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탄소나노튜브의 압전효과에 의한 변형을 이용한 트랜지스터및 비휘발성 메모리

  • 기술번호 : KST2015169037
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소나노튜브를 압전소자에 의해 변형시킬 때 일어나는 저항의 변화를 이용하여 스위칭이 되는 신개념의 트랜지스터와 이를 이용한 비휘발성 메모리를 제공하는 것을 목적으로 한다.상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 탄소나노튜브의 양단부에 각각 전기적으로 접촉되는 소스 전극과 드레인 전극을 포함하고, 상기 탄소나노튜브의 일측에 압전소자가 배치되어 있어, 상기 압전소자에 의한 상기 탄소나노튜브의 변형을 통해 스위칭이 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 트랜지스터를 제공한다. 또한 상기 압전소자로 형상 기억 메모리 압전소자(shape piezoelectric actuator)를 사용할 경우, 비휘발성 메모리로의 응용이 가능하다.탄소나노튜브, 강유전체, 압전소자, 형상 기억 메모리 압전소자, 트랜지스터, 비휘발성 메모리
Int. CL B82Y 15/00 (2013.01) H01L 41/107 (2013.01) H01L 29/72 (2013.01)
CPC G11C 13/025(2013.01) G11C 13/025(2013.01) G11C 13/025(2013.01)
출원번호/일자 1020070041249 (2007.04.27)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0848813-0000 (2008.07.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080728) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.04.27)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 신영한 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 우윤성 대한민국 경기 용인시 수지구
4 이한보람 대한민국 서울 강서구
5 이성균 대한민국 경기 고양시 일산동구
6 손종역 대한민국 부산광역시 해운대구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0319884-60
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5195152-79
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.03.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0012008-23
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0146110-29
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2008.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0269422-65
7 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2008.06.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2008-0024413-79
8 등록결정서
Decision to grant		 2008.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0380642-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄소나노튜브의 양단부에 각각 전기적으로 접촉되는 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 탄소나노튜브 트랜지스터로서,상기 탄소나노튜브의 일측에 압전소자가 배치하여 상기 압전소자의 수축 또는 팽창을 통해 상기 탄소나노튜브가 변형될 수 있도록 하고,상기 압전소자의 수축 또는 팽창에 따른 탄소나노튜브의 변형량의 차이에 의해 발생하는 상기 탄소나노튜브의 비저항 값의 차이를 통해 스위칭이 이루어지도록 한 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 트랜지스터
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 압전소자는 형상 기억 메모리 압전소자인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 트랜지스터
3 3
제 2 항에 기재된 트랜지스터를 이용한 비휘발성 메모리
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.