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기판의 전처리를 통한 나노 구조체 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015166668
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 HVPE법을 이용한 나노 구조체 제조방법에 관한 것으로, 특히 나노 구조체가 성장하는 기판을 HVPE법을 이용한 나노 구조체 제조장치의 기판홀더에 장착한 상태에서 불활성 가스를 주입하고 고온의 열처리를 통해 불순물층을 제거하는 기판의 전처리 단계를 포함하여서 별도의 불순물 제거공정 없이도 기판 상부에 양질의 나노 구조체를 제조하는 방법을 제공한다. HVPE, 나노구조체, 기판 전처리
Int. CL B82B 1/00 (2011.01) H01L 21/324 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01)
출원번호/일자 1020080035569 (2008.04.17)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0110010 (2009.10.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.17)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진교 대한민국 서울 중구
2 오태건 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세중 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0273489-16
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2008-0424836-54
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0435094-30
4 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee		 2008.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0077759-89
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0058251-19
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0178067-06
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노 구조체 제조 장치를 이용하여 나노 구조체를 제조하는 방법에 있어서, 상기 나노 구조체 제조장치의 기판홀더에 기판을 장착하는 단계와; 상기 기판이 장착된 나노 구조체의 반응로 내부로 불활성 가스를 주입하면서 상기 기판의 온도를 고온으로 유지하는 단계를 포함하여서, 상기 주입되는 불활성 가스와 기판에 가해지는 고온에 의해 기판 상부의 불순물 층을 제거하는 것을 특징으로 하는 기판 전처리를 통한 나노 구조체의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 비소화갈륨(GaAs) 그리고 사파이어 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기판의 전처리를 통한 나노 구조체 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 불활성 가스는 질소(N2), 아르곤(Ar), 수소(H2) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기판의 전처리를 통한 나노 구조체 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 주입하는 불활성 가스의 양은 1 내지 20slm인 것을 특징으로 하는 기판의 전처리를 통한 나노 구조체 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 기판의 온도는 800 ~ 1200℃인 것을 특징으로 하는 기판의 전처리를 통한 나노 구조체 제조방법
6 6
제 1 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 기판의 온도는 5 ~ 60분 동안 유지하는 것을 특징으로 하는 기판의 전처리를 통한 나노 구조체 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 기판의 전처리 단계에서 나노 구조체 제조 장치의 내부 압력은 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 국민대학교 산학협력단 서울시 산학연 협력사업(기술기반구축사업) 나노공정 기술 및 장비 개발 산학연 혁신 클러스터