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아몰퍼스 셀레늄을 이용한 이미지 센서에 있어서,
유리기판 상부에 일정 거리 이격되어 형성된 소오스 전극 및 드레인 전극과;
상기 소오스 전극과 드레인 전극이 각각 함침되도록 형성된 n형 도펀트가 주입된 실리콘층과;
상기 n형 도펀트가 주입된 실리콘층이 함침되도록 형성된 아몰퍼스 실리콘층과;
상기 아몰퍼스 실리콘층 상부에 형성된 게이트 절연층과;
상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이의 게이트 절연층 상부에 형성된 제1게이트 전극과;
상기 게이트 절연층과 아몰퍼스 실리콘층 및 n형 도펀트가 주입된 실리콘층을 식각하여 상기 드레인 전극의 일부분이 노출되도록 형성된 탄소나노튜브 성장홀과;
상기 탄소나노튜브 성장홀에 의해 노출된 드레인 전극 상부에 형성된 탄소나노튜브 에미터를 포함하는 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 셀레늄 이미지 센서의 탄소나노튜브 에미터를 갖는 스위칭 수단
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제 1 항에 있어서,
상기 탄소나노튜브 에미터를 갖는 스위칭 수단은,
상기 탄소나노튜브 에미터가 형성된 기판 상부에 제1게이트 전극이 함침되고 탄소나토튜브 에미터가 노출되도록 형성된 평탄화 절연층과;
상기 평탄화 절연층 상부에 탄ㅅ나노튜브 에미터가 노출되도록 형성된 제2게이트 전극을 더 포함하는 거을 특징으로 하는 아몰퍼스 셀레늄 이미지 센서의 탄소나노튜브 에미터를 갖는 스위칭 수단
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제 2 항에 있어서,
상기 평탄화 절연층은 탄소나노튜브의 높이에 맞춰 무기 절연물 또는 유무기 복합물을 이용하여 형성된 평탄화층과;
상기 평탄화층 상부에 형성되는 절연층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 셀레늄 이미지 센서의 탄소나노튜브 에미터를 갖는 스위칭 수단
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제1게이트 전극과 제2게이트 전극은 크롬, 알루미늄, 알루미늄 합금, 텅스텐, 또는 텅스텐 합금 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 셀레늄 이미지 센서의 탄소나노튜브 에미터를 갖는 스위칭 수단
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 절연층 및 평탄화 절연층은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 셀레늄 이미지 센서의 탄소나노튜브 에미터를 갖는 스위칭 수단
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제 1 항에 있어서,
상기 아몰퍼스 실리콘층은 미세결정 실리콘, 다결정 실리콘, 산화아연, 유기반도체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 셀레늄 이미지 센서의 탄소나노튜브 에미터를 갖는 스위칭 수단
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아몰퍼스 셀레늄 이미지 센서를 구성하는 스위칭 수단의 제조방법에 있어서,
유리기판 상부에 일정 거리 이격된 소오스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계와;
상기 소오스 전극과 드레인 전극이 각각 함침되도록 n형 도펀트가 주입된 실리콘층을 형성하는 단계와;
상기 n형 도펀트가 주입된 실리콘층이 함침되도록 기판 상부에 아몰퍼스 실리콘층을 형성하는 단계와;
상기 아몰퍼스 실리콘층 상부에 게이트 절연층을 형성하는 단계와;
상기 게이트 절연층 상부의 상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이에 제1게이트 전극을 형성하는 단계와;
상기 제1게이트 전극 일측의 게이트 절연층과 그 하부의 아몰퍼스 실리콘층 그리고 n형 도펀트가 주입된 실리콘층을 부분식각하여 드레인전극의 일부분이 노출되도록 에미터 설장홀을 형성하는 단계와;
상기 에미터 성장홀에 의해 노출된 드레인 전극 상부에 탄소나노튜브 에미터를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 셀레늄 이미지 센서의 스위칭 수단 제조방법
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제 7 항에 있어서,
상기 n형 도펀트가 주입된 실리콘층을 형성하는 단계는,
n형 도펀트가 주입된 실리콘을 이용하여 형성하거나 순수 실리콘으로 실리콘층을 형성한 후 n형 도펀트를 주입하는 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 셀레늄 이미지 센서의 스위칭 수단 제조방법
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제 7 항에 있어서,
상기 탄소나노튜브를 성장시키는 방법은,
상기 드레인전극 상부에 형성된 에미터 성장홀에 촉매금속을 충진하여 촉매금속층을 형성하는 단계와;
상기 촉매금속층이 형성된 드레인 전극 상부의 에미터 성장홀에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 셀레늄 이미지 센서의 스위칭 수단 제조방법
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제 9 항에 있어서,
상기 촉매 금속층은,
니켈(Ni), 철(Fe) 또는 코발트(Co)와 같은 전이 금속 중 어느 하나이거나, 코발트-니켈, 코발트-철, 니켈-철 또는 코발트-니켈-철이 합성된 합금 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 셀레늄 이미지 센서의 스위칭 수단 제조방법
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제 9 항에 있어서,
상기 탄소나노튜브를 성장시키는 방법은,
상기 촉매금속층이 형성된 기판의 온도를 200 ~ 800 oC 에서 1 ~ 600분간 용융하여 탄소나노튜브 형성을 위한 씨앗(seed)인 전자방출 소자 성장부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 셀레늄 이미지 센서의 스위칭 수단 제조방법
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제 7 항에 있어서,
상기 탄소나노튜브 에미터가 형성된 기판 상부에 평탄화 절연층을 형성하는 단계와;
상기 평탄화 절연층 상부에 제2게이트 전극을 형성하는 단계와;
상기 제2게이트 전극과 편탄화 절연층을 포토리소그라피 방법으로 식각하여 상기 탄소나노튜브 에미터가 노출되도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 셀레늄 이미지 센서의 탄소나노튜브 에미터를 갖는 스위칭 수단
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13
제 12 항에 있어서,
상기 평탄화 절연층을 형성하는 단계는,
상기 탄소나노튜브 에미터의 높이에 따라 평평하게 형성되는 평탄화층을 형성하는 단계와;
상기 평탄화층 상부에 절연물질을 도포하여 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 셀레늄 이미지 센서의 스위칭 수단 제조방법
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14
제 12 항에 있어서,
상기 평탄화층은 무기절연재, 유무기 복합재를 이용하여 용액법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 셀레늄 이미지 센서의 스위칭 수단 제조방법
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제 12 항에 있어서,
상기 절연층은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 이용하여 화학기상증착법 또는 프린팅법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 셀레늄 이미지 센서의 스위칭 수단 제조방법
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