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알루미늄을 포함하는 기판; 상기 기판상에 위치하고, 판상 형태의 나노 입체 돌기가 형성된 수산화 알루미늄층; 및 상기 수산화 알루미늄층 표면에 결합한 복수의 금속 나노 입자;를 포함하고,상기 판상 형태의 나노 입체 돌기는 5 ㎚ 내지 20 ㎚의 폭, 50 ㎚ 내지 500 ㎚의 선길이 및 100 ㎚ 내지 500 ㎚의 높이를 가지며,상기 판상 형태의 나노 입체 돌기와 상기 기판이 이루는 각도가 0°초과 90°이하이고,20° 내지 160°의 접촉각을 갖는 플라즈모닉 나노 구조체
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제 1항에 있어서, 상기 수산화 알루미늄층 표면에 결합한 복수의 금속 나노 입자의 두께가 1 ㎚ 내지 100 ㎚인, 플라즈모닉 나노 구조체
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제 1항에 있어서, 상기 금속 나노 입자는 금, 은, 구리, 알루미늄, 루세늄으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 금속의 나노 입자를 포함하는, 플라즈모닉 나노 구조체
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제 1항에 있어서, 가시광선 영역에서 광흡수율의 최대값과 최소값의 차이가 0
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알루미늄 금속을 알카리 처리하여 알루미늄을 포함하는 기판 및 상기 기판상에 위치하고, 판상 형태의 나노 입체 돌기가 형성된 수산화 알루미늄층을 제조하는 단계; 및 상기 수산화 알루미늄층 표면에 복수의 금속 입자를 형성하는 단계;를 포함하는, 플라즈모닉 나노 구조체 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 알카리는 농도가 0
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제 8항에 있어서,상기 알루미늄 금속을 알카리 처리하여 알루미늄을 포함하는 기판 및 상기 기판상에 위치하고, 판상 형태의 나노 입체 돌기가 형성된 수산화 알루미늄층을 제조하는 단계 이후에,표면 안정화 단계를 더 포함하는, 플라즈모닉 나노 구조체 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 표면 안정화 단계는, 상기 알루미늄을 포함하는 기판 및 상기 기판상에 위치하고, 판상 형태의 나노 입체 돌기가 형성된 수산화 알루미늄층을 90℃ 내지 110℃ 온도의 탈 이온수에 첨가하는 단계를 포함하는, 플라즈모닉 나노 구조체 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 수산화 알루미늄층 표면에 복수의 금속 입자를 형성하는 단계는,1,000℃이상의 온도에서 금, 은, 구리, 알루미늄, 루테늄으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 금속을 상기 수산화 알루미늄층 상에 기상 증착시키는 단계를 포함하는, 플라즈모닉 나노 구조체 제조방법
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제 12항에 있어서,상기 1,000℃이상의 온도에서 금, 은, 구리, 알루미늄, 루테늄으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 금속을 상기 수산화 알루미늄층 상에 기상 증착시키는 단계는, 10-5 Torr 내지 10-3 Torr 의 압력에서, 0
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