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증착법을 통해 기판상에 고유전율 박막을 형성하는 방법으로, (a) 금속 전구체와 상기 금속을 산화시킬 수 있는 물질을 주입하여 박막을 형성하는 단계와,(b) 금속 전구체와, 도펀트(dopant)를 포함하며 상기 금속을 산화시킬 수 있는 물질을 주입하여, 도펀트(dopant)가 포함된 박막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 (b) 단계를 상기 (a)단계의 실시 전, 후 또는 중간에 실시하여, 형성된 박막에서 도펀트(dopant)가 포함된 박막의 위치 또는 두께 프로파일 조절함으로써 소자의 특성을 변화시키는 고유전율 박막 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 전구체가 포함하는 금속은 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 탄탈룸(Ta), 티타늄(Ti), 스트론튬(Sr), 란타늄(La), 바륨(Ba), 납(Pb), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 이트륨(Y) 및 망간(Mn)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 고유전율 박막 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 도펀트(dopant)는 질소(N) 또는 불소(F)인 것을 특징으로 하는 고유전율 박막 형성 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 금속을 산화시킬 수 있는 물질은 산소, 아산화질소, 암모니아수 및 물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 고유전율 박막 형성 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 증착법은 원자층 박막 증착법(ALD) 또는 화학적 기상 증착법(CVD)인 것을 특징으로 하는 고유전율 박막 형성 방법
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기판상에 형성된 고유전율 박막으로서, 도펀트가 함유되지 않은 박막층의 사이에 도펀트가 함유된 박막층이 형성되어 있으며, 상기 도펀트가 함유되지 않은 박막층은 HfO2층이고, 상기 도펀트를 함유한 박막층은 HfOxNy층인 것을 특징으로 하는 고유전율 박막
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