온화수로부터의 수증기를 포함하는 가스상을 발생시키는 단계;상기 가스상을 상기 SiC 기판으로 유도하는 단계; 및상기 기판 온도를 1000℃ 이상으로 유지하면서, 상기 가스상과 상기 SiC 기판을 반응하여 상기 SiC 기판 표면에 질화처리 산화막을 형성하는 단계; 및상기 산화막 상에 금속 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 금속 산화물 반도체의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 SiC 기판은 소정의 활성 영역을 포함하고, 상기 금속 산화물 반도체는 전계 방출 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체 제조 방법
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.