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저온 공정을 이용한 실리콘 옥사이드 게이트 절연막 제조방법

  • 기술번호 : KST2015164192
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저온 공정을 이용한 실리콘 옥사이드 게이트 절연막 제조방법에 관한 것으로, 실리카 입자를 용매인 물에 분산시켜 실리카 용액을 형성시키고, 실리카 입자를 유기실란을 이용하여 표면을 개질시키는 제1단계와; 상기 제1단계의 실리카 용액의 용매인 물을 유기용매로 대체시키는 제2단계와; 에폭시 수지가 용해된 용액을 상기 제2단계의 유기용매로 대체된 실리카 용액과 혼합시키고 반응시켜 혼합 용액을 형성시키는 제3단계와; 상기 제3단계에서 형성된 혼합용액을 기판에 코팅시키는 제4단계와; 상기 제4단계를 거친 후 120℃ 내지 300℃의 온도에서 열처리시키는 제5단계;를 포함하여 구성되는 저온 공정을 이용한 실리콘 옥사이드 게이트 절연막 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 용액 상태의 실리콘 옥사이드를 형성하여 300℃ 이하의 낮은 온도에서 열처리를 하여 게이트 절연막용 실리콘 옥사이드를 제작하여, 유연한 성질을 가진 고분자 소재의 기판에도 적용이 가능하다는 이점이 있다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/316 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 21/02164(2013.01) H01L 21/02164(2013.01) H01L 21/02164(2013.01) H01L 21/02164(2013.01) H01L 21/02164(2013.01)
출원번호/일자 1020120107379 (2012.09.26)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1410839-0000 (2014.06.17)
공개번호/일자 10-2014-0040542 (2014.04.03) 문서열기
공고번호/일자 (20140623) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.26)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 나문경 대한민국 경남 창원시 성산구
2 강인호 대한민국 경남 진주시 강남로 **, *
3 김상철 대한민국 경남 창원시 성산구
4 문정현 대한민국 서울 구로구
5 주성재 대한민국 경남 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 경상남도 창원시 성산구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0785443-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.05.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.06.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0041688-81
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0719800-61
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.12.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1175169-20
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-1175149-17
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0287886-44
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리카 입자를 용매인 물에 분산시켜 실리카 용액을 형성시키고, 실리카 입자를 유기실란을 이용하여 표면을 개질시키는 제1단계와; 상기 제1단계의 실리카 용액의 용매인 물을 유기용매로 대체시키는 제2단계와; 에폭시 수지가 용해된 용액을 상기 제2단계의 유기용매로 대체된 실리카 용액과 혼합시키고 반응시켜 혼합 용액을 형성시키는 제3단계와; 상기 제3단계에서 형성된 혼합용액을 기판에 코팅시키는 제4단계와; 상기 제4단계를 거친 후 120℃ 내지 300℃의 온도에서 열처리시키는 제5단계;를 포함하여 구성되되, 상기 제1단계의 표면개질은, 유기실란과의 초기의 급격한 반응으로 인해 생길 수 있는 표면의 불균일한 개질을 방지하기 위해 2단계의 공정으로 진행되고, 상기 제2단계의 유기용매는 디메틸아세트아마이드(dimethylacetamide, DMAc)임을 특징으로 하는 저온 공정을 이용한 실리콘 옥사이드 게이트 절연막 제조방법
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삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 제4단계의 코팅은, 스핀코팅(spin coating), 딥코팅(dip coating), 스프레이 코팅(spray coating), 스크린 프린팅(screen printing), 슬롯 코팅(slot coating), 노즐 프린팅(nozzle printing), 슬롯-다이 코팅(slot-die coating), 그라비어 코팅(gravure coating) 중 하나임을 특징으로 하는 저온 공정을 이용한 실리콘 옥사이드 게이트 절연막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제5단계의 열처리 온도는 120℃ 내지 250℃임을 특징으로 하는 저온 공정을 이용한 실리콘 옥사이드 게이트 절연막 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.