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산화물 반도체 또는 전도체의 캐리어(carrier) 농도를 제어하는 방법으로,
상기 산화물 반도체 또는 전도체 박막 또는 이들 박막을 이용하여 형성된 소자의 표면에 자외선을 조사하여 상기 박막 내의 캐리어의 농도를 증가시키는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 또는 전도체의 캐리어 농도 제어방법
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제 1 항에 있어서, 상기 자외선 대신에 자외선보다 파장이 짧은 전자파를 조사하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 또는 전도체의 캐리어 농도 제어방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 자외선 또는 전자파의 조사는 진공 분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 또는 전도체의 캐리어 농도 제어방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 자외선 또는 전자파의 조사 시간, 강도의 조절을 통해 캐리어의 농도를 조절하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 또는 전도체의 캐리어 농도 제어방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 자외선 또는 전자파의 조사는 박막의 형성 과정에 수행하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 또는 전도체의 캐리어 농도 제어방법
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제 5 항에 있어서, 상기 자외선 또는 전자파의 조사는 연속 또는 단속적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 또는 전도체의 캐리어 농도 제어방법
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제 2 항에 있어서, 상기 전자파는 X-선인 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 또는 전도체의 캐리어 농도 제어방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 산화물 반도체 또는 전도체 박막은 ZnO, ZnMgO, ZnBeO, In2O3, TiO2, InZnO, InZnGaO, InSnO, FSnO로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 또는 전도체의 캐리어 농도 제어방법
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제 8 항에 있어서, 상기 산화물 반도체 또는 전도체 박막에는 Al, Ga, B, N, F, Cl, Li, Na, K, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Bi, Sn, Zr, Si, Ge, Hf, As, Sb, Ta, Ti, Sr, La, Ba, Pb, Mo, W, Y으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상이 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 또는 전도체의 캐리어 농도 제어방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 제어방법을 통해 전기적 특성이 조절된 소자
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